碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
國星光電 NS62m 碳化硅功率模塊上線：可用于傳統(tǒng)工控、儲能逆變、充電樁等
- IT之家 12 月 12 日消息，國星光電研究院基于寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)，全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模塊新品”，可應(yīng)用于傳統(tǒng)工控、儲能逆變、UPS、充電樁、軌道交通和其他功率變換領(lǐng)域。面向儲能逆變器市場，國星光電 NS62m 功率模塊新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能，提高了功率模塊的電流密度以及開關(guān)頻率，降低了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，減少了無源器件的使用和冷卻裝置的尺寸，最終達(dá)到降低系統(tǒng)成本、提升系統(tǒng)效率的目的。國星光電 NS62m 功率模塊采用標(biāo)準(zhǔn)型封裝，半橋拓?fù)?/li>
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OBC DC/DC SiC MOSFET驅(qū)動選型及供電設(shè)計要點
- 新能源汽車動力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如800V系統(tǒng)要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓?fù)渚哂懈叩拈_關(guān)頻率。碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體代表，具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點，更適合車載充電機OBC、直流變換器 DC/DC、電機控制器等應(yīng)用場景高頻驅(qū)動和高壓化的技術(shù)發(fā)展趨勢。本文主要針對SiC MOSFET的應(yīng)用特點，介紹了車載充電機OBC和直流變換器DC/DC應(yīng)用中的SiC MOSFET的典型使用場景，并針對SiC MOSFET的特性推薦了驅(qū)動芯片方案。最后，本文根
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純電動捷豹 I-TYPE 6 賽車重磅發(fā)布，搭載先進(jìn) Wolfspeed 碳化硅技術(shù)
- 2022年12月5日，英國倫敦、美國北卡羅來納州達(dá)勒姆市與中國上海市訊 — 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）宣布為捷豹 TCS 車隊近日重磅發(fā)布的捷豹 I-TYPE 6 賽車提供功率半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)品的全方位支持。全新I-TYPE 6賽車專為 2023 年度 ABB 國際汽聯(lián)電動方程式世界錦標(biāo)賽 Formula E（以下簡稱：Formula E）設(shè)計、研發(fā)打造，標(biāo)志著 Formula E 賽事正式邁入第三代（Gen3）賽車新時代。
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Si對比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
- 相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實現(xiàn)更高的效率水平，但有時難以輕易決定這項技術(shù)是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標(biāo)準(zhǔn)因素。超過 1000 V 電壓的應(yīng)用通常使用IGBT解決方案。但現(xiàn)在的SiC 器件性能卓越，能夠?qū)崿F(xiàn)快速開關(guān)的單極組件，可替代雙極 IGBT。這些SiC器件可以在較高的電壓下實施先前僅僅在較低電壓 (<600 V) 下才可行的應(yīng)用。與雙極 IGBT 相比，這些基于 SiC 的 MOSFET 可將功率損耗降低多達(dá) 80%。英飛凌進(jìn)一步優(yōu)化了
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專為工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計的MOSFET—TOLT封裝
- 近年來，工業(yè)應(yīng)用對MOSFET 的需求越來越高。從機械解決方案和更苛刻的應(yīng)用條件都要求半導(dǎo)體制造商開發(fā)出新的封裝方案和實施技術(shù)改進(jìn)。從最初的通孔封裝（插件）到 DPAK 或 D2PAK 等表面貼裝器件 (SMD)，再到最新的無引腳封裝，以及內(nèi)部硅技術(shù)的顯著改進(jìn)，MOSFET 解決方案正在不斷發(fā)展，以更好地滿足工業(yè)市場新的要求。本文介紹了 TOLT 的封裝方案、熱性能和電路板的可靠性。關(guān)鍵特性，主要優(yōu)勢和應(yīng)用目標(biāo)應(yīng)用市場英飛凌公司的 TOLT（JEDEC：HDSOP-16)，封裝OptiMOS? 5 功率
