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          大功率電源MOSMOSFET問題的分析

          • 本文主要介紹三極管原理最通俗的表達理解,希望對您的學習有所幫助。對三極管放大作用的理解,切記一點:能量不會無緣無故的產(chǎn)生,所以,三極管一定不
          • 關鍵字: MOSFET  電源  

          大功率電源MOS工作溫度確定之計算功率耗散

          • 在電子電路設計中,散熱設計是非常重要的一項指標。但在很多設計環(huán)境下,空間的狹小程度限制了散熱功能設計與發(fā)揮。在大功率電源MOSFET當中這種情況尤
          • 關鍵字: 大功率電  MOSFET  功率耗散  

          功率MOSFET在集成驅(qū)動電路中的設計應用簡析

          • 功率MOSFET目前在一些大中型開關電源的驅(qū)動電路中得到了廣泛的應用,此前我們曾經(jīng)為大家總結(jié)了幾種MOSFET在驅(qū)動電路中的常見應用方式,在今天的文章中
          • 關鍵字: MOSFET  驅(qū)動電路  電源  

          干貨!一種簡易的MOSFET自舉驅(qū)動電路設計分享

          • 功率開關器件MOSFET在驅(qū)動電路中的應用頻率在最近幾年直線上升,在一些中小功率的開關電源產(chǎn)品中,利用MOSFET完成驅(qū)動電路的設計不僅省時省力,還具有
          • 關鍵字: MOSFET  驅(qū)動電路  設計  

          同步整流降壓式DC-DC變換器應怎樣選擇MOSFET?

          • 功率器件MOSFET在很多電路系統(tǒng)的設計中都得到了廣泛的應用,而對于同步整流降壓式的DC-DC變換器來說,怎樣選擇合適的MOSFET則是非常重要的一環(huán),需要研
          • 關鍵字: MOSFET  同步整流  DC-DC  

          MOSFET開關損耗分析

          • 摘要:為了有效解決金屬一氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現(xiàn)的開關損耗失效問題,通過對MOSFET柵極電荷、極間
          • 關鍵字: MOSFET  帶電插拔  緩啟動  開關損耗  

          6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動入門

          • 由于不間斷電源的興起,IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點是具有電流拖尾效應,因此在關斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴格,需要負壓驅(qū)動進行輔助
          • 關鍵字: MOSFET  IGBT  隔離驅(qū)動  

          基于大功率開關電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù)

          • 1.MOSFET柵極驅(qū)動電平的上升時間和下降時間功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優(yōu)點,因而非常適合用作開關電源(switch-mode power supplies,S
          • 關鍵字: MOSFET  筆記本電源  降壓變換器  

          大國器重 功率半導體小行業(yè)大機會

          • 在傳統(tǒng)應用領域,功率半導體分立器件引領工業(yè)發(fā)展方式向節(jié)能型轉(zhuǎn)變,實現(xiàn)家電工業(yè)轉(zhuǎn)型升級,優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。而隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計算、新能源、節(jié)能環(huán)保等新興產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展,新興領域成為支撐功率半導體分立器件保持較好發(fā)展勢頭的重要市場。
          • 關鍵字: 功率半導體  MOSFET  

          SiC元件2023年產(chǎn)業(yè)規(guī)模達14億美元

          •   市場研究單位Yole Développement(Yole)指出,碳化硅(SiC)電力電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展具高度潛力,包括ROHM、Bombardier、Cree、SDK、STMicroelectronics、Infineon Technologies、Littelfuse、Ascatron等廠商都大力投入。Yole預測到2023年SiC功率半導體市場規(guī)模預計將達14億美元,2016年至2023年間的復合成長率(CAGR)為28%,2020~2022年CAGR將進一步提升至40%。  包括xEV、xEV充電基
          • 關鍵字: SiC  PFC  

          功率MOSFET關斷損耗計算攻略

          • 本文介紹了MOSFET管關斷損耗的計算方式,供大家參考。
          • 關鍵字: MOSFET  關斷損耗  

          看懂MOSFET數(shù)據(jù)表,第1部分―UIS/雪崩額定值

          • 在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時,你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷),其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模
          • 關鍵字: MOSFET  雪崩  

          碳化硅/氮化鎵組件進入商品化 電力電子產(chǎn)業(yè)迎來大革命

          • LinkedIn隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。 這些新組件雖然
          • 關鍵字: 碳化硅  氮化鎵  

          傳中興急單ODM/OEM抬價20%搶貨:MOSFET全年漲價30%

          •   MOSFET漲價已經(jīng)很長一段時間,從今年年初至今,其漲價幅度已經(jīng)達到了5%-10%,相對另外一種被動元器件MLCC,MOSFET漲價幅度還算在可接受范圍之內(nèi)。簡而言之,今年以來MOSFET一直處于供貨吃緊狀態(tài),包括英飛凌、威世、意法半導體、安森美等國際IDM大廠近些年并沒有新增產(chǎn)能。  由于去年下半年以來,汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、云端計算等新應用加大對MOSFET的需求,導致電腦以及智能手機等3C電子產(chǎn)品用MOSFET供貨嚴重不足,價格已經(jīng)從今年年初上漲至今持續(xù)了3個季度!據(jù)市場表示,今年上半年MOSFET
          • 關鍵字: 中興  ODM  OEM  MOSFET  

          安森美半導體獲UAES頒發(fā)“年度杰出合作供應商獎”

          •   推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor),宣布獲聯(lián)合汽車電子系統(tǒng)有限公司(United Automotive Electronic Systems,簡稱UAES)頒發(fā)“2017年度杰出合作供應商獎”。安森美半導體是UAES最近的供應商大會上3家獲獎的半導體供應商之一?! ≡摢務J同安森美半導體寬廣的產(chǎn)品陣容的價值,這些產(chǎn)品用于UAES領先行業(yè)的先進汽車系統(tǒng)方案。安森美半導體能提供大量關鍵器件用于從動力總成到汽車功能電子化、從傳統(tǒng)模塊如發(fā)動機控制單元(ECU)和點火系統(tǒng)到最新的牽引
          • 關鍵字: 安森美  SiC  
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          碳化硅(sic)mosfet介紹

          您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

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