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碳化硅
碳化硅 文章 進(jìn)入碳化硅技術(shù)社區(qū)
安森美的碳化硅技術(shù)賦能純電動(dòng)汽車VISION EQXX單次充電續(xù)航更遠(yuǎn)
- 2022年11月16日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布梅賽德斯-奔馳在其主驅(qū)逆變器中采用安森美的碳化硅（以下簡(jiǎn)稱“SiC”）技術(shù)，這是兩家公司戰(zhàn)略合作的一部分。安森美的VE-Trac SiC模塊提高了梅賽德斯-奔馳純電動(dòng)汽車VISION EQXX主驅(qū)逆變器的能效并減輕了其重量，使電動(dòng)汽車的續(xù)航里程增加10%。這款電動(dòng)汽車完成了從德國(guó)斯圖加特到英國(guó)銀石的1,202公里（747英里）旅程，保持了單次充電后最遠(yuǎn)的行駛距離記錄。VISION EQXX在電動(dòng)車
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碳化硅器件在UPS中的應(yīng)用研究
- 本文分析了目前不間斷電源（UPS）在互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心中的應(yīng)用和發(fā)展趨勢(shì)。對(duì)目前熱門(mén)的碳化硅材料和英飛凌碳化硅技術(shù)做了介紹，并著重說(shuō)明了碳化硅器件在UPS應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。分析給出了目前UPS常用拓?fù)浼胺桨福詈蠡?0 kW的逆變部分做了各方案的損耗分析。1.引 言互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心(Internet Data Center,IDC),是集中計(jì)算和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的場(chǎng)所，是為了滿足互聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)以及信息服務(wù)需求而構(gòu)建的應(yīng)用基礎(chǔ)設(shè)施。受新基建、數(shù)字經(jīng)濟(jì)等國(guó)家政策影響以及新一代信息技術(shù)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)，我國(guó)數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)迅猛。隨著
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AMP 創(chuàng)新型電動(dòng)汽車充電解決方案：采用 Wolfspeed E-系列碳化硅器件
- 2022年11月14日，美國(guó)北卡羅來(lái)納州達(dá)勒姆市、加利福尼亞州洛杉磯市與中國(guó)上海市訊 -- 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布，電動(dòng)交通電池管理和充電技術(shù)的全球引領(lǐng)者 AMP 公司將在其電動(dòng)交通能量管理單元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。通過(guò)采用 Wolfspeed 創(chuàng)新型碳化硅技術(shù)，將助力 AMP 優(yōu)化電池性能、充電和成本。 AMP 公司硬件工程副總裁 Jia
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Qorvo? 與 SK Siltron CSS 宣布達(dá)成長(zhǎng)期碳化硅供應(yīng)協(xié)議
- 中國(guó)北京 – 2022 年 11 月 8 日–移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）與半導(dǎo)體晶圓制造商 SK Siltron CSS 今日宣布，雙方已簽署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供應(yīng)協(xié)議。此次合作將提高半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的彈性，并更好地滿足汽車市場(chǎng)對(duì)先進(jìn)碳化硅解決方案迅速增長(zhǎng)的需求。隨著客戶采用 Qorvo 業(yè)界領(lǐng)先的第 4 代 SiC FET 解決方案，該協(xié)議還會(huì)為他們提供更好的保護(hù)并增強(qiáng)其信心。SiC 器件
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SEMICON China | 探討熱點(diǎn)與前沿技術(shù) ，功率及化合物半導(dǎo)體論壇2022圓滿舉辦
- 11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半導(dǎo)體國(guó)際論壇2022”在上海國(guó)際會(huì)議中心成功舉辦。共有19位來(lái)自功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)先企業(yè)的講師親臨現(xiàn)場(chǎng)做報(bào)告分享。此次論壇重點(diǎn)討論的主題包括：開(kāi)幕演講，化合物半導(dǎo)體與光電及通訊，寬禁帶半導(dǎo)體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國(guó)區(qū)總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示：“在大家的支持下，功率及化合物半導(dǎo)體國(guó)際論壇從2016年開(kāi)始首辦，今年已經(jīng)是第七屆。在嚴(yán)格遵守防疫規(guī)定的前提下，希望大家能在SEMI的平臺(tái)上充分交流。不經(jīng)歷風(fēng)雨，怎么能
