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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅

          Microsemi推出新型SiC肖特基二極管

          • 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產(chǎn)品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V 肖特基二極管系列,新的二極管產(chǎn)品瞄準廣泛的工業(yè)應用,包括太陽能逆變器、電焊機、等離子切割機、快速車輛充電、石油勘探。
          • 關鍵字: 美高森美  碳化硅  二極管  

          天域半導體聯(lián)合中科院發(fā)力“硅”產(chǎn)業(yè)

          •   記者從東莞市天域半導體科技有限公司獲悉,該公司投資碳化硅(SiC)材料這一高科技領域,連續(xù)砸進1.8億元,正與中科院半導體研究所聯(lián)合,進行“第三代半導體碳化硅外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”,是我國首家、全球第五家專業(yè)從事第三代半導體碳化硅(SiC)外延片生產(chǎn)、研發(fā)和銷售的高科技企業(yè)。  
          • 關鍵字: 天域  半導體  碳化硅  

          科銳推出低基面位錯4H碳化硅外延片

          • LED 領域的市場領先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出其最新低基面位錯(LBPD)100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯材料的外延漂移層的總基面位錯密度小于1 cm-2,引起Vf偏移的基面位錯容量小于0.1 cm-2。
          • 關鍵字: 科銳  LED  碳化硅  

          科銳推出150毫米4H N型碳化硅外延片

          •  科銳材料產(chǎn)品經(jīng)理 Vijay Balakrishna博士表示:“科銳擁有在碳化硅領域100毫米外延片的強大量產(chǎn)能力。最新的150毫米技術將進一步提升碳化硅晶圓片的標準??其J的垂直整合能力確保能夠為客戶提供針對高品質(zhì)150毫米碳化硅外延片的完整解決方案,并為電力電子市場的領先企業(yè)提供穩(wěn)定的供貨保障。
          • 關鍵字: 科銳  碳化硅  LED  

          科銳推出150毫米4H N型碳化硅外延片

          • LED領域的市場領先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出高品質(zhì)、低微管的150毫米 4H N型碳化硅外延片??其J通過推出更大直徑的外延片,從而繼續(xù)引領碳化硅材料市場的發(fā)展。此項最新技術能夠降低設備成本,并能夠利用現(xiàn)有150毫米設備工藝線。新型150毫米外延片擁有高度均一的厚度為100微米的外延層,并已開始訂購。
          • 關鍵字: 科銳  LED  碳化硅  

          開關電源轉換器高性能碳化硅(SiC)功率半導體器件

          • 進入21世紀,開關電源技術將會有更大的發(fā)展,這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學術各界努...
          • 關鍵字: 開關電源  轉換器  碳化硅(SiC)  

          具有快速開關和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管

          • 由于能源成本上升和人們積極應對全球變暖,電力電子設備的能源效率已經(jīng)變得越來越重要。為了提升電力電子設備的能源效率,具有較低功率損耗的功率半導體器件技術是關鍵所在。在半導體器件中,功率損耗的降低可以改善
          • 關鍵字: VCESAT  1200V  開關  碳化硅    

          適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管

          • 功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一,在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設備的諧波標準
          • 關鍵字: 電源應用  碳化硅  肖特基二極管    

          瑞薩開發(fā)出低損耗碳化硅(SiC)功率器件

          • 全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社(TSE:6723,以下簡稱“瑞薩”)宣布開發(fā)出了肖特基勢壘二極管(SBD)RJS6005TDPP,該器件采用了碳化硅材料(SiC,注1)——這種材料被認為具有用于功率半導體器件的巨大潛力。這款新型SiC肖特基勢壘二極管適用于空調(diào)、通信基站和太陽能陣列等大功率電子系統(tǒng)。該器件還采用了日立株式會社與瑞薩聯(lián)合開發(fā)的技術,有助于實現(xiàn)低功耗。與瑞薩采用傳統(tǒng)硅(Si)的現(xiàn)有功率器件相比,其功耗大約降低了40%。
          • 關鍵字: 瑞薩  半導體  碳化硅  

          采用碳化硅作為變頻器,節(jié)能潛力巨大

          • 編者語:在現(xiàn)代工廠的機械設備中,電氣傳動系統(tǒng)所耗費的電能占到了60%~70%,采用節(jié)能傳動系統(tǒng)可以為機械設備降低...
          • 關鍵字: 碳化硅  變頻器  節(jié)能  

          LED碳化硅襯底基礎概要

          • 碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料在...
          • 關鍵字: LED  碳化硅  

          即將普及的碳化硅器件

          •   隨綠色經(jīng)濟的興起,節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中,人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題,電能消耗約占人類總耗能的七成,提高電力利用效率被提至重要地位。   據(jù)統(tǒng)計,60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的,而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅動。在提高電力利用效率中起關鍵作用的是功率器件,也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。   在這種情況下,性能遠優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
          • 關鍵字: 豐田  SiC  碳化硅  MOSFET  200910  

          開關電源技術發(fā)展的十個關注點

          • 上世紀60年代,開關電源的問世,使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來,開關電源技術有了飛迅發(fā)展和變化,經(jīng)歷了功率半導體器件、高頻化和軟開關技術、開關電源系統(tǒng)的集成技術三個發(fā)展階段。
          • 關鍵字: 開關電源,IGBT   碳化硅  AC/DC  
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          碳化硅介紹

          碳化硅(SiC)為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物,碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。 制造 由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中,以1600至2500°C高溫加熱。 發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里?!ぐ溥d在1893年制造出此化合物,并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐,至今此技術仍為眾人使用中。 性質(zhì) 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細 ]

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