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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅

          “新一輪產業(yè)升級,全球進入第三代半導體時代“

          • 隨著物聯網,大數據和人工智能驅動的新計算時代的發(fā)展,對半導體器件的需求日益增長,對器件可靠性與性能指標的要求也更加嚴苛。以碳化硅為代表的第三代半導體開始逐漸受到市場的重視,國際上已形成完整的覆蓋材料,器件,模塊和應用等環(huán)節(jié)的產業(yè)鏈。全球新一輪的產業(yè)升級已經開始,正在逐漸進入第三代半導體時代。 碳化硅,作為發(fā)展的最成熟的第三代半導體材料,其寬禁帶,高臨界擊穿電場等優(yōu)勢,是制造高壓高溫功率半導體器件的優(yōu)質半導體材料。已在智能電網,軌道交通,新能源,開關電源等領域得到了應用,展現出了優(yōu)良的性質和廣闊的
          • 關鍵字: 碳化硅,半導體  

          安森美全面布局碳化硅市場:汽車、新能源、5G

          • 目前,碳化硅市場正處于快速增長中,根據各大咨詢機構統(tǒng)計,碳化硅在電源的功率因數校正(PFC)、太陽能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高頻開關電源等領域都擁有非常廣闊的市場。與傳統(tǒng)硅材料相比,新一代的寬禁帶半導體材料碳化硅可提供高場強、高能隙,以及高電子移動速度和熱導率,讓下一代半導體器件的性能得到革命性提升。
          • 關鍵字: 安森美  SiC  碳化硅  

          減少開關損耗:儒卓力提供來自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET

          • 羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結構(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款,與傳統(tǒng)3引腳封裝類型(TO-247N)相比,可最大限度地提高開關性能,并將開關損耗降低多達35%。SiC-MOSFET特別適合在服務器電源、UPS系統(tǒng)、太陽能逆變器和新能源汽車充電站中的節(jié)能使用。通過使用TO-247-4L封裝,驅動器和電流源引腳得以分離,從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著降低功耗,對于必須提供不間斷電源的高性能應
          • 關鍵字: MOSFET  碳化硅  UPS  

          英飛凌新一代650V碳化硅MOSFET的性能和應用分析

          • 2020年2月,碳化硅的領導廠商之一英飛凌祭出了650V CoolSiC? MOSFET,帶來了高性能和高功效。它是如何定義性能和應用場景的?下一步產品計劃如何?碳化硅業(yè)的難點在哪里?為此,電子產品世界等媒體視頻采訪了英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)開關電源應用高級市場經理陳清源先生。英飛凌科技 電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū) 開關電源應用高級市場經理 陳清源據悉,此次英飛凌推出了8款650V CoolSiC? MOSFET產品,采用2種插件TO-247封裝,既可采用典型的TO-247 三引腳封裝,也
          • 關鍵字: MOSEFT  碳化硅  SMD  

          碳化硅發(fā)展勢頭旺,英飛凌祭出650 V C oolSiC M O SFET

          • 王? 瑩? (《電子產品世界》編輯)近期,多家公司發(fā)布了碳化硅 (SiC)方面的新產品。作為新興 的第三代半導體材料之一,碳化硅 具備哪些優(yōu)勢,現在的發(fā)展程度 如何?不久前,碳化硅的先驅英飛凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ,值此機會,電子產品世 界訪問了英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事 業(yè)部大中華區(qū)開關電源應用高級市 場經理陳清源先生。 碳化硅與氮化鎵、硅材料的關系 碳化硅MOSFET是一種新器 件,使一些以前硅材料很難被應用 的電源轉換結構,例如電流連續(xù)模 式
          • 關鍵字: 202004  碳化硅  CoolSiC? MOSFET  

          GT Advanced Technologies和安森美半導體 簽署生產和供應碳化硅材料的協(xié)議

          • GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半導體(ON Semiconductor),宣布執(zhí)行一項為期五年的協(xié)議,總價值可達5,000萬美元。根據該協(xié)議,GTAT將向高能效創(chuàng)新的全球領袖之一的安森美半導體生產和供應CrystX?碳化硅(SiC)材料,用于高增長市場和應用。
          • 關鍵字: GT Advanced Technologies  安森美  碳化硅  

          碳化硅(SiC)功率器件或在電動汽車領域一決勝負

          • 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個大階段:硅晶閘管(可控硅)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和剛顯露頭角的碳化硅(SiC)系列大功率半導體器件。碳化硅屬于第三代半導體材料,與普通的硅材料相比,碳化硅的優(yōu)勢非常突出,它不僅克服了普通硅材料的某些缺點,在功耗上也有非常好的表現,因而成為電力電子領域目前最具前景的半導體材料。正因為如此,已經有越來越多的半導體企業(yè)開始進入SiC市場。到2023年,SiC功率半導體市場預計將達到15億美元。SiC器件的供應商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
          • 關鍵字: 碳化硅、SiC、功率器件、電動汽車  

