碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
安森美在ASPENCORE全球電子成就獎和EE Awards Asia贏得頭籌
- 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi)近日宣布其NCP51561隔離SiC MOSFET門極驅(qū)動器獲ASPENCORE全球電子成就獎（WEAA）的功率半導體/驅(qū)動器類獎項。WEAA項目表彰對全球電子行業(yè)的創(chuàng)新和發(fā)展做出杰出貢獻的企業(yè)和個人，由ASPENCORE全球分析師及其用戶社群選出獲獎?wù)?。安森美同時宣布其壓鑄模功率集成模塊（TM-PIM）獲EE Awards Asia的功率IC產(chǎn)品類獎項，同時公司以其先進的汽車方案和智能電源產(chǎn)品獲得最孚眾望的電動車(EV)功率半導體供應商獎。EE Awa
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深化碳中和愿景下的中歐科技創(chuàng)新合作
- 11月27日， 由中國科學技術(shù)協(xié)會與深圳市人民政府共同主辦，由中國科協(xié)企業(yè)創(chuàng)新服務(wù)中心、深圳市科學技術(shù)協(xié)會承辦、深圳市科技交流服務(wù)中心、深圳基本半導體有限公司、深圳中歐創(chuàng)新中心執(zhí)行的“2021中歐科技創(chuàng)新合作發(fā)展論壇”專業(yè)論壇——“2021中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳隆重舉行。論壇上，來自國內(nèi)及英國、法國、比利時等國際知名的科學家、科技組織、科研院校、行業(yè)協(xié)會、半導體企業(yè)及投資機構(gòu)等泛第三代半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的代表參與大會，共同探討中歐第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展和應用現(xiàn)況及未來趨勢，并就如何深化“碳中和”目標
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2021基本創(chuàng)新日盛大開啟 碳化硅系列新品重磅發(fā)布
- 新基建和“雙碳”戰(zhàn)略目標推動下，第三代半導體產(chǎn)業(yè)正在開啟發(fā)展加速度，有望成為綠色經(jīng)濟的中流砥柱，引領(lǐng)新一輪產(chǎn)業(yè)革命?！皠?chuàng)新為基，創(chuàng)芯為本”，11月27日，2021基本創(chuàng)新日活動在深圳盛大啟幕。基本半導體總經(jīng)理和巍巍博士在會上發(fā)布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品，至此基本半導體產(chǎn)品布局進一步完善，產(chǎn)品競爭力再度提升，將助力國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)進一步發(fā)展，受到了現(xiàn)場來自汽車、工業(yè)、消費等領(lǐng)域以及第三代半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的多位業(yè)內(nèi)人士的高度關(guān)注。汽車級全碳化硅功
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東芝推出用于IGBT／MOSFET柵極驅(qū)動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動IC。這兩款器件于近日開始支持批量出貨。TLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米（最大值）的薄性封裝（SO6L）可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產(chǎn)品。傳統(tǒng)采用緩沖電路進行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設(shè)備，現(xiàn)在可直接通過該光耦驅(qū)動其IGBT／MOSFET而無需任何緩沖器。這將有助于減少部件數(shù)量并實現(xiàn)設(shè)計小型
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非常見問題第191期：負載點DC-DC轉(zhuǎn)換器解決電壓精度、效率和延遲問題
- 問題：為什么使用DC-DC轉(zhuǎn)換器應盡可能靠近負載的負載點(POL)電源？答案：效率和精度是兩大優(yōu)勢，但實現(xiàn)POL轉(zhuǎn)換需要特別注意穩(wěn)壓器設(shè)計。接近電源。這是提高電源軌的電壓精度、效率和動態(tài)響應的最佳方法之一。負載點轉(zhuǎn)換器是一種電源DC-DC轉(zhuǎn)換器，放置在盡可能靠近負載的位置，以接近電源。因POL轉(zhuǎn)換器受益的應用包括高性能CPU、SoC和FPGA——它們對功率級的要求都越來越高。例如，在汽車應用中，高級駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)——例如雷達、激光雷達和視覺系統(tǒng)——中使用的傳感器數(shù)量在穩(wěn)步倍增，導致需要更快的數(shù)
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Diodes Incorporated 目標電動汽車產(chǎn)品應用推出高電流 TOLL MOSFETs
- Diodes 公司為金屬氧化物半導體場效晶體管 (MOSFET) 近日推出節(jié)省空間、高熱效率的 TOLL (PowerDI?1012-8) 封裝，能在 175°C、100 瓦等級的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下運作，另外，80 瓦等級的 DMTH8001STLWQ 金屬氧化物半導體場效晶體管 (MOSFET) 比 TO263 占據(jù)的 PCB 面積少了百分之二十。產(chǎn)品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。這特色讓產(chǎn)品成為高可靠性電力產(chǎn)品應用的最佳選擇，像是能量熱回
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意法半導體端口保護IC為STM32 USB-C雙角色輸電量身定制
- 意法半導體TCPP03-M20 USB Type-C端口保護 IC為雙角色輸電(DRP)應用量身定制，針對能給相連設(shè)備充電又能接受其他 USB-C電源的雙向充放電產(chǎn)品，可以簡化其設(shè)計。作為有ST UCPD (USB Type-C 和Power Delivery)接口IP模塊的 STM32G0*、STM32G4、STM32L5 和 STM32U5 微控制器的配套芯片，TCPP03-M20讓設(shè)計者以經(jīng)濟劃算的方式進行USB Type-C 接口硬件分區(qū)，實現(xiàn)以 STM32 為主微控制器的雙芯片解決方案，從而節(jié)省
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SRII重磅亮相CICD 2021，以先進ALD技術(shù)賦能第三代半導體產(chǎn)業(yè)
