- 功率因數校正最佳策略：如何選取合適的MOSFET？-近年來，隨著汽車、通信、能源、綠色工業(yè)等大量使用MOSFET的 行業(yè)的快速發(fā)展，功率MOSFET備受關注。
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MOSFET 功率因數 Vishay
- 面對國際IDM大廠將旗下MOSFET芯片產能大量移轉到車用電子領域，并開始采取限量供應MOSFET芯片給PC、NB及移動裝置產品客戶的情形，大中、富鼎、尼克森等臺系MOSFET芯片三雄不僅2017年第3季終于有像樣的營收成長力道，客戶追加訂單的盛況更是前所未見。雖然第4季全球PC及NB市場需求照理說會開始下滑，但在英特爾(Intel)、AMD新款CPU平臺需增加3~5顆MOSFET芯片，加上客戶對于MOSFET芯片供需吃緊的議題抱持高度關注態(tài)度，臺系MOSFET芯片供應商多已表達淡季不淡的樂觀預期看法
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MOSFET 芯片
- 以MLCC為代表的被動元件在進入第三季度后，受產能供需吃緊影響，價格大漲，部分物料漲幅甚至超過10倍。而與被動元件市場行情相似的MOSFET芯片也出現(xiàn)缺貨潮，導致價格上漲，即便是在溢價20%的基礎上新增訂單，供應商仍難交出貨來。更嚴重的是，MOSFET芯片市場缺貨潮短期內將難以緩解，保守估計到2019年局面才能改觀。
據IHS數據顯示，2016年MOSFET芯片市場總規(guī)模為205億美元，2017年預計將增長到220億美元。MOSFET芯片可廣泛應用于消費類電子、電動汽車以及IIoT等領域，杭州士
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MOSFET MLCC
- 電源工程師最怕什么?炸機!用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問題了呢?這一切都和SOA相關?！ ∥覀冎篱_關電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過壓或過流就會導致功耗大增，晶圓結溫急劇上升，如果散熱不及時，就會導致器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸，非常危險。這里就衍生一個概念，安全工作區(qū)?！ ∫弧⑹裁词前踩ぷ鲄^(qū)? 安全工作區(qū)：SOA(Safe operating&nb
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MOSFET IGBT
- 近日，863計劃先進制造技術領域“大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究”課題通過了技術驗收。
通常，國際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱之為第三代半導體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度、熱導率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優(yōu)勢，特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯，由于第三代半導體材料的制造裝備對設備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場分布、設備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質量和成品率的關鍵技術有很高的
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半導體 SiC
- 精華！兼容路創(chuàng)和Leviton調光器的LED燈絲燈解決方案-晶豐明源BP3216燈絲燈可控硅調光方案解決三大LED燈絲燈調光難題，BP3216內部集成MOSFET，體積小，特別適合燈絲燈的應用；采用源極驅動，DCMB的控制方式，沒有二極管反向恢復，開關損耗小。P3216系列芯片內部集成不同耐壓的MOSFET，可以滿足不同功率輸出的要求。
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MOSFET 可控硅調光 LED燈絲燈
- 導入柵極屏蔽結構 溝槽式MOSFET功耗銳減-更高系統(tǒng)效率和功率密度，是現(xiàn)今數據和電信電源系統(tǒng)設計的首要目標。為達此一目的，半導體開發(fā)商研發(fā)出采用柵極屏蔽結構的新一代溝槽式金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET），可顯著降低全負載及輕負載時的功率損耗。
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MOSFET 柵極屏蔽 快捷半導體
- 為反向極性保護設計一個電路-反向極性解決方案被看成是一個迫不得已、不得不做的事情。例如，在汽車系統(tǒng)中，搭線啟動期間，防止電池反接或者電纜反向連接很重要，然而系統(tǒng)設計人員也必須忍受反向極性保護出現(xiàn)時的功率損耗。
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汽車電池 反向極性保護 二極管 MOSFET
- 有刷直流柵極驅動器的演變-回望在電子產品領域奮戰(zhàn)的20年，我們已走過了漫漫長路。2015年正發(fā)布的組件具有無與倫比的精細度和集成度。處理器速度更快，發(fā)光二極管（LED）亮度更高，存儲器密度更大，每樣東西的功耗都更低，并且集成電路（IC）集成了比以往任何時候都多的組件。
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MOSFET 柵極驅動器 集成電路
- 模塊電源的散熱應對措施- 本篇文章以實例為基準，分析一個設計方案中的模塊電源散熱問題。本文的中的模塊采用100W，Vin24VVout5V，采用單管正激電路，使用的是UC3843B芯片控制，沒有采用有源嵌位和同步整流，工作頻率為300KHZ。
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MOSFET 二極管 模塊電源
- 基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案-隔離電源模塊可以高效解決各種端口干擾，開關芯片轉換出各種系統(tǒng)所需電壓，LDO給MCU處理器提供穩(wěn)定可靠的電能。電源模塊與芯片方案需要互助互補，各取所長才能共建一個良好的系統(tǒng)供電環(huán)境，同時開啟它們的共贏之路。
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MPS模塊 MOSFET LDO DC-DC
- Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護領域的領先企業(yè)，今日宣布推出了首個碳化硅(SiC)MOSFET產品系列，成為該公司不斷擴充的功率半導體產品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽的碳化硅技術開發(fā)公司Monolith Semiconductor Inc.，向成為功率半導體行業(yè)的領軍企業(yè)再邁出堅定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導通電阻(80m?)，是雙方聯(lián)手推出的首款由內部設計、開發(fā)和生產的
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Littelfuse MOSFET
- 利用單個反饋源實現(xiàn)任意量級偏置電流網絡-假設須要生成一些任意數量（以N為例）的電流沉/源（current sink/source），而每個電流沉/源的大小任意，可能須要針對不同階段的一些復雜模擬電路進行偏置。雖然基準電壓的生成僅須一次實施即可，電流沉整個反饋部分的重復進行卻使成本與設計空間密集化。
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模擬電路 MOSFET
- 碳化硅電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀分析-SiC電力電子器件中，SiC二極管最先實現(xiàn)產業(yè)化。2001年德國Infineon公司率先推出SiC二極管產品，美國Cree和意法半導體等廠商也緊隨其后推出了SiC二極管產品。
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碳化硅
碳化硅(sic)mosfet介紹
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