碳化硅 文章 進入碳化硅技術(shù)社區(qū)
碳化硅6吋基板供過于求 價格崩盤
- 碳化硅(SiC)6吋基板新產(chǎn)能大量開出,嚴(yán)重供過于求,報價幾乎季季跳水,2024年年中每片低于500美元(約中國大陸制造成本價),第四季價格已有喊到450、400美元(9月400~600美元),甚至更低。產(chǎn)業(yè)人士指出,價格崩盤已讓絕大多數(shù)業(yè)者陷入賠錢銷售,而買家不敢輕易出手撿便宜,因為買方預(yù)期SiC價格還會再下降。而明日之星的8吋SiC基板,雖未到真正量產(chǎn),但2024年報價已快速下滑,尤其是中國大陸價格直落,彷佛坐上溜滑梯,下修速度甚快。業(yè)者分析,8吋SiC基板并沒有標(biāo)準(zhǔn)價格,供應(yīng)鏈端仍屬于試產(chǎn)階段,供給
- 關(guān)鍵字: 碳化硅 基板
聚焦碳化硅項目,鉅芯半導(dǎo)體等三方達(dá)成合作
- 據(jù)“融中心”消息,大連市中韓經(jīng)濟文化交流協(xié)會、韓中文化協(xié)會及安徽鉅芯半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡稱:鉅芯半導(dǎo)體)在安徽省池州市舉行了一場簽約儀式。此次簽約標(biāo)志著三方在碳化硅領(lǐng)域的合作正式開始。據(jù)悉,三方本次合作的核心內(nèi)容圍繞碳化硅襯底、碳化硅外延片及汽車空調(diào)關(guān)鍵零部件的生產(chǎn)展開,將共同打造高質(zhì)量的碳化硅產(chǎn)品生產(chǎn)線。據(jù)了解,今年以來,部分韓國半導(dǎo)體廠商正在持續(xù)發(fā)力碳化硅產(chǎn)業(yè),并不斷取得新進展。據(jù)韓媒ETnews報道,今年3月26日,半導(dǎo)體設(shè)計公司Power Cube Semi宣布,已在韓國首次成功開發(fā)出2
- 關(guān)鍵字: 碳化硅 鉅芯半導(dǎo)體
高功率SiC模塊助力實現(xiàn)可持續(xù)軌道交通
- 國際能源署(IEA)今年發(fā)布的報告稱,2023年全球與能源相關(guān)的二氧化碳排放量達(dá)到374億噸,較2022年增加4.1億噸,再創(chuàng)新的記錄。其中,交通運輸排放增長最為顯著,激增近2.4億噸,位居第一。軌道交通的溫室氣體排放約為航空出行的五分之一,對于由可再生能源發(fā)電驅(qū)動的電氣化列車,這一比率則更低。因此,擴建軌道交通基礎(chǔ)設(shè)施及電氣化改造是減少CO2排放和實現(xiàn)氣候目標(biāo)的關(guān)鍵。與電動汽車不同的是,電力機車已被廣泛使用了一百多年。然而,全球范圍內(nèi)的軌道交通電氣化轉(zhuǎn)型仍然方興未艾,不同國家和地區(qū)的軌道交通電氣化率存在
- 關(guān)鍵字: 碳化硅 功率模塊 軌道交通
劍指8英寸碳化硅!兩大廠官宣合作
- 9月24日,Resonac(原昭和電工)在官網(wǎng)宣布,其與Soitec簽署了一項合作協(xié)議,雙方將共同開發(fā)用于功率半導(dǎo)體的8英寸碳化硅鍵合襯底。在這次共同開發(fā)中,Resonac將向Soitec提供碳化硅單晶,Soitec將使用這些單晶制造碳化硅鍵合襯底。鍵合技術(shù)加速碳化硅8英寸轉(zhuǎn)型據(jù)悉,Soitec擁有一種獨有的SmartSiC?技術(shù),該技術(shù)通過處理高質(zhì)量的碳化硅單晶襯底,將處理后的表面鍵合到多晶碳化硅晶圓作為支撐襯底,然后將單晶襯底分割成薄膜,從而從一個碳化硅單晶襯底生產(chǎn)出多個高質(zhì)量的碳化硅晶圓,由此顯著提
- 關(guān)鍵字: 8英寸 碳化硅 Resonac
美印宣布將在印度建立半導(dǎo)體工廠,生產(chǎn)氮化鎵、碳化硅等芯片