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捷豹路虎與 Wolfspeed 合作，為下一代電動(dòng)汽車引入碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)
- · 在“重塑未來(lái)”戰(zhàn)略指引下，捷豹路虎正在向電動(dòng)化優(yōu)先轉(zhuǎn)型，全力開(kāi)啟未來(lái)出行之路，在 2039 年實(shí)現(xiàn)凈零碳排放· 與 Wolfspeed 的戰(zhàn)略合作將確保碳化硅（SiC）半導(dǎo)體技術(shù)的供應(yīng)，并成為下一代路虎?攬勝、路虎?發(fā)現(xiàn)、路虎?衛(wèi)士、捷豹汽車電動(dòng)化的重要組成部分· &
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碳化硅（SiC）電源管理解決方案搭配可配置數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)助力實(shí)現(xiàn)“萬(wàn)物電氣化”
- 綠色倡議持續(xù)推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國(guó)防應(yīng)用，尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢(shì)的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動(dòng)各種車輛和飛機(jī)實(shí)現(xiàn)電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。 碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機(jī)的氣動(dòng)和液壓系統(tǒng)，為機(jī)載交流發(fā)電機(jī)、執(zhí)行機(jī)構(gòu)和輔助動(dòng)力裝置（APU）供電。這類解決方案還可以減少這些系統(tǒng)的維護(hù)需求。但是，SiC技術(shù)最顯著的貢獻(xiàn)體現(xiàn)在其所肩負(fù)實(shí)現(xiàn)商用運(yùn)輸車輛電氣化的使命上，這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬
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世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動(dòng)器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源
- 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì)導(dǎo)致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì)影響關(guān)斷速度，而硅元件也無(wú)法再提升。因此開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長(zhǎng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的器
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電動(dòng)汽車東風(fēng)起，Wolfspeed、安森美等頭部大廠碳化硅投資加速
- 碳化硅的發(fā)展與電動(dòng)汽車的快速發(fā)展緊密相連，隨著新能源汽車的加速滲透，以及自動(dòng)駕駛技術(shù)的升級(jí)演變，車用芯片需求不斷上升，第三代半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)重要性愈發(fā)凸顯。Wolfspeed、安森美、意法半導(dǎo)體作為碳化硅領(lǐng)域的頭部企業(yè)，其動(dòng)態(tài)是行業(yè)的重要風(fēng)向標(biāo)，近期三家企業(yè)均發(fā)表了對(duì)碳化硅行業(yè)的積極展望，反映車規(guī)級(jí)碳化硅產(chǎn)品的滲透率情況好于預(yù)期。Wolfspeed將建造全球最大碳化硅材料工廠近日，碳化硅廠商Wolfspeed公司表示，隨著需求的激增，其將在北卡羅來(lái)納州查塔姆縣建造一座價(jià)值數(shù)十億美元的新工廠，以生產(chǎn)為電動(dòng)汽
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第三代半導(dǎo)體頭部企業(yè)基本半導(dǎo)體完成C4輪融資,全力加速產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程
- 2022年9月20日，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體碳化硅頭部企業(yè)——基本半導(dǎo)體完成C4輪融資，由新股東德載厚資本、國(guó)華投資、新高地等機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資，現(xiàn)有股東屹唐長(zhǎng)厚、中美綠色基金等機(jī)構(gòu)繼續(xù)追加投資。本輪融資將用于進(jìn)一步加強(qiáng)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)的研發(fā)制造能力，提升產(chǎn)能規(guī)模，支撐碳化硅產(chǎn)品在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等市場(chǎng)的大規(guī)模應(yīng)用，全方位提升基本半導(dǎo)體在碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。這是基本半導(dǎo)體在今年完成的又一輪融資。6月和7月，該公司分別完成了C2和C3輪兩輪融資。連續(xù)多輪資本的加持，充分印證了基本半導(dǎo)體在業(yè)務(wù)加速拓
- 關(guān)鍵字： 基本半導(dǎo)體 代半導(dǎo)體 碳化硅
第三代半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)，硅的時(shí)代要結(jié)束了嗎
