3. 

        <meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>
          


          
	
  	
          
	
          
		首頁(yè)　 
		資訊　 
		商機(jī) 　
		下載　 
		拆解 　
		高校　 
		招聘 　
		雜志　 
		會(huì)展　 
		EETV　 
		百科 　
		問(wèn)答　 
		電路圖　 
		工程師手冊(cè) 　
		Datasheet　
		100例 　
		活動(dòng)中心　 
		E周刊閱讀 　
		樣片申請(qǐng)
	
          




          
	EEPW首頁(yè) >> 
	主題列表 >> 
	碳化硅(sic)mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          超過(guò)20kV：半導(dǎo)體元件的世界最高耐壓
          
                                                            
            
                    	
          • 　　日本京都大學(xué)工學(xué)研究系電子工學(xué)專(zhuān)業(yè)教授木本恒暢等人的研究小組，試制出了耐壓高達(dá)21.7kV的SiC制PiN二極管。此前雖有耐壓為十?dāng)?shù)kV的半導(dǎo)體功率元件，但超過(guò)20kV的尚為首次，“是半導(dǎo)體元件中的世界最高值”(木本)。
　　該二極管的設(shè)想用途為置換變電站使用的硅制GTO。比如，日本的電網(wǎng)電壓為6.6kV，因此要求耐壓達(dá)到20kV。據(jù)稱(chēng)目前是使用3～4個(gè)數(shù)kV的GTO來(lái)確保耐壓的。如果使用耐壓超過(guò)20kV的SiC制PiN二極管，一個(gè)即可滿(mǎn)足要求。由此，轉(zhuǎn)換器及冷卻器等便可實(shí)現(xiàn)
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        SIC  二極管  半導(dǎo)體                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          恩智浦推出新型汽車(chē)級(jí)TrenchMOS器件
          
                                                            
            
                    	
          • 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (納斯達(dá)克：NXPI)日前宣布推出全新汽車(chē)級(jí)功率MOSFET器件系列，該系列采用恩智浦的Trench 6技術(shù)，具有極低導(dǎo)通電阻(RDSon)、極高的開(kāi)關(guān)性能以及出色的品質(zhì)和可靠性。恩智浦新型汽車(chē)級(jí)MOSFET已取得AEC-Q101認(rèn)證，成功通過(guò)了175?C高溫下超過(guò)1,600小時(shí)的延長(zhǎng)壽命測(cè)試(性能遠(yuǎn)超Q101標(biāo)準(zhǔn)要求)，同時(shí)具有極低PPM 水平。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        恩智浦  MOSFET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          車(chē)用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性
          
                                                            
            
                    	
          • 工程師在為汽車(chē)電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過(guò)120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問(wèn)題。在
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  車(chē)用  如何提高  能量                            
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          典型功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路設(shè)計(jì)方案
          
                                                            
            
                    	
          • 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（PowerMOSFET）是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電的單極型電壓控制器件，具有開(kāi)關(guān)速度快、高頻性能好、...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  驅(qū)動(dòng)  保護(hù)電路                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          MOSFET的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：率場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時(shí)過(guò)載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求；計(jì)算了MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗及MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        設(shè)計(jì)  應(yīng)用  電路  保護(hù)  驅(qū)動(dòng)  MOSFET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          精確測(cè)量功率MOSFET的導(dǎo)通電阻
          
                                                            
            
                    	
          • 電阻值的測(cè)量通常比較簡(jiǎn)單。但是，對(duì)于非常小阻值的測(cè)量，我們必須謹(jǐn)慎對(duì)待我們所做的假定。對(duì)于特定的幾何形狀，如電線(xiàn)，Kelvin方法是非常精確的?？梢允褂妙?lèi)似的方法來(lái)測(cè)量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  精確測(cè)量  導(dǎo)通電阻                            
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          IR推出緊湊型PowIRaudio模塊
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出PowIRaudio集成式功率模塊系列，適用于高性能家庭影院系統(tǒng)及車(chē)用音頻放大器。新器件將脈沖寬度調(diào)制控制器和兩個(gè)數(shù)字音頻功率MOSFET集成至單一封裝，提供高效緊湊的解決方案，有助于減少零部件數(shù)量，縮小高達(dá)70% 的電路板尺寸，并能簡(jiǎn)化D類(lèi)放大器設(shè)計(jì)。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        IR  MOSFET  PowIRaudio                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          功率MOSFET的鋰電池保護(hù)電路設(shè)計(jì)
          
                                                            
            