- 美國和印度達(dá)成協(xié)議,將共同在印度建立一家半導(dǎo)體制造廠,助力印度總理莫迪加強該國制造業(yè)的雄心計劃。據(jù)白宮消息人士稱,擬建的工廠將生產(chǎn)紅外、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導(dǎo)體,這是美國總統(tǒng)拜登和莫迪在特拉華州會晤后發(fā)布的。消息人士稱,該工廠的建立將得到印度半導(dǎo)體計劃(ISM),以及Bharat Semi、3rdiTech和美國太空部隊之間的戰(zhàn)略技術(shù)伙伴關(guān)系的支持。印度在亞洲的戰(zhàn)略地緣政治地位為該國及其在技術(shù)領(lǐng)域所能提供的機會提供了新的關(guān)注點。在過去十年中,莫迪曾多次表示,他將把印度定位為中國的替代品,并
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 氮化鎵 碳化硅
EPC Power 攜手 Wolfspeed,以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級儲能方案
- 幾十年來,電網(wǎng)一直是電力生產(chǎn)單位和消費者之間可靠的橋梁,只需輕輕一按開關(guān),便能暢通無阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬戶。然而,隨著太陽能和風(fēng)能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長,現(xiàn)有電網(wǎng)唯有成功應(yīng)對新的挑戰(zhàn)(包括整合儲能系統(tǒng)),才能確保在用電高峰期電力供應(yīng)充足。 EPC Power 作為一家提供尖端功率轉(zhuǎn)換解決方案的知名地面電站逆變器制造商,現(xiàn)已攜手 Wolfspeed 開發(fā)解決方案,共同應(yīng)對儲能挑戰(zhàn)。此次強強聯(lián)合,雙方利用碳化硅的強大性能,打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”,使并網(wǎng)儲能系統(tǒng)比以往任何時
- 關(guān)鍵字: EPC Power Wolfspeed 碳化硅 模塊化 電網(wǎng)級儲能
EPC Power攜手Wolfspeed,以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級儲能方案
- 幾十年來,電網(wǎng)一直是電力生產(chǎn)單位和消費者之間可靠的橋梁,只需輕輕一按開關(guān),便能暢通無阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬戶。然而,隨著太陽能和風(fēng)能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長,現(xiàn)有電網(wǎng)唯有成功應(yīng)對新的挑戰(zhàn)(包括整合儲能系統(tǒng)),才能確保在用電高峰期電力供應(yīng)充足。EPC Power 作為一家提供尖端功率轉(zhuǎn)換解決方案的知名地面電站逆變器制造商,現(xiàn)已攜手 Wolfspeed 開發(fā)解決方案,共同應(yīng)對儲能挑戰(zhàn)。此次強強聯(lián)合,雙方利用碳化硅的強大性能,打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”,使并網(wǎng)儲能系統(tǒng)比以往任何時候
- 關(guān)鍵字: EPC Power Wolfspeed 碳化硅 電網(wǎng)級儲能方案
8英寸碳化硅時代呼嘯而來!
