碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
安森美推出采用創(chuàng)新Top Cool封裝的MOSFET
- 2022年11月17日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布推出新系列MOSFET器件，采用創(chuàng)新的頂部冷卻，幫助設(shè)計人員解決具挑戰(zhàn)的汽車應(yīng)用，特別是電機控制和DC-DC轉(zhuǎn)換。 新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝，尺寸僅5mm x 7mm，在頂部有一個16.5 mm2的熱焊盤，可以將熱量直接散發(fā)到散熱器上，而不是通過傳統(tǒng)的印刷電路板（以下簡稱“PCB”）散熱。采用TCPAK57封裝能充分使用PCB的兩面，減少PCB發(fā)熱，從而提高功率密度
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安森美的碳化硅技術(shù)賦能純電動汽車VISION EQXX單次充電續(xù)航更遠
- 2022年11月16日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布梅賽德斯-奔馳在其主驅(qū)逆變器中采用安森美的碳化硅（以下簡稱“SiC”）技術(shù)，這是兩家公司戰(zhàn)略合作的一部分。安森美的VE-Trac SiC模塊提高了梅賽德斯-奔馳純電動汽車VISION EQXX主驅(qū)逆變器的能效并減輕了其重量，使電動汽車的續(xù)航里程增加10%。這款電動汽車完成了從德國斯圖加特到英國銀石的1,202公里（747英里）旅程，保持了單次充電后最遠的行駛距離記錄。VISION EQXX在電動車
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碳化硅器件在UPS中的應(yīng)用研究
- 本文分析了目前不間斷電源（UPS）在互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心中的應(yīng)用和發(fā)展趨勢。對目前熱門的碳化硅材料和英飛凌碳化硅技術(shù)做了介紹，并著重說明了碳化硅器件在UPS應(yīng)用中的優(yōu)勢。分析給出了目前UPS常用拓撲及方案，最后基于50 kW的逆變部分做了各方案的損耗分析。1.引 言互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心(Internet Data Center,IDC),是集中計算和存儲數(shù)據(jù)的場所，是為了滿足互聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)以及信息服務(wù)需求而構(gòu)建的應(yīng)用基礎(chǔ)設(shè)施。受新基建、數(shù)字經(jīng)濟等國家政策影響以及新一代信息技術(shù)發(fā)展的驅(qū)動，我國數(shù)據(jù)中心市場規(guī)模增長迅猛。隨著
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如何將第三代 SiC MOSFET 應(yīng)用于電源設(shè)計以提高性能和能效
- 在各種電源應(yīng)用領(lǐng)域，例如工業(yè)電機驅(qū)動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉(zhuǎn)換器、電池充電器、儲能系統(tǒng)等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來越嚴苛，已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構(gòu)應(yīng)運而生。在各種電源應(yīng)用領(lǐng)域，例如工業(yè)電機驅(qū)動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉(zhuǎn)換器、電池充電器、儲能系統(tǒng)等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來越嚴苛，已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而
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全SiC MOSFET模塊讓工業(yè)設(shè)備更小、更高效
- SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備應(yīng)用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器在內(nèi)的應(yīng)用需求，實現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。東芝推出并已量產(chǎn)的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊MG600Q2YMS3和MG400V2YMS3就是這樣的產(chǎn)品，其最大亮點是全SiC MOSFET模塊，不同于只用SiC SBD（肖
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AMP 創(chuàng)新型電動汽車充電解決方案：采用 Wolfspeed E-系列碳化硅器件
- 2022年11月14日，美國北卡羅來納州達勒姆市、加利福尼亞州洛杉磯市與中國上海市訊 -- 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布，電動交通電池管理和充電技術(shù)的全球引領(lǐng)者 AMP 公司將在其電動交通能量管理單元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。通過采用 Wolfspeed 創(chuàng)新型碳化硅技術(shù)，將助力 AMP 優(yōu)化電池性能、充電和成本。 AMP 公司硬件工程副總裁 Jia
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EEVIA媒體論壇之英飛凌：賦能未來汽車低碳化和數(shù)字化發(fā)展
- 在最近召開的EEVIA第十屆年度中國硬科技媒體論壇暨2022產(chǎn)業(yè)鏈研創(chuàng)趨勢展望研討會上，來自英飛凌安全互聯(lián)系統(tǒng)事業(yè)部的汽車級WiFi/BT及安全產(chǎn)品應(yīng)用市場管理經(jīng)理楊大穩(wěn)以“英飛凌賦能未來汽車低碳化和數(shù)字化發(fā)展“為題，詳細介紹了英飛凌在汽車電子領(lǐng)域的相關(guān)產(chǎn)品和未來趨勢。 新能源車是全球汽車市場增長最快也是需求最旺盛的領(lǐng)域，特別是在中國這個全球產(chǎn)銷第一的市場，2022年國有品牌汽車占據(jù)近一半的中國汽車市場份額，最大的驅(qū)動力是來自于新能源車和電動車。可以預(yù)想，隨著政府和車廠的支持，電動車未來幾年會迎
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Qorvo? 與 SK Siltron CSS 宣布達成長期碳化硅供應(yīng)協(xié)議