- 功率器件作為半導體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術(shù)分類以及應用場景。例如，傳統(tǒng)的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產(chǎn)品經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展，占據(jù)了絕對領(lǐng)先的市場份額。不過，隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、儲能、手機快充等應用的興起，擁有更高耐壓等級、更高開關(guān)頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業(yè)界的持續(xù)關(guān)注。如今，在生產(chǎn)工藝不斷優(yōu)化、成本持續(xù)降低的情況下，老牌大廠與初創(chuàng)企業(yè)紛紛加碼第三代半導體，SiC和GaN功率器件開始投入批量應用，并迎來了關(guān)鍵的產(chǎn)能爬坡階段。作為半
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Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列
- 基礎(chǔ)半導體元器件領(lǐng)域的專家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應商Nexperia而言是一項戰(zhàn)略性舉措，旨在擴展高壓寬禁帶半導體器件產(chǎn)品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級器件，重復反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續(xù)正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉(zhuǎn)換應用實現(xiàn)超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列
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提高遲滯，實現(xiàn)平穩(wěn)的欠壓和過壓閉鎖
- 電阻分壓器可將高電壓衰減至低壓電路能夠承受的電平，且低壓電路不會出現(xiàn)過載或損壞。在功率路徑控制電路中，電阻分壓器有助于設(shè)置電源欠壓和過壓閉鎖閾值。這種電源電壓驗證電路常見于汽車系統(tǒng)、便攜式電池供電儀器儀表以及數(shù)據(jù)處理和通信板中。欠壓閉鎖(UVLO)可防止下游電子系統(tǒng)在異常低的電源電壓下工作，避免導致系統(tǒng)故障。例如，當電源電壓低于規(guī)格要求時，數(shù)字系統(tǒng)可能性能不穩(wěn)定，甚至死機。當電源為可充電電池時，欠壓閉鎖可防止電池因深度放電而受損。過壓閉鎖(OVLO)可保護系統(tǒng)免受破壞性地高電源電壓的影響。由于欠壓和過壓閾
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基于eGaN FET的2 kW、48V/12V DC/DC轉(zhuǎn)換器演示板，讓設(shè)計師實現(xiàn)用于輕度混合動力汽車的更高效、更小、更快的雙向轉(zhuǎn)換器
- EPC9163是一款兩相48 V/12 V雙向轉(zhuǎn)換器，可提供2 kW的功率和實現(xiàn)96.5%的效率，是適用于輕度混合動力汽車和備用電池裝置的小型化解決方案。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC9163，這是一款 2 kW、兩相的48 V /12 V雙向轉(zhuǎn)換器演示板，可在非常小的占板面積上實現(xiàn) 96.5%的效率。該演示板的設(shè)計具有可擴展性 - 并聯(lián)兩個轉(zhuǎn)換器可以實現(xiàn)4 kW的功率，或者并聯(lián)三個轉(zhuǎn)換器以實現(xiàn)6 kW。該板采用8個100 V 的eGaN?FET（EPC2218），并由模塊控制，該模塊采用Mic
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Qorvo?收購領(lǐng)先的碳化硅功率半導體供應商UnitedSiC公司
- 移動應用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領(lǐng)先供應商Qorvo?,Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今天宣布，已收購位于新澤西州普林斯頓領(lǐng)先碳化硅（SiC）功率半導體供應商UnitedSiC公司。對UnitedSiC的收購擴大了Qorvo在快速增長的電動汽車（EV）、工業(yè)電源、電路保護、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源市場的影響力。UnitedSiC公司將成為Qorvo基礎(chǔ)設(shè)施和國防產(chǎn)品（IDP）業(yè)務(wù)之一，將由Chris Dries博士領(lǐng)導，他曾是UnitedSiC公司的總裁兼首席執(zhí)行官，現(xiàn)任Qorv
- 關(guān)鍵字： SiC 電源
添加靈活的限流功能
- 問題：我可以根據(jù)負載輕松而精確地進行限流嗎？答案：可以使用限流IC進行限流。在一些電源管理應用中，需要精確地限制電流。無論是要保護電源（例如，中間電路電壓需要過載保護以便能夠可靠地為其他系統(tǒng)部件提供電能），還是在故障情況下保護可能由于過流而造成損壞的負載，都需要精確地限制電流。在尋找合適的DC-DC負載點穩(wěn)壓器來滿足此要求時，我們發(fā)現(xiàn)市面上具有可調(diào)限流功能的電壓轉(zhuǎn)換器很少見?？烧{(diào)限流功能在采用外部電源開關(guān)的控制器設(shè)計中更加常見，而所有的集成解決方案很少提供此類功能。而且，可調(diào)限流功能的精度通常不是很高。以
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使用無損耗過零點檢測功能提高智能家居和智能建筑(HBA)應用中的AC輸入開關(guān)效率和可靠性
- 在越來越多的應用中，對導通和關(guān)斷AC輸入電源的器件的性能進行優(yōu)化是一個重要考慮因素，這些應用包括智能家居/智能建筑(HBA)、支持物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的家電、智能開關(guān)和插頭、調(diào)光器和人體感應傳感器，特別適用于采用繼電器或可控硅進行功率控制的設(shè)計。當AC電源異步導通或關(guān)斷而不考慮其所處的電壓時，效率和可靠性會受到不利影響，必須添加電路以保護開關(guān)免受高瞬態(tài)電流的影響。當AC電源異步導通時，浪涌電流可能超過100A。反復暴露于高浪涌電流會對繼電器和可控硅的可靠性和使用壽命產(chǎn)生負面影響。電觸點的預期壽命因浪涌電流需求
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碳化硅(sic)mosfet介紹
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