- 近日,我國在8英寸碳化硅領(lǐng)域多番突破,中國電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再升級,三義激光首批碳化硅激光設(shè)備正式交付,天岳先進8英寸碳化硅襯底批量銷售,上海漢虹成功制備8英寸碳化硅晶體。8英寸碳化硅時代已呼嘯而來,未來將會有更多廠商帶來新的產(chǎn)品和技術(shù),我們拭目以待。關(guān)鍵突破!中國電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再升級近日,中國電科48所自主研發(fā)的8英寸碳化硅外延設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)再獲突破。圖片來源:中國電科據(jù)中國電科官方消息,碳化硅外延爐是第三代半導(dǎo)體碳化硅器件制造的核心裝備之一。此次“全新升級”的8英寸碳化硅外延
- 關(guān)鍵字: 8英寸 碳化硅
我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)
- 9 月 3 日消息,“南京發(fā)布”官方公眾號于 9 月 1 日發(fā)布博文,報道稱國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)歷時 4 年自主研發(fā),成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù),打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”,實現(xiàn)我國在該領(lǐng)域的首次突破。項目背景碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一,具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu),目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
- 關(guān)鍵字: 碳化硅 mosfet 第三代半導(dǎo)體 寬禁帶
國家隊加持,芯片制造關(guān)鍵技術(shù)首次突破
- 據(jù)南京發(fā)布近日消息,國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)歷時4年自主研發(fā),成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù),打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國在這一領(lǐng)域的首次突破。公開資料顯示,碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一,具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅MOS主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)。目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片為主。平面碳化硅MOS結(jié)構(gòu)的特點是工藝簡單,元胞一致性較好、雪崩能量比較高;缺點是當(dāng)電流被
- 關(guān)鍵字: 碳化硅 溝槽型碳化硅 MOSFET
碳化硅,跨入高速軌道
- 正如業(yè)界預(yù)期的那樣,目前碳化硅正邁入高速增長階段。觀察市場情況,碳化硅產(chǎn)業(yè)熱鬧不斷:英飛凌、意法半導(dǎo)體、天岳先進、三安光電、羅姆等大廠加速擴充碳化硅產(chǎn)能;英國Alan Anderson公司和印度大陸器件公司CDIL簽署合作協(xié)議,安森美與Entegris已開展合作,PVA TePle已與Scientific Visual建立合作伙伴關(guān)系;印度首家半導(dǎo)體芯片制造商Polymatech Electronics收購美國碳化硅相關(guān)公司Nisene;長飛先進與懷柔實驗室簽署碳化硅功率器件成果合作轉(zhuǎn)化意向協(xié)
- 關(guān)鍵字: 碳化硅
8英寸碳化硅,如火如荼
- 近日消息,全球最大8英寸碳化硅晶圓廠啟動。功率半導(dǎo)體大廠英飛凌于8月8日宣布,已正式啟動位于馬來西亞新晶圓廠的第一階段,該晶圓廠將成為全球最大、最具競爭力的200毫米(8英寸)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體晶圓廠,預(yù)計2025年開始量產(chǎn)。碳化硅尺寸越大,單位芯片成本越低,故6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型升級是技術(shù)發(fā)展的必然趨勢。業(yè)界人士稱,預(yù)計從2026年至2027年開始,現(xiàn)在的6英寸碳化硅產(chǎn)品都將被8英寸產(chǎn)品替代。當(dāng)前來看,第三代半導(dǎo)體碳化硅加速邁進8英寸時代,并引得“天下群雄”踴躍進軍。據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計,英
- 關(guān)鍵字: 碳化硅
印度芯片制造商宣布收購碳化硅相關(guān)廠商
- 據(jù)外媒報道,8月5日,印度首家半導(dǎo)體芯片制造商Polymatech Electronics宣布已正式收購美國公司Nisene Technology Group Inc。此次收購由Polymatech位于新加坡的全資子公司Artificial Electronics Intelligent Materials Pte Ltd.執(zhí)行。Nisene即將上任的首席執(zhí)行官Ryan Young表示,此次收購補充了Polymatech的尖端產(chǎn)品組合,并推動了新產(chǎn)品的開發(fā)。資料顯示,Nisene自20世紀(jì)70
- 關(guān)鍵字: 印度 碳化硅
英飛凌馬來西亞居林第三廠區(qū)啟用,未來將成世界最大碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠
- IT之家 8 月 8 日消息,英飛凌今日宣布,其位于馬來西亞的居林第三廠區(qū)(Kulim 3)一期正式啟用。該階段聚焦碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體的生產(chǎn),也將關(guān)注氮化鎵(GaN)外圍晶圓。▲ 英飛凌居林第三廠區(qū)英飛凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建設(shè)計劃,投資額達(dá) 20 億美元(IT之家備注:當(dāng)前約 143.43 億元人民幣),可創(chuàng)造 900 個高價值工作崗位。英飛凌此后又在 2023 年 8 月宣布了價值 50 億美元(當(dāng)前約 358.57 億元人民幣)的 Kulim 3 二期計劃
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 碳化硅 功率器件
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473