碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
北汽新能源聯(lián)手羅姆半導(dǎo)體,推動SiC產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)
- 11月30日,北汽新能源(北汽藍(lán)谷 600733)與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)合作成立SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合實驗室。北汽新能源執(zhí)行副總經(jīng)理陳上華與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)董事末永良明現(xiàn)場簽署了合作協(xié)議書,并共同為SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合試驗室揭牌?! ≡撀?lián)合實驗室的成立,是北汽新能源在新能源汽車領(lǐng)域不斷加強自主技術(shù)實力的重要舉措,聯(lián)合實驗室成立后,北汽新能源將可以與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)共同深入到碳化硅等新技術(shù)的預(yù)研中,并圍繞碳化硅的新產(chǎn)品進(jìn)行全面合作開發(fā)?! 〗陙?,以SiC為代表的第三代功率半導(dǎo)體材料,已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在新能源
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意法半導(dǎo)體高效超結(jié)MOSFET瞄準(zhǔn)節(jié)能型功率轉(zhuǎn)換拓?fù)?/a>
- 意法半導(dǎo)體推出MDmesh?系列600V超結(jié)晶體管,該產(chǎn)品針對提高中等功率諧振軟開關(guān)和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器拓?fù)淠苄ФO(shè)計?! ♂槍涢_關(guān)技術(shù)優(yōu)化的閾值電壓使新型晶體管非常適用于節(jié)能應(yīng)用中的LLC諧振轉(zhuǎn)換器和升壓PFC轉(zhuǎn)換器。電容電壓曲線有助于提高輕載能效,最低16 nC的柵極電荷量(Qg)可實現(xiàn)高開關(guān)頻率,這兩個優(yōu)點讓MDmesh M6器件在硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中也有良好的能效表現(xiàn)?! 〈送?,意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的M6超結(jié)技術(shù)將RDS(ON)電阻降至0.036?,有助于電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)
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重磅推出碳化硅MOSFET ,基本半導(dǎo)體參加第二屆國際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會議
- 11月4-7日,由中國電源學(xué)會與IEEE電力電子學(xué)會聯(lián)合主辦的第二屆國際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會議暨博覽會(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重舉行?;景雽?dǎo)體作為本次大會的金牌贊助商,重磅推出碳化硅MOSFET產(chǎn)品,反響熱烈?! ∽鳛槿蛐缘碾娏﹄娮有袠I(yè)盛會,IEEE PEAC 2018可謂大咖云集,來自31個國家和地區(qū)的電力電子學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的800余位代表參加了本次會議。大會主席、中國電源學(xué)會理事長徐德鴻教授主持開幕式并致開幕詞,美國工程院院士、中國工程院外籍院士李澤元教授,中國工程院院
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基本半導(dǎo)體攜碳化硅 MOSFET新品亮相第92屆中國電子展
- 10月31日-11月2日,第92屆中國電子展在上海新國際博覽中心隆重舉行?;景雽?dǎo)體亮相深圳坪山第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園展區(qū),展示公司自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET和碳化硅肖特基二極管等產(chǎn)品。 中國電子展是電子行業(yè)的年度盛會,集中展示電子元器件、集成電路、電子制造設(shè)備、測試測量、軍民融合、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等產(chǎn)業(yè),傾力打造從上游基礎(chǔ)電子元器件到下游產(chǎn)品應(yīng)用端的全產(chǎn)業(yè)鏈陣容。本次展會以“信息化帶動工業(yè)化,電子技術(shù)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級”為主題,共有40000余名買家和專業(yè)觀眾觀展,共同打造了一場電子行業(yè)年度盛會?!?/li>
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基本半導(dǎo)體承辦中日韓第三代半導(dǎo)體技術(shù)研討會
- 11月5日,在第二屆國際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會議暨博覽會期間,來自中國、日本和韓國的第三代半導(dǎo)體專家齊聚基本半導(dǎo)體,參加第三代半導(dǎo)體功率器件先進(jìn)應(yīng)用技術(shù)研討會?! 〕鱿瘯h的嘉賓包括清華大學(xué)孫凱副教授和鄭澤東副教授、上海交通大學(xué)馬柯博士、華中科技大學(xué)蔣棟教授、長岡技術(shù)科學(xué)大學(xué)伊東淳一教授、東京都立大學(xué)和田圭二副教授、韓國亞洲大學(xué)Kyo-Beum Lee教授、奧爾堡大學(xué)王雄飛博士和楊永恒博士等多所知名高校的專家學(xué)者和基本半導(dǎo)體研發(fā)團(tuán)隊。與會嘉賓分享了各自在第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的最新研究主題和方向,
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基本半導(dǎo)體榮獲“2018年度深圳市人才伯樂獎”
- 近日,從深圳市人力資源和社會保障局傳來喜訊,基本半導(dǎo)體憑借在人才引進(jìn)方面的突出成果,獲評“2018年度深圳市人才伯樂獎”。 深圳市人才伯樂獎是由深圳市政府設(shè)立,旨在鼓勵企事業(yè)單位、人才中介組織等引進(jìn)和舉薦人才,以增強企業(yè)科技創(chuàng)新能力,提升城市核心競爭力。每年市政府通過評選伯樂獎對在本市人才培養(yǎng)、引進(jìn)過程中作出貢獻(xiàn)的單位及個人給予表彰和獎勵?! 』景雽?dǎo)體是第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè),從創(chuàng)立之初就非常重視人才的引進(jìn)和培養(yǎng)。作為一家由海歸博士創(chuàng)立的公司,基本半導(dǎo)體依托廣泛的海外資源,成功引進(jìn)了來自英
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使用SiC技術(shù)攻克汽車挑戰(zhàn)
- 摘要 – 在未來幾年投入使用SiC技術(shù)來應(yīng)對汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達(dá)到的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項目提供資金支持,實現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社會影響的優(yōu)勢互補的研發(fā)活動。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牽頭,20個項目合作方將在技術(shù)研究、制造工藝、封裝測試和應(yīng)用方面展開為期36個月的開發(fā)合作。本文將討論本項目中與汽車相關(guān)的內(nèi)容,重點介紹有關(guān)SiC技術(shù)和封
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ROHM推出1700V 250A全SiC功率模塊
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界頂級※可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM調(diào)查數(shù)據(jù)) 近年來,由于SiC產(chǎn)品的節(jié)能效果優(yōu)異,以1200V耐壓為主的SiC產(chǎn)品在汽車和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。隨著各種應(yīng)用的多功能化和高性能化發(fā)展,系統(tǒng)呈高電壓化發(fā)展趨勢,1700V耐壓產(chǎn)品的需求日益旺盛。然而,受
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“2018 ROHM科技展”:走進(jìn)智能“芯”生活!
