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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

          羅姆SiC評(píng)估板測評(píng):射頻熱凝控制儀測試

          • 測試設(shè)備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源,只能使用一般的電源,且手上只有一個(gè)低壓直流穩(wěn)壓源,所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電,又用于半橋母線電源。②電子負(fù)載半橋電源電源的輸出負(fù)載,可恒流或者恒壓或者恒負(fù)載,測試電源的帶載能力非常好用。③信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號(hào),用于MOS管的驅(qū)動(dòng)④示波器觀察驅(qū)動(dòng)信號(hào)、輸出信號(hào)、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點(diǎn)的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓?fù)鋵⒄f明書中電路按照上述描述修改:兩個(gè)直流電源換成CBB電容,在Hvdc母線上加上12V電
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

          羅姆SiC評(píng)估板測評(píng):基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術(shù)研究

          • 感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評(píng)估板,有幸參與評(píng)估板的測試。拿到評(píng)估板的第一感覺就是扎實(shí),評(píng)估板四層PCB的板子厚度達(dá)到了30mm;高壓區(qū)域也有明顯的標(biāo)識(shí)。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

          SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)解析

          • 本文將對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  

          碳化硅MOSFET晶體管的特征

          • 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化,一直在進(jìn)行各種改良。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  

          SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

          • 本文對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進(jìn)行說明。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  SBD  

          SiC-SBD與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較

          • 反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù),所以不僅要比較trr的數(shù)值,還要理解其波形和溫度特性,這樣有助于有效使用二極管。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  SBD  

          SiC肖特基勢壘二極管的特征,及與Si二極管的比較

          • 繼SiC功率元器件的概述之后,將針對具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  SiC  SBD  肖基特二極管  

          SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)

          • SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  

          什么是碳化硅?SiC的特性和特征

          • 碳化硅(SiC)是比較新的半導(dǎo)體材料。本文來了解一下它的物理特性和特征。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  

          ST先進(jìn)SiC牽引電機(jī)逆變器解決方案

          • 意法半導(dǎo)體(ST)作為全球領(lǐng)先的汽車半導(dǎo)體供應(yīng)商之一,多年前就開始布局新能源汽車領(lǐng)域,在2019年正式成立新能源車技術(shù)創(chuàng)新中心,推出了SiC牽引電機(jī)逆變器的整體解決方案。該方案按照功能安全I(xiàn)S026262標(biāo)準(zhǔn)流程開發(fā),滿足ASIL D等級(jí)?;贏utoSAR的軟件架構(gòu)和模型化的軟件算法,為客戶前期方案評(píng)估和后續(xù)開發(fā)提供了便利,大大縮短了整個(gè)研發(fā)周期。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  牽引逆變器  

          ST第三代碳化硅技術(shù)問世 瞄準(zhǔn)汽車與工業(yè)市場應(yīng)用

          • 電源與能源管理對人類社會(huì)未來的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI說明,從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長,我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實(shí)現(xiàn)這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標(biāo)。?圖二圖三顯示的是一些關(guān)于如何利用電力科技實(shí)現(xiàn)各種節(jié)能目標(biāo)的具體數(shù)據(jù),圖中是對全球電力消耗狀況的統(tǒng)計(jì)。僅就工業(yè)領(lǐng)域來說,如果能將電力利用效率提升1%,
          • 關(guān)鍵字: ST  碳化硅  汽車  工業(yè)  SiC  

          ST:發(fā)展碳化硅技術(shù) 關(guān)鍵在掌控整套產(chǎn)業(yè)鏈

          • 電源與能源管理對人類社會(huì)未來的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI指出,由于全球能源需求正在不斷成長,我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實(shí)現(xiàn)這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標(biāo)。 意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領(lǐng)域來說,如果能將電力利用效率提升1%,就能節(jié)省95.
          • 關(guān)鍵字: ST  GaN  SiC  

          躋身第三代半導(dǎo)體市場 ST助力全球碳中和

          •   隨著第三代半導(dǎo)體的工藝越來越成熟和穩(wěn)定,應(yīng)用在工業(yè)和電動(dòng)汽車上的產(chǎn)品也變得多樣化。作為半導(dǎo)體行業(yè)中的佼佼者,意法半導(dǎo)體同樣重視第三代半導(dǎo)體帶來的優(yōu)勢作用,推出了有關(guān)氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的一系列產(chǎn)品,有力地推動(dòng)了第三代半導(dǎo)體在電動(dòng)汽車和工業(yè)領(lǐng)域上的應(yīng)用發(fā)展。2022年2月意法半導(dǎo)體召開媒體交流會(huì),介紹了意法半導(dǎo)體在全球碳中和理念的背景下,如何通過創(chuàng)新技術(shù)和推出新的產(chǎn)品系列,為世界控制碳排放做出貢獻(xiàn)。  據(jù)調(diào)查,工業(yè)領(lǐng)域中將電力利用效率提升1%,就能節(jié)約95.6億千瓦時(shí)的能源。這意味著節(jié)約了
          • 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體  ST  碳化硅  氮化鎵  202203  

          非互補(bǔ)有源鉗位可實(shí)現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計(jì)

          • 離線反激式電源在變壓器初級(jí)側(cè)需要有鉗位電路(有時(shí)稱為緩沖器),以在正常工作期間功率MOSFET開關(guān)關(guān)斷時(shí)限制其兩端的漏源極電壓應(yīng)力。設(shè)計(jì)鉗位電路時(shí)可以采用不同的方法。低成本的無源網(wǎng)絡(luò)可以有效地實(shí)現(xiàn)電壓鉗位,但在每個(gè)開關(guān)周期必須耗散鉗位能量,這會(huì)降低效率。一種改進(jìn)的方法就是對鉗位和功率開關(guān)采用互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)的有源鉗位技術(shù),使得能效得以提高,但它們會(huì)對電源的工作模式帶來限制(例如,無法工作于CCM工作模式)。為了克服互補(bǔ)有源鉗位電路所帶來的設(shè)計(jì)限制,可以采用另外一種更先進(jìn)的控制技術(shù),即非互補(bǔ)有源鉗位。該技術(shù)可確保以
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  

          擴(kuò)展新應(yīng)用領(lǐng)域,PI推出首款汽車級(jí)開關(guān)電源IC

          •   2022年2月15日,Power Integrations召開新品發(fā)布會(huì),推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車級(jí)高壓開關(guān)IC——InnoSwitch3-AQ 1700V。新產(chǎn)品是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級(jí)開關(guān)MOSFET的汽車級(jí)開關(guān)電源IC,可提供高達(dá)70W的輸出功率,主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車,以及電動(dòng)巴士、卡車和各種工業(yè)電源應(yīng)用。在ACDC消費(fèi)類應(yīng)用中積累了深厚經(jīng)驗(yàn)的Power Integrations,此次將目光聚焦到電動(dòng)汽車領(lǐng)域的ACDC應(yīng)用上
          • 關(guān)鍵字: PI  MOSFET  電動(dòng)汽車  ACDC  開關(guān)電源  
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          碳化硅(sic)mosfet介紹

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