                    	
          • 鉛酸電池具有安全、便宜、易維護(hù)的特點(diǎn)，因此目前仍然廣泛的應(yīng)用于電動(dòng)自行車(chē)。但是鉛酸電池污染大、笨重、循環(huán)次數(shù)少，隨著世界各國(guó)對(duì)環(huán)保要求越來(lái)越高，鉛酸電池的使用會(huì)越來(lái)越受到限制。磷酸鐵鋰電池作為一種新型
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        電路設(shè)計(jì)  保護(hù)  鋰電池  MOSFET  功率                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          飛兆開(kāi)發(fā)出P溝道PowerTrench WL-CSP MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 便攜設(shè)備的設(shè)計(jì)人員面臨著在終端應(yīng)用中節(jié)省空間、提高效率和應(yīng)對(duì)散熱問(wèn)題的挑戰(zhàn)。為了順應(yīng)這一趨勢(shì)，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規(guī)格的PowerTrench?薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        飛兆  MOSFET  P溝道                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          飛兆推出一款低側(cè)高雙功率芯片非對(duì)稱(chēng)N溝道模塊
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線(xiàn)路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側(cè)高雙功率芯片非對(duì)稱(chēng)N溝道模塊 FDPC8011S，幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這一系統(tǒng)挑戰(zhàn)。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        飛兆  MOSFET  FDPC8011S  N溝道                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          恩智浦推出可實(shí)現(xiàn)高功率LED設(shè)計(jì)靈活性的GreenChip
          
                                                            
            
                    	
          • 　　新型純控制器降壓LED驅(qū)動(dòng)器成本優(yōu)勢(shì)明顯、效率傲視群雄
　　中國(guó)上海，2012年5月7日訊 —— 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.(NASDAQ：NXPI)今天宣布推出SSL2109，該款高效降壓控制器面向采用非隔離式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的高功率非調(diào)光型LED照明應(yīng)用。SSL2109 LED驅(qū)動(dòng)器IC與外部功率開(kāi)關(guān)一同使用，為100V、120V和230V電源輸入電壓和最高25 W的功率范圍提供了單一的設(shè)計(jì)平臺(tái)。SSL2109提供了廣受歡迎的SSL2108x系列的
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        恩智浦  MOSFET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          Vishay新一代TrenchFET MOSFET再度刷新
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。這四款器件皆采用了新型高密度設(shè)計(jì)，在4.5V下導(dǎo)通電阻低至1.35m?，Miller電荷Qgd低至1.8nC，采用PowerPAK? SO-8和1212-8封裝。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        Vishay  MOSFET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出一款智能高側(cè)開(kāi)關(guān)系列
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在現(xiàn)今的汽車(chē)應(yīng)用中，設(shè)計(jì)人員需要把大電流可靠和安全地引流到接地的阻性或感性負(fù)載，這類(lèi)應(yīng)用包括：白熾燈、電機(jī)控制和加熱器件等?，F(xiàn)在要實(shí)現(xiàn)這一目的，設(shè)計(jì)人員不得不依賴(lài)分立式或機(jī)電式解決方案，或是受制于市場(chǎng)上數(shù)量有限的解決方案。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        飛兆  MOSFET  F085A                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          羅姆清華探索校企合作新模式
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • ??????? TRIFIA 2012年清華-羅姆國(guó)際產(chǎn)學(xué)連攜論壇于4月28日在清華羅姆電子館召開(kāi)，來(lái)自清華的教授跟與會(huì)者分享了與羅姆合作以來(lái)在某些領(lǐng)域取得的成果以及一些教學(xué)科研經(jīng)驗(yàn)。會(huì)后，羅姆株式會(huì)社常務(wù)董事高須秀視先生和清華電子工程系系主任王希勤教授接受了采訪，我們了解到了更多羅姆和清華在產(chǎn)學(xué)研方面的相關(guān)合作。
以“羅姆”命名清華樓，并無(wú)排他性
?????
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        羅姆  SiC                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性?xún)r(jià)比更高的功率
          
                                                            
            
                    	
          • 與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開(kāi)發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請(qǐng)這些研究小組的技術(shù)人員，以論
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        SiC  講座  功率元件  氧化鎵                            
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                                

                
          
	                
          
		                	
          
	
          
	共1789條
	87/120		|‹
			«
																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																										85																86																87																88																89																90																91																92																93																94																																																																																																																																																																																																																																																																																																					»
			›|
		
	
          
		                
          
	               	
          
                
          
        	
          
            
          
        
          
	
          
	
          
  		
          
    		
          
      			
          
          			
          碳化硅(sic)mosfet介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
          熱門(mén)主題
          
      			
          
      			
          
       	          						樹(shù)莓派   
					linux   
      			
          
    		
          
  		
          
		
          
	
          
	
          

          

          
        		關(guān)于我們 - 
        		廣告服務(wù) - 
        		企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 
        		網(wǎng)站地圖 - 
        		聯(lián)系我們 - 
        		征稿 - 
        		友情鏈接 - 
        		手機(jī)EEPW
        		
          
        		Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          
        		《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
          
      			備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
      		
          
    	
          
  	





          




          



看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人

(function(){
    var bp = document.createElement('script');
    var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0];
    if (curProtocol === 'https') {
        bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js';
    }
    else {
        bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js';
    }
    var s = document.getElementsByTagName("script")[0];
    s.parentNode.insertBefore(bp, s);
})();