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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

科銳推出150毫米4H N型碳化硅外延片

　科銳材料產(chǎn)品經(jīng)理 Vijay Balakrishna博士表示：“科銳擁有在碳化硅領(lǐng)域100毫米外延片的強(qiáng)大量產(chǎn)能力。最新的150毫米技術(shù)將進(jìn)一步提升碳化硅晶圓片的標(biāo)準(zhǔn)?？其J的垂直整合能力確保能夠?yàn)榭蛻籼峁┽槍Ω咂焚|(zhì)150毫米碳化硅外延片的完整解決方案，并為電力電子市場的領(lǐng)先企業(yè)提供穩(wěn)定的供貨保障。
關(guān)鍵字：科銳碳化硅 LED

科銳推出150毫米4H N型碳化硅外延片

LED領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出高品質(zhì)、低微管的150毫米 4H N型碳化硅外延片?？其J通過推出更大直徑的外延片，從而繼續(xù)引領(lǐng)碳化硅材料市場的發(fā)展。此項(xiàng)最新技術(shù)能夠降低設(shè)備成本，并能夠利用現(xiàn)有150毫米設(shè)備工藝線。新型150毫米外延片擁有高度均一的厚度為100微米的外延層，并已開始訂購。
關(guān)鍵字：科銳 LED 碳化硅

開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器高性能碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體器件

進(jìn)入21世紀(jì)，開關(guān)電源技術(shù)將會(huì)有更大的發(fā)展，這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學(xué)術(shù)各界努...
關(guān)鍵字：開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器碳化硅（SiC）

如何為具體應(yīng)用選擇恰當(dāng)?shù)腗OSFET

雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業(yè)知識對各個(gè)具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面仔細(xì)的考慮。例如，對于服務(wù)器電源中的負(fù)載開關(guān)這類應(yīng)用，由于MOSFET基本上
關(guān)鍵字： MOSFET

估算熱插拔MOSFET溫升的簡易方法

本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時(shí)限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運(yùn)行中斷。通
關(guān)鍵字： MOSFET 熱插拔方法

功率MOSFET數(shù)據(jù)表深入分析

本文不準(zhǔn)備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術(shù)大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設(shè)計(jì)者更好的使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)?！　?shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。
關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)據(jù)表分析

飛兆半擴(kuò)展PowerTrench MOSFET系列

提升功率密度和輕載效率是服務(wù)器、電信和AC-DC電源設(shè)計(jì)人員的主要考慮問題。此外，這些開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì)中的同步整流需要具有高性價(jià)比的電源解決方案，以便最大限度地減小線路板空間，同時(shí)提高效率和降低功耗。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET

空間受限型應(yīng)用中的PMBus熱插拔電路介紹

摘要本文詳細(xì)介紹了熱插拔電路基礎(chǔ)，以及要求使用系統(tǒng)保護(hù)與管理 (SPM) 和印刷電路板 (PCB) 基板面極其珍貴的情況下系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員所面臨的諸多挑戰(zhàn)。以模塊化實(shí)現(xiàn)利用集成數(shù)字熱插拔控制器時(shí)，我們?yōu)槟榻B了一種框架
關(guān)鍵字： PMBus、熱插拔電路、SPM、電信電源架構(gòu)、MOSFET、NexFET、電源管理、半導(dǎo)體、德州儀器、TI

IR推出優(yōu)化版車用功率MOSFET產(chǎn)品

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導(dǎo)通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動(dòng)機(jī)壓電噴射系統(tǒng)。
關(guān)鍵字： IR MOSFET

詳細(xì)介紹如何運(yùn)用MOSFET實(shí)現(xiàn)完美安全系統(tǒng)

汽車上許多組建的多元應(yīng)用，從車上的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到啟動(dòng)馬達(dá)，不僅提供了各式各樣的高負(fù)載型、低成本效益的解決方案，也兼具了注重安全性汽車所必須的通訊和診斷能力。因此，設(shè)計(jì)人員為了增加車上電子
關(guān)鍵字： MOSFET 詳細(xì)介紹如何運(yùn)用安全系統(tǒng)

MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算介紹

我們先來看看MOS關(guān)模型：

Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)器功耗計(jì)算

提升電源轉(zhuǎn)換效率的自定時(shí)電壓檢測同步MOSFET控制方案

標(biāo)簽：電源諧振轉(zhuǎn)換器高壓電源直流電源 MOSFET現(xiàn)代電子設(shè)備功能越來越多，設(shè)備功能的高功耗對環(huán)境的影響也越來越大。提高電源效率是降低功耗的方法之一。諧振拓?fù)渚哂休^高效率，很多大功率消費(fèi)電子產(chǎn)品和計(jì)算機(jī)
關(guān)鍵字：同步 MOSFET 控制方案檢測電壓電源轉(zhuǎn)換效率定時(shí)

MOSFET雙峰效應(yīng)的評估方法簡介

金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個(gè)金氧半(MOS)二機(jī)體和兩個(gè)與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展
關(guān)鍵字： MOSFET 雙峰效方法

功率器件的新時(shí)代汽車電子功率MOSFET技術(shù)

過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰褪芷囯娮酉到y(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象，且其封裝簡單，主要采用TO220 和 TO247
關(guān)鍵字： MOSFET 功率器件汽車電子

用于輔助電路分析的示波器數(shù)學(xué)功能

關(guān)鍵字：數(shù)字示波器數(shù)學(xué)功能輔助電路分析 MOSFET

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碳化硅(sic)mosfet介紹

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碳化硅(sic)mosfet電路

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