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆將于2018年11月29日(周四)在深圳圣淘沙酒店翡翠店舉辦為期一天的“2018 ROHM科技展”。屆時,將以“羅姆對智能生活的貢獻(xiàn)”為主題,展示羅姆在汽車電子和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品與解決方案,以及模擬技術(shù)和功率元器件等技術(shù)亮點。同時,將圍繞汽車電子、SiC(碳化硅)功率元器件、電機驅(qū)動、DC/DC轉(zhuǎn)換器技術(shù)、傳感器技術(shù)以及旗下藍(lán)碧石半導(dǎo)體的先進(jìn)技術(shù)等主題,由羅姆的工程師帶來六場技術(shù)專題講座。期待您蒞臨“2018 ROHM科技展”現(xiàn)場,與羅姆的技術(shù)專家進(jìn)行面對面的交流和切磋
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基本半導(dǎo)體成功主辦第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇
- 10月24日,由青銅劍科技、基本半導(dǎo)體、中歐創(chuàng)新中心聯(lián)合主辦的第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在深圳會展中心成功舉行?! ”緦酶叻逭搲偷谌雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟達(dá)成戰(zhàn)略合作,與第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇同期舉行,來自中國、歐洲及其他國家的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖同臺論劍,給現(xiàn)場觀眾帶來了一場第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的盛宴?! ×⒆銍H產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢,從全球視角全面探討第三代半導(dǎo)體發(fā)展的現(xiàn)狀與趨勢、面臨的機遇與挑戰(zhàn),以及面向未來的戰(zhàn)略與思考是中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇舉辦的宗旨。目
- 關(guān)鍵字: 基本半導(dǎo)體 3D SiC JBS二極管 4H 碳化硅PIN二極管 第三代半導(dǎo)體 中歐論壇
SiC和GaN系統(tǒng)設(shè)計工程師不再迷茫
- SiC和GaN MOSFET技術(shù)的出現(xiàn),正推動著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。這些新材料把整個電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提高了多個百分點,而這在幾年前是不可想象的?! ≡诂F(xiàn)實世界中,沒有理想的開關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn),既能實現(xiàn)低開關(guān)損耗,又能處理超高速率dv/dt轉(zhuǎn)換,并支持超快速開關(guān)頻率,使得這些新技術(shù)既成就了DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計工程師的美夢,但同時也變成了他們的惡夢?! ”热缫幻O(shè)計工程師正在開發(fā)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如逆變器或馬達(dá)驅(qū)動控制器,或者正在設(shè)
- 關(guān)鍵字: SiC GaN
高功率單片式 Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器 滿足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并適合狹小的安放空間
- 隨著汽車中電子系統(tǒng)數(shù)量的成倍增加,車內(nèi)產(chǎn)生電磁干擾的風(fēng)險也大幅升高了。因此,新式車輛中的電子產(chǎn)品常常必須符合 CISPR 25 Class 5 EMI 測試標(biāo)準(zhǔn),該標(biāo)準(zhǔn)對傳導(dǎo)型和輻射型 EMI 發(fā)射做了嚴(yán)格的限制。由于其本身的性質(zhì),開關(guān)電源充斥著 EMI,并在整個汽車中“彌漫擴散”。如今,低 EMI 與小的解決方案尺寸、高效率、散熱能力、堅固性和易用性一起,成為了對汽車電源的一項關(guān)鍵要求。Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器系列可滿足汽車制造商嚴(yán)格的 EMI 要求,同時擁有緊湊的尺寸以及集成化
- 關(guān)鍵字: MOSFET,LT8650S
Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關(guān)電源IC
- 深耕于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關(guān)電源IC。新IC的功率更大,適合設(shè)計8W以內(nèi)的高效率隔離及非隔離反激式電源應(yīng)用,適用于高達(dá)480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專供電網(wǎng)不穩(wěn)定地區(qū)、時常遭受雷擊的熱帶地區(qū)或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區(qū)的高質(zhì)量消費電子產(chǎn)品的電源設(shè)計?! ?00V版LinkSwitch-XT2 IC產(chǎn)品系列可提供高效率,使電源設(shè)計輕松滿足能源相關(guān)產(chǎn)品(ErP
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碳化硅(sic)mosfet介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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