- 半導(dǎo)體寒氣襲人知誰(shuí)暖？芯片行業(yè)的砍單潮已經(jīng)將寒氣傳遞給了眾多企業(yè)，三星半導(dǎo)體部門(mén)負(fù)責(zé)人Kyung Kye-hyun就預(yù)計(jì)芯片銷售大幅下滑態(tài)勢(shì)將延續(xù)至明年；野村證券最近也將今年全球芯片出貨成長(zhǎng)率由原先預(yù)估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%擴(kuò)大至衰退6%；費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù) (SOX)近6個(gè)月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此時(shí)，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料卻在迎來(lái)市場(chǎng)倍增與產(chǎn)能擴(kuò)張。 安森美二季度財(cái)報(bào)發(fā)布后，就將其2022年碳化硅營(yíng)收預(yù)期上調(diào)為“同比增長(zhǎng)3倍”，而
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功率半導(dǎo)體組件的主流爭(zhēng)霸戰(zhàn)
- 功率半導(dǎo)體組件與電源、電力控制應(yīng)用有關(guān)，特點(diǎn)是功率大、速度快，有助提高能源轉(zhuǎn)換效率，多年來(lái)，功率半導(dǎo)體以硅（Si）為基礎(chǔ)的芯片設(shè)計(jì)架構(gòu)成為主流，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導(dǎo)體材料出現(xiàn)，讓功率半導(dǎo)體組件的應(yīng)用更為多元，效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點(diǎn)高功率組件應(yīng)用研發(fā)聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)林若蓁博士（現(xiàn)職為臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)研究院研究一所副所長(zhǎng)）指出，功率半導(dǎo)體組件是電源及電力控制應(yīng)用的核心，具有降低導(dǎo)通電阻、提升電力轉(zhuǎn)換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管）與IGBT（絕緣
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碳化硅助力電動(dòng)汽車的續(xù)航和成本全方位優(yōu)化
- 與傳統(tǒng)的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于擁有低導(dǎo)通電阻特性以及出色的耐高溫、高頻和耐高壓性能，已經(jīng)成為下一代低損耗半導(dǎo)體可行的候選器件。此外，SiC 讓設(shè)計(jì)人員能夠減少元器件的使用，從而進(jìn)一步降低了設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度。SiC 元器件的低導(dǎo)通電阻特性有助于顯著降低設(shè)備的能耗，從而有助于設(shè)計(jì)出能夠減少 CO2 排放量 的環(huán)保型產(chǎn)品和系統(tǒng)。羅姆在 SiC 功率元器件和模塊的 開(kāi)發(fā)領(lǐng)域處于先進(jìn)地位，這些器件和模塊在許多行業(yè)的 應(yīng)用中都實(shí)現(xiàn)了更佳的節(jié)能效果。水原德健, 羅姆半導(dǎo)體（北京）有限公司技術(shù)中心總經(jīng)理
- 關(guān)鍵字： 202207 碳化硅 電動(dòng)汽車 羅姆
碳化硅助力電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航和成本的全方位優(yōu)化
- 受訪人：水原德健 羅姆半導(dǎo)體（北京）有限公司技術(shù)中心總經(jīng)理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？ 目前，市場(chǎng)上基本按下圖劃分幾種材料功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用場(chǎng)景。當(dāng)?shù)皖l、高壓的情況下適用硅基IGBT，如果稍稍高頻但是電壓不是很高，功率不是很高的情況下，使用硅基MOSFET。如果既是高頻又是高壓的情況下，適用碳化硅MOSFET。那么電壓不需要很大，功率
- 關(guān)鍵字： 羅姆 電動(dòng)汽車 碳化硅
賽米控與羅姆就碳化硅功率元器件展開(kāi)新的合作
- 賽米控（總部位于德國(guó)紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開(kāi)發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)開(kāi)展了十多年的合作。合作儀式剪影：賽米控CEO兼CTO? Karl-Heinz Gaubatz先生（左）羅姆德國(guó)公司社長(zhǎng)?Wolfram Harnack（中）賽米控CSO Peter Sontheimer先生（右） 此次，羅姆的第4代SiC MOSFET正式被用于賽米控的車規(guī)級(jí)功率模塊“eMPack?”，開(kāi)啟了雙方合作的新征程。此外，賽米控宣布已與德國(guó)一家大型汽車制造商簽署
- 關(guān)鍵字： 羅姆 碳化硅 SiC 無(wú)線寬帶
碳化硅介紹
碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡(jiǎn)單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。
發(fā)現(xiàn)
愛(ài)德華·古德里?！ぐ溥d在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術(shù)仍為眾人使用中。
性質(zhì)
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