          羅姆子公司SiCrystal和意法半導體宣布簽署碳化硅晶圓長期供應協(xié)議

          • 近日,羅姆和橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;)宣布,意法半導體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅(SiC)晶圓長期供應協(xié)議。SiCrystal為一家在歐洲SiC晶圓市場占有率領先的龍頭企業(yè)。協(xié)議規(guī)定, SiCrystal將向意法半導體提供總價超過1.2億美元的先進的150mm碳化硅晶片,滿足時下市場對碳化硅功率器件日益增長的需求。意法半導體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示:“該SiC襯底長期供應協(xié)
          • 關鍵字: 碳化硅  晶圓  

          環(huán)球晶圓:硅晶圓明年回溫

          • 半導體硅晶圓大廠環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭日前表示,明年半導體景氣仍受貿易摩擦、總體經濟及匯率三大變數干擾,但從客戶端庫存改善、拉貨動能加溫,以及應用擴大等來看,硅晶圓產業(yè)已在本季落底,明年上半年整體景氣動能升溫速度優(yōu)于預期,她預估環(huán)球晶圓明年首季與本季持平或略增,往后將會逐季成長。
          • 關鍵字: 環(huán)球晶圓  硅晶圓  碳化硅  

          Maxim發(fā)布隔離式碳化硅柵極驅動器,提供業(yè)界最佳電源效率、有效延長系統(tǒng)運行時間

          • 近日,Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出MAX22701E隔離柵極驅動器,幫助高壓/大功率系統(tǒng)設計者將電源效率提升4%,優(yōu)于競爭產品;功耗和碳排放減少30%。驅動器IC優(yōu)化用于工業(yè)通信系統(tǒng)的開關電源,典型應用包括太陽能電源逆變器、電機驅動、電動汽車、儲能系統(tǒng)、不間斷電源、數據農場及其他大功率/高效率電源等。目前,許多開關電源采用寬帶隙碳化硅(SiC)晶體管來提高電源效率和晶體管可靠性。但是,高開關頻率的瞬態(tài)特性會產生較大噪聲,影響系統(tǒng)的正常工作或者需要額外的措施抑制干擾
          • 關鍵字: 碳化硅  柵極驅動器  

          意法半導體完成對碳化硅晶圓廠商Norstel AB的并購

          • 近日, 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)于12月2日宣布,完成對瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商Norstel AB(“ Norstel”)的整體收購。在2019年2月宣布首次交易后,意法半導體行使期權,收購了剩余的45%股份。Norstel并購案總價為1.375億美元,由現金支付。
          • 關鍵字: 意法半導體  碳化硅  Norstel AB  

          科銳與ABB在汽車和工業(yè)領域展開SiC合作

          • 全球碳化硅(SiC)技術領先企業(yè)科銳與ABB電網事業(yè)部宣布達成合作,共同擴展SiC在快速增長大功率半導體市場的采用。協(xié)議內容包括在ABB種類齊全的產品組合中將采用科銳Wolfspeed SiC基半導體,這將助力科銳擴大客戶基礎,同時加快ABB進入正在快速擴大的電動汽車(EV)市場。
          • 關鍵字: 科銳  ABB  碳化硅  

          北京經開區(qū)第三代半導體現新突破

          • 一輛新能源汽車、一組高能效服務器電源,核心功能的實現都離不開電力電子系統(tǒng)中半導體器件的支撐。碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料的典型代表,具有低能耗、體積小、重量輕等特點,國際上都在競相研發(fā)碳化硅半導體制備技術。近日,記者在區(qū)內企業(yè)世紀金光半導體有限公司(以下簡稱“世紀金光”)了解到,其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實現小批量試產,研發(fā)的功率器件和模塊也已大批量應用于新能源汽車、光伏、充電樁、高能效服務器電源、特種電源等領域,實現第三代半導體碳化硅關鍵領域全面布局。
          • 關鍵字: 第三代半導體  碳化硅  世紀金光  

          國際首次碳化硅MEMS微推力器陣列在軌點火試驗成功

          • 近日,隨金牛座納星運行了37天的碳化硅MEMS(微機電系統(tǒng))微推力器陣列芯片接受地面點火指令成功點火,在軌驗證了對金牛座納星的姿態(tài)控制技術。?
          • 關鍵字: MEMS  碳化硅  微推力器陣列  

          第三代半導體將催生萬億元市場

          •   日前,第三屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳舉行。與會專家學者認為,第三代半導體未來應用潛力巨大,具備變革性的突破力量,是半導體以及下游電力電子、通訊等行業(yè)新一輪變革的突破口?! ?018年,美國、歐盟等持續(xù)加大第三代半導體領域研發(fā)支持力度,國際廠商積極、務實推進,商業(yè)化的碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)電力電子器件新品不斷推出,性能日益提升,應用逐漸廣泛。受益于整個半導體行業(yè)宏觀政策利好、資本市場追捧、地方積極推進、企業(yè)廣泛進入等積極因素,國內第三代半導體產業(yè)穩(wěn)步發(fā)展。但是,在材料指標、器件性能等方
          • 關鍵字: 半導體  碳化硅  
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          碳化硅介紹

          碳化硅(SiC)為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物,碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。 制造 由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中,以1600至2500°C高溫加熱。 發(fā)現 愛德華·古德里?!ぐ溥d在1893年制造出此化合物,并發(fā)展了生產碳化硅用之艾其遜電弧爐,至今此技術仍為眾人使用中。 性質 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細 ]

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