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宇宙輻射對OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評估
- 汽車行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進(jìn)，車載充電器（OBC）與DCDC轉(zhuǎn)換器（HV-LV DCDC）的應(yīng)用因此也迅猛發(fā)展，同應(yīng)對大多數(shù)工程挑戰(zhàn)一樣，設(shè)計人員把目光投向先進(jìn)技術(shù)，以期利用現(xiàn)代超結(jié)硅（Super Junction Si）技術(shù)以及碳化硅（SiC）技術(shù)來提供解決方案。在追求性能的同時，對于車載產(chǎn)品來說，可靠性也是一個重要的話題。在車載OBC/DCDC應(yīng)用中，高壓功率半導(dǎo)體器件用的越來越多。對于汽車級高壓半導(dǎo)體功率器件來說，門極氧化層的魯棒性和宇宙輻射魯棒性是可靠性非常重要的兩點。宇宙輻射很少被提及，但事實是無論
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ROHM開發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸、超低功耗的MOSFET
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET*1“RA1C030LD”，該產(chǎn)品非常適用于可穿戴設(shè)備、無線耳機等可聽戴設(shè)備、智能手機等輕薄小型設(shè)備的開關(guān)應(yīng)用。近年來，隨著小型設(shè)備向高性能化和多功能化方向發(fā)展，設(shè)備內(nèi)部所需的電量也呈增長趨勢，電池尺寸的增加，導(dǎo)致元器件的安裝空間越來越少。另外，電池的尺寸增加也是有限制的，為了更有效地利用有限的電池電量，就需要減少用電元器件的功率損耗。針對這種需求，開發(fā)易于小型化而且特性優(yōu)異的晶圓級芯片尺寸封裝的MOSF
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日本電子巨頭羅姆將量產(chǎn)下一代半導(dǎo)體：提高用電效率、增加電動車?yán)m(xù)航里程
- 據(jù)日本共同社日前報道， 日本電子零部件巨頭羅姆（ROHM）將于今年12月量產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體，以碳化硅（SiC）為原材料。據(jù)悉，羅姆花費約20年推進(jìn)研發(fā)碳化硅半導(dǎo)體。新一代半導(dǎo)體可讓可提高機器運轉(zhuǎn)的用電效率， 若裝在純電動汽車上，續(xù)航里程可提升一成，電池體積也可更小。據(jù)悉，羅姆將在福岡縣筑后市工廠今年開設(shè)的碳化硅功率半導(dǎo)體專用廠房實施量產(chǎn)，還計劃為增產(chǎn)投資最多2200億日元（約合人民幣114億元），并將2025年度的碳化硅銷售額上調(diào)至1100億日元。公開資料顯示， 碳化硅具備
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SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
- 富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計周期。在第三代半導(dǎo)體的實際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。前兩篇文章我們分別探討了SiC MOSFET的驅(qū)動電壓，以及SiC器件驅(qū)動設(shè)計中的寄生導(dǎo)通問題。本文作為系列文章的第三篇，會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較，給出分析和計算過程，供設(shè)計工程師在選擇功率開關(guān)器件時
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通過轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET，無需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問題
- 高壓功率系統(tǒng)設(shè)計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設(shè)計人員現(xiàn)在有機會在提高性能的同時，應(yīng)對所有其他挑戰(zhàn)。 在過去20年間，額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來越高，如今的1700V SiC產(chǎn)品便是在其成功的基礎(chǔ)上打造而成。技術(shù)的進(jìn)步推動終端設(shè)備取得了極大的發(fā)展；如今，隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出，
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RS瑞森半導(dǎo)體超高壓MOSFET 900V-1500V填補國內(nèi)市場空白