- 中國北京 – 2022 年 11 月 8 日–移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）與半導(dǎo)體晶圓制造商 SK Siltron CSS 今日宣布，雙方已簽署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供應(yīng)協(xié)議。此次合作將提高半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的彈性，并更好地滿足汽車市場對先進碳化硅解決方案迅速增長的需求。隨著客戶采用 Qorvo 業(yè)界領(lǐng)先的第 4 代 SiC FET 解決方案，該協(xié)議還會為他們提供更好的保護并增強其信心。SiC 器件
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SEMICON China | 探討熱點與前沿技術(shù) ，功率及化合物半導(dǎo)體論壇2022圓滿舉辦
- 11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半導(dǎo)體國際論壇2022”在上海國際會議中心成功舉辦。共有19位來自功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)先企業(yè)的講師親臨現(xiàn)場做報告分享。此次論壇重點討論的主題包括：開幕演講，化合物半導(dǎo)體與光電及通訊，寬禁帶半導(dǎo)體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國區(qū)總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示：“在大家的支持下，功率及化合物半導(dǎo)體國際論壇從2016年開始首辦，今年已經(jīng)是第七屆。在嚴格遵守防疫規(guī)定的前提下，希望大家能在SEMI的平臺上充分交流。不經(jīng)歷風雨，怎么能
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SiC助力軌道交通駛向“碳達峰”
- 當前，全球主要國家和地區(qū)都已經(jīng)宣布了“碳達峰”的時間表。在具體實現(xiàn)的過程中，軌道交通將是一個重要領(lǐng)域。由于用能方式近乎100%為電能，且?guī)哟罅炕A(chǔ)設(shè)施建設(shè)，因此軌道交通的“碳達峰”雖然和工業(yè)的“碳達峰”路徑有差異，但總體實現(xiàn)時間將較為接近。在中國，這個時間節(jié)點是2030年之前。當然，“碳達峰”在每一個領(lǐng)域都有狹義和廣義的區(qū)分，比如在工業(yè)領(lǐng)域，一方面是重點企業(yè)自身通過節(jié)能+綠電的方式實現(xiàn)“碳達峰”，另一方面也需要圍繞重點企業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈上下游全面實現(xiàn)能耗降低。對于軌道交通也是如此，狹義層面的軌交工具，以及廣義
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碳化硅（SiC）電源管理解決方案搭配可配置數(shù)字柵極驅(qū)動技術(shù)助力實現(xiàn)“萬物電氣化”
- 綠色倡議持續(xù)推動工業(yè)、航空航天和國防應(yīng)用，尤其是運輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動各種車輛和飛機實現(xiàn)電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。 碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機的氣動和液壓系統(tǒng)，為機載交流發(fā)電機、執(zhí)行機構(gòu)和輔助動力裝置（APU）供電。這類解決方案還可以減少這些系統(tǒng)的維護需求。但是，SiC技術(shù)最顯著的貢獻體現(xiàn)在其所肩負實現(xiàn)商用運輸車輛電氣化的使命上，這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬
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士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線初步通線，首個SiC器件芯片投片成功
- 10月24日，士蘭微發(fā)布公告稱，近期，士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線已實現(xiàn)初步通線，首個SiC器件芯片已投片成功，首批投片產(chǎn)品各項參數(shù)指標達到設(shè)計要求，項目取得了階段性進展。士蘭明鎵正在加快后續(xù)設(shè)備的安裝、調(diào)試，目標是在今年年底形成月產(chǎn)2000片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。士蘭微表示，公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)的開發(fā)，性能指標達到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅(qū)功率模塊上，參數(shù)指標較好，繼續(xù)完成評測，即將向客戶送樣。據(jù)了解，2017年12月1
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認識線性功率MOSFET
- 本文針對MOSFET的運作模式，組件方案，以及其應(yīng)用范例進行說明，剖析標準MOSFET的基本原理、應(yīng)用優(yōu)勢，與方案選擇的應(yīng)用思考。線性MOSFET是線性模式應(yīng)用時最合適的選擇，能夠確保可靠的運作。然而，用于線性模式應(yīng)用時，標準MOSFET容易產(chǎn)生電熱不穩(wěn)定性，從而可能導(dǎo)致組件損壞。A類音訊放大器、主動式DC-link放電、電池充放電、浪涌電流限制器、低電壓直流馬達控制或電子負載等線性模式應(yīng)用，都要求功率 MOSFET組件在電流飽和區(qū)內(nèi)運行。了解線性模式運作在功率 MOSFET 的線性工作模式下，高電壓和高
- 關(guān)鍵字： Littelfuse 線性功率 MOSFET
電源系統(tǒng)設(shè)計優(yōu)化秘技:單片驅(qū)動器+MOSFET(DrMOS)
- 現(xiàn)階段，多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，令這些器件所需功率急劇增加，直接導(dǎo)致向微處理器供電的穩(wěn)壓器模塊(VRM)的升級需求：一是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率）升級，為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度；另一是功率轉(zhuǎn)換效率提升，高效率可降低功率損耗并改善熱管理。目前電源行業(yè)一種公認的解決方案，是將先進的開關(guān)MOSFET（穩(wěn)壓器的主要組成部分）及其相應(yīng)的驅(qū)動器集成到單個芯片中并采用高級封裝，從而實現(xiàn)緊湊高效的功率轉(zhuǎn)換。這種DrMOS功率級優(yōu)化了高速功率轉(zhuǎn)換。隨著對這
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