碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
Vishay攜最新MOSFET、IC、無源器件和二極管技術(shù)亮相APEC 2019
- 2019年3月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，將在3月17日-21日于加利福尼亞州阿納海姆(Anaheim，California)舉行的2019年國際應(yīng)用電力電子展會(huì)(APEC)上展示其強(qiáng)大產(chǎn)品陣容。Vishay展位設(shè)在411展臺(tái)，將展示適用于廣泛應(yīng)用領(lǐng)域的最新業(yè)內(nèi)領(lǐng)先功率IC、無源器件、二極管和MOSFET技術(shù)?！ ≡贏PEC 2019上展示的Vishay Siliconix電源IC包括SiC9xx microBR
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滿足新能源汽車應(yīng)用的SiC MOSFET系列產(chǎn)品
- 世紀(jì)金光是國內(nèi)首家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導(dǎo)體企業(yè)。產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈，包括：電子級(jí)碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應(yīng)用，形成了較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈體系，正在大力進(jìn)行垂直整合，全面推進(jìn)從產(chǎn)業(yè)源頭到末端的全鏈貫通?！ ≈饕獞?yīng)用 w高效服務(wù)器電源 w新能源汽車 w充電樁充電模組 w光伏逆變器 w工業(yè)電機(jī) w智能電網(wǎng) w航空航天 SiC MOSFET系列 產(chǎn)品覆蓋額定電壓650-1200V，額定電流30-92A，可滿足多
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集邦咨詢：需求持續(xù)擴(kuò)張，2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逾2,900億元
- Mar. 7, 2019 ---- 全球市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢?cè)谧钚隆吨袊雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》中指出，受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià)，帶動(dòng)了2018年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣，較2017年同比增長8%?！ 〖钭稍兎治鰩熤x瑞峰指出，功率半導(dǎo)體作為需求驅(qū)動(dòng)型的產(chǎn)業(yè)，2019年
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碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
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Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器，可最大程度提高效率及安全性
- 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動(dòng)級(jí)。新品件經(jīng)過設(shè)定后可支持不同的門極驅(qū)動(dòng)電壓，來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應(yīng)用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅(qū)動(dòng)器、電焊機(jī)和電源?！ IC1182K可在125°C結(jié)溫下提供8
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貿(mào)澤開售STMicroelectronics MDmesh M6高效超結(jié)MOSFET
- 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體與電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨STMicroelectronics (ST) 的MDmesh? M6系列 超結(jié)晶體管。MDmesh M6系列MOSFET針對(duì)提高中等功率諧振軟開關(guān)和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器拓?fù)淠苄ФO(shè)計(jì)，可提高電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)動(dòng)器、電信和服務(wù)器電源以及太陽能 微型逆變器等設(shè)備的功率密度?！ ≠Q(mào)澤電子供應(yīng)的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效，從而增加功率密度。該系列
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Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器，提高逆變器級(jí)工作效率
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器---VOD3120A，擴(kuò)展其光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級(jí)工作效率。 日前發(fā)布的光耦采用CMOS技術(shù)，含有集成電路與軌到軌輸出級(jí)光學(xué)耦合的AIGaAs LED，為門控設(shè)備提供所需驅(qū)動(dòng)電壓。VOD3120電壓和電流使
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Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能達(dá)到業(yè)內(nèi)最佳水平
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導(dǎo)通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業(yè)和企業(yè)級(jí)電源應(yīng)用提供高效解決方案，同時(shí)，柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積在同類器件中達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，該參數(shù)是600 V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的關(guān)鍵指標(biāo) (FOM)?！ ishay
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穩(wěn)健的汽車40V 功率MOSFET提高汽車安全性
- Filippo, Scrimizzi, 意法半導(dǎo)體, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com Giuseppe, Longo, 意法半導(dǎo)體, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com Giusy, Gambino, 意法半導(dǎo)體s, 意大利, giusy.gambino@st.com 摘要 意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動(dòng)系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)
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Vishay業(yè)界領(lǐng)先車規(guī)產(chǎn)品將在2019 Automotive World日本展上悉數(shù)亮相
- 2019年1月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，將在1月16日-18日于東京有明國際展覽中心舉行的2019 Automotive World日本國際汽車展上，展示其全面豐富的車規(guī)產(chǎn)品。Vishay展位設(shè)在東5號(hào)館E47-40，以“Think Automotive, Think Vishay”為主題展示各種車規(guī)產(chǎn)品，包括符合并優(yōu)于AECQ認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的電容器、電阻器、電感器、二極管、MOSFET和光電產(chǎn)品?！ ishay亞
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第三代半導(dǎo)體又有新成員？氧化鎵有什么優(yōu)點(diǎn)？
- 目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來越高，它們?cè)谖磥淼拇蠊β?、高溫、高壓?yīng)用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實(shí)現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會(huì)有非常廣闊的發(fā)展前景?！ ∪欢?，SiC和GaN并不是終點(diǎn)，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨(dú)特優(yōu)勢。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來?！ ?shí)際上，氧化鎵并不是很新的技術(shù)，多年前就
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