- 現(xiàn)階段半導(dǎo)體市場，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進(jìn)口品牌壟斷，并存在價格高、交付周期長等問題，為填補國內(nèi)該項系列產(chǎn)品的市場空白，瑞森半導(dǎo)體采用新型的橫向變摻雜技術(shù)，利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設(shè)計，研發(fā)出電壓更高、導(dǎo)通內(nèi)阻更低的超高壓系列MOS管，打破了進(jìn)口品牌壟斷的局面 。一、破局進(jìn)口品牌壟斷現(xiàn)階段半導(dǎo)體市場，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進(jìn)口品牌壟斷，并存在價格高、交付周期長等問題，為填補國內(nèi)該項系列產(chǎn)品的市場空白，瑞森半導(dǎo)體采用新型的橫向變摻雜技術(shù)，利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設(shè)
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以碳化硅技術(shù)牽引逆變器 延展電動車行駛里程
- 目前影響著車輛運輸和半導(dǎo)體技術(shù)的未來有兩大因素。業(yè)界正在采用令人振奮的新方法，即以潔凈的能源驅(qū)動我們的汽車，同時重新設(shè)計支撐電動車（EV）子系統(tǒng)的半導(dǎo)體材料，大幅提升功效比，進(jìn)而增加電動車的行駛里程。政府監(jiān)管機構(gòu)持續(xù)要求汽車OEM減少其車系的整體二氧化碳排放量，對于違規(guī)行為給予嚴(yán)厲的處罰，同時開始沿著道路和停車區(qū)域增設(shè)電動車充電基礎(chǔ)設(shè)施。但是，盡管取得了這些進(jìn)展，主流消費者仍然對電動車的行駛里程存有疑慮，使電動車的推廣受到阻力。更復(fù)雜的是，大尺寸的電動車電池雖然可以增加其行駛里程，緩解消費者關(guān)于行駛里程的
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單芯片驅(qū)動器+ MOSFET技術(shù) 改善電源系統(tǒng)設(shè)計
- 本文介紹最新的驅(qū)動器+ MOSFET（DrMOS）技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊（VRM）應(yīng)用中的優(yōu)勢。單芯片DrMOS組件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進(jìn)而增強最終應(yīng)用的整體性能。隨著技術(shù)的進(jìn)步，多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些組件需要的功率急劇增加。微處理器所需的此種電源由穩(wěn)壓器模塊（VRM）提供。在該領(lǐng)域，推動穩(wěn)壓器發(fā)展的主要有兩個參數(shù)。首先是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個參數(shù)是功率轉(zhuǎn)換效率，高
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安森美：聚焦SiC產(chǎn)能擴建，推出最新MOSFET產(chǎn)品
- 近日，安森美公布了2022年第三季度業(yè)績，其三季度業(yè)績直線上揚，總營收21.93億美元，同比增長25.86%；毛利10.58億美元，同比增長46.82%。財報數(shù)據(jù)顯示，其三大業(yè)務(wù)中，智能電源組營收為11.16億美元，同比增長25.1%；高級解決方案組營收7.34億美元，同比增長19.7%；智能感知組營收為3.42億美元，同比增長44.7%，三大業(yè)務(wù)全線保持增長。自安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury加入安森美后，安森美執(zhí)行了一系列的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，聚焦于智能電源和智能感知兩大領(lǐng)域，從傳統(tǒng)的I
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Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應(yīng)用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動的ASFET產(chǎn)品組合，推出10款全面優(yōu)化的25V和30V器件。新款器件將業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的安全工作區(qū)(SOA)性能與超低的RDS(on)相結(jié)合，非常適合用于12V熱插拔應(yīng)用，包括數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和通信設(shè)備。 多年來，Nexperia致力于將成熟的MOSFET專業(yè)知識和廣泛的應(yīng)用經(jīng)驗結(jié)合起來，增強器件中關(guān)鍵MOSFET的性能，滿足特定應(yīng)用的要求，以打造市場領(lǐng)先的ASFET。自ASFET推出以來，針對電池隔離(BMS)、直流
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