碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

上海貝嶺為USB-PD應(yīng)用提供高性能驅(qū)動(dòng)IC和MOSFET解決方案

智能化便攜式電子設(shè)備諸如智能手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦等的不斷更新?lián)Q代，功能越來越豐富，隨之帶來了耗電量急劇上升的挑戰(zhàn)。然而，在現(xiàn)有電池能量密度還未取得突破性進(jìn)展的背景下，人們開始探索更快的電量補(bǔ)給，以高效充電來壓縮充電時(shí)間，降低充電的時(shí)間成本，從而換取設(shè)備的便攜性，提升用戶體驗(yàn)。目前，USB-PD是最為主流的快充技術(shù)。該技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)具有18W、20W、35W、65W和140W等多種功率規(guī)格，以及5V、9V、12V和20V等多種電壓輸出。靈活的電壓電流輸出配置讓各種電子設(shè)備都能通過一條USB-TYPE C線纜
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使用TI功能安全柵極驅(qū)動(dòng)器提高SiC牽引逆變器的效率

隨著電動(dòng)汽車 (EV) 制造商競(jìng)相開發(fā)成本更低、行駛里程更長(zhǎng)的車型，電子工程師面臨降低牽引逆變器功率損耗和提高系統(tǒng)效率的壓力，這樣可以延長(zhǎng)行駛里程并在市場(chǎng)中獲得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。功率損耗越低則效率越高，因?yàn)樗鼤?huì)影響系統(tǒng)熱性能，進(jìn)而影響系統(tǒng)重量、尺寸和成本。隨著開發(fā)的逆變器功率級(jí)別更高，每輛汽車的電機(jī)數(shù)量增加，以及卡車朝著純電動(dòng)的方向發(fā)展，人們將持續(xù)要求降低系統(tǒng)功率損耗。過去，牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有比IGBT更高
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電動(dòng)汽車東風(fēng)起，Wolfspeed、安森美等頭部大廠碳化硅投資加速

碳化硅的發(fā)展與電動(dòng)汽車的快速發(fā)展緊密相連，隨著新能源汽車的加速滲透，以及自動(dòng)駕駛技術(shù)的升級(jí)演變，車用芯片需求不斷上升，第三代半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)重要性愈發(fā)凸顯。Wolfspeed、安森美、意法半導(dǎo)體作為碳化硅領(lǐng)域的頭部企業(yè)，其動(dòng)態(tài)是行業(yè)的重要風(fēng)向標(biāo)，近期三家企業(yè)均發(fā)表了對(duì)碳化硅行業(yè)的積極展望，反映車規(guī)級(jí)碳化硅產(chǎn)品的滲透率情況好于預(yù)期。Wolfspeed將建造全球最大碳化硅材料工廠近日，碳化硅廠商Wolfspeed公司表示，隨著需求的激增，其將在北卡羅來納州查塔姆縣建造一座價(jià)值數(shù)十億美元的新工廠，以生產(chǎn)為電動(dòng)汽
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第三代半導(dǎo)體頭部企業(yè)基本半導(dǎo)體完成C4輪融資,全力加速產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程

2022年9月20日，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體碳化硅頭部企業(yè)——基本半導(dǎo)體完成C4輪融資，由新股東德載厚資本、國(guó)華投資、新高地等機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資，現(xiàn)有股東屹唐長(zhǎng)厚、中美綠色基金等機(jī)構(gòu)繼續(xù)追加投資。本輪融資將用于進(jìn)一步加強(qiáng)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)的研發(fā)制造能力，提升產(chǎn)能規(guī)模，支撐碳化硅產(chǎn)品在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等市場(chǎng)的大規(guī)模應(yīng)用，全方位提升基本半導(dǎo)體在碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。這是基本半導(dǎo)體在今年完成的又一輪融資。6月和7月，該公司分別完成了C2和C3輪兩輪融資。連續(xù)多輪資本的加持，充分印證了基本半導(dǎo)體在業(yè)務(wù)加速拓
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第三代半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)，硅的時(shí)代要結(jié)束了嗎

半導(dǎo)體寒氣襲人知誰(shuí)暖？芯片行業(yè)的砍單潮已經(jīng)將寒氣傳遞給了眾多企業(yè)，三星半導(dǎo)體部門負(fù)責(zé)人Kyung Kye-hyun就預(yù)計(jì)芯片銷售大幅下滑態(tài)勢(shì)將延續(xù)至明年；野村證券最近也將今年全球芯片出貨成長(zhǎng)率由原先預(yù)估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%擴(kuò)大至衰退6%；費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù) (SOX)近6個(gè)月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此時(shí)，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料卻在迎來市場(chǎng)倍增與產(chǎn)能擴(kuò)張。安森美二季度財(cái)報(bào)發(fā)布后，就將其2022年碳化硅營(yíng)收預(yù)期上調(diào)為“同比增長(zhǎng)3倍”，而
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貿(mào)澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

2022年9月23日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo?收購(gòu)）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時(shí)提高系統(tǒng)功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車載充電器、軟開關(guān)DC/DC
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測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng)：一般測(cè)量方法

SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?如果將延長(zhǎng)電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進(jìn)行測(cè)量，在開關(guān)速度較快時(shí)
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東芝推出面向更高效工業(yè)設(shè)備的第三代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開始出貨。新產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現(xiàn)導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標(biāo)。這樣可以將開關(guān)損耗減少大約
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安森美慶祝在新罕布什爾州擴(kuò)張?zhí)蓟韫S

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，昨天美國(guó)時(shí)間舉行了剪彩儀式，慶祝其位于新罕布什爾州哈德遜 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工廠的落成。該基地將使安森美到2022年底的SiC晶圓產(chǎn)能同比增加五倍，在哈德遜的員工人數(shù)幾乎翻兩番。此擴(kuò)張使安森美能完全控制其SiC制造供應(yīng)鏈，從SiC粉末和石墨原料的采購(gòu)，到封裝好的SiC器件的交付。這使安森美能為其客戶提供必要的供應(yīng)保證，以滿足對(duì)基于SiC的方案迅速增長(zhǎng)的需求。SiC對(duì)于提高電
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UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo收購(gòu)）為功率設(shè)計(jì)擴(kuò)展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對(duì)快速增長(zhǎng)的車載充電器、軟開關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務(wù)器電源應(yīng)用實(shí)現(xiàn)量身定制。它們采用熱性能增強(qiáng)型封裝，為需求最大效率、低傳導(dǎo)損失和高性價(jià)比的高功耗應(yīng)用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下，第四
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Nexperia發(fā)布具備市場(chǎng)領(lǐng)先效率的晶圓級(jí)12和30V MOSFET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號(hào)Trench MOSFET，該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級(jí)DSN1006封裝，具有市場(chǎng)領(lǐng)先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續(xù)航運(yùn)行至關(guān)重要的情況下，可使電力更為持久。新型MOSFET非常適合智能手機(jī)、智能手表、助聽器和耳機(jī)等高度小型化電子產(chǎn)品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢(shì)，滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。 RDS(on)與競(jìng)爭(zhēng)器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負(fù)載開關(guān)
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單片驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)如何改善電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

本文介紹最新的驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進(jìn)而增強(qiáng)最終應(yīng)用的整體性能。引言隨著技術(shù)的進(jìn)步，多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些器件需要的功率急劇增加。微處理器所需的這種電源由穩(wěn)壓器模塊(VRM)提供。在該領(lǐng)域，推動(dòng)穩(wěn)壓器發(fā)展的主要有兩個(gè)參數(shù)。首先是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個(gè)參數(shù)是功率轉(zhuǎn)換效率
關(guān)鍵字： ADI MOSFET 電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

UnitedSiC（現(xiàn)為 Qorvo）針對(duì)電源設(shè)計(jì)擴(kuò)展更高性能和效率的750V SiC FET 產(chǎn)品組合

Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項(xiàng)，Qorvo 的 SiC FET可為車載充電器、軟開關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）以及IT/服務(wù)器電源等快速增長(zhǎng)的應(yīng)用量身定制，能夠?yàn)樵跓嵩鰪?qiáng)型封裝中實(shí)現(xiàn)更高效率、低傳導(dǎo)損耗和卓越成本效益的高功率應(yīng)用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時(shí)具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、
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功率半導(dǎo)體組件的主流爭(zhēng)霸戰(zhàn)

功率半導(dǎo)體組件與電源、電力控制應(yīng)用有關(guān)，特點(diǎn)是功率大、速度快，有助提高能源轉(zhuǎn)換效率，多年來，功率半導(dǎo)體以硅（Si）為基礎(chǔ)的芯片設(shè)計(jì)架構(gòu)成為主流，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導(dǎo)體材料出現(xiàn)，讓功率半導(dǎo)體組件的應(yīng)用更為多元，效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點(diǎn)高功率組件應(yīng)用研發(fā)聯(lián)盟秘書長(zhǎng)林若蓁博士（現(xiàn)職為臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)研究院研究一所副所長(zhǎng)）指出，功率半導(dǎo)體組件是電源及電力控制應(yīng)用的核心，具有降低導(dǎo)通電阻、提升電力轉(zhuǎn)換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管）與IGBT（絕緣
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碳化硅助力電動(dòng)汽車的續(xù)航和成本全方位優(yōu)化

與傳統(tǒng)的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于擁有低導(dǎo)通電阻特性以及出色的耐高溫、高頻和耐高壓性能，已經(jīng)成為下一代低損耗半導(dǎo)體可行的候選器件。此外，SiC 讓設(shè)計(jì)人員能夠減少元器件的使用，從而進(jìn)一步降低了設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度。SiC 元器件的低導(dǎo)通電阻特性有助于顯著降低設(shè)備的能耗，從而有助于設(shè)計(jì)出能夠減少 CO2 排放量的環(huán)保型產(chǎn)品和系統(tǒng)。羅姆在 SiC 功率元器件和模塊的開發(fā)領(lǐng)域處于先進(jìn)地位，這些器件和模塊在許多行業(yè)的應(yīng)用中都實(shí)現(xiàn)了更佳的節(jié)能效果。水原德健, 羅姆半導(dǎo)體（北京）有限公司技術(shù)中心總經(jīng)理
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