絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章進(jìn)入絕緣柵雙極型晶體管(igbt)技術(shù)社區(qū)

富士電機(jī)電子元件事業(yè)本部CTO藤平龍彥博士一行蒞臨青銅劍科技考察交流

　　11月7日，富士電機(jī)株式會(huì)社電子元件事業(yè)本部CTO藤平龍彥博士一行到訪青銅劍科技。這是繼今年5月應(yīng)用技術(shù)部部長(zhǎng)五十嵐征輝博士來訪之后，富士電機(jī)高層再次蒞臨青銅劍科技商談合作事宜，標(biāo)志著雙方合作進(jìn)入新階段。青銅劍科技總工程師高躍博士和市場(chǎng)總監(jiān)蔡雄飛對(duì)藤平龍彥博士一行的來訪表示熱烈歡迎，詳細(xì)介紹了公司的核心產(chǎn)品以及與富士電機(jī)的合作進(jìn)展。藤平龍彥博士對(duì)青銅劍科技最新的IGBT驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品非常關(guān)注，仔細(xì)詢問了產(chǎn)品的性能優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域，對(duì)青銅劍科技的研發(fā)實(shí)力表示充分肯定。會(huì)談期間，雙方對(duì)下一步的合作重點(diǎn)和計(jì)劃
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推進(jìn)航天領(lǐng)域合作 l 航天科工微電院董事長(zhǎng)武春風(fēng)一行到訪青銅劍科技

　　11月8日，成都航天科工微電子系統(tǒng)研究院有限公司董事長(zhǎng)武春風(fēng)一行到訪青銅劍科技，董事長(zhǎng)汪之涵博士、總工程師高躍博士和副總裁傅俊寅陪同接待，雙方就合作事宜進(jìn)行了深入交流?！　⊥糁┦颗阃浯猴L(fēng)一行參觀了公司展廳和研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，詳細(xì)介紹了青銅劍科技的核心產(chǎn)品、領(lǐng)先技術(shù)、應(yīng)用領(lǐng)域及公司發(fā)展規(guī)劃等情況。武春風(fēng)對(duì)青銅劍科技的科技創(chuàng)新成果表示積極肯定。座談中，雙方就航天領(lǐng)域的前沿技術(shù)和熱點(diǎn)話題進(jìn)行了深入探討和討論，進(jìn)一步商談了合作細(xì)節(jié)，一致表示未來將擴(kuò)展多渠道的合作。　　航天科工微電子系統(tǒng)研究院秉持“信息互通、資
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IXYS IGBT驅(qū)動(dòng)模塊可幫助高功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)，縮短設(shè)計(jì)時(shí)間，降低設(shè)計(jì)成本

　　IXYS公司新推出的IXIDM1403驅(qū)動(dòng)模塊旨在為市場(chǎng)提供IGBT驅(qū)動(dòng)器件，使設(shè)計(jì)周期縮短，設(shè)計(jì)成本做到盡可能最低，并具有極高的緊湊性和最高的性能和可靠性。IXIDM1403支持雙通道大功率IGBT模塊，隔離電壓高達(dá)4000 V，開關(guān)速度高達(dá)50 kHz，具有短路保護(hù)和電源電壓監(jiān)控功能?！　XIDM1403是基于IX6610 / IX6611 / IXDN630芯片組的高壓隔離柵極驅(qū)動(dòng)模塊，它允許創(chuàng)建隔離的IGBT驅(qū)動(dòng)器，在初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)之間以及次級(jí)側(cè)驅(qū)動(dòng)器之間設(shè)置高壓隔離柵。它創(chuàng)建了一個(gè)非常靈活
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新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗

本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：
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安森美半導(dǎo)體推動(dòng)電動(dòng)汽車充電樁市場(chǎng)創(chuàng)新發(fā)展

　　電動(dòng)汽車(也叫新能源汽車)是指以車載電源為動(dòng)力，用電機(jī)驅(qū)動(dòng)車輪行駛，符合道路交通、安全法規(guī)各項(xiàng)要求的車輛由于對(duì)環(huán)境影響相對(duì)傳統(tǒng)汽車較小，它的前景被廣泛看好近年來在國(guó)家環(huán)保政策的激勵(lì)下，在大家對(duì)綠色低碳健康生活的憧憬下，電動(dòng)汽車正日益普及。中國(guó)是世界最大的汽車市場(chǎng)，中國(guó)新能源汽車業(yè)近年來快速發(fā)展令世界矚目。據(jù)Goldman Sachs報(bào)道，2016年中國(guó)電動(dòng)汽車占全世界電動(dòng)汽車的45%, 這一百分比到2030年可能升至60%。根據(jù)中國(guó)的“一車一樁”計(jì)劃，電動(dòng)汽車充電樁總數(shù)在2020年將達(dá)480萬(wàn)個(gè)，與現(xiàn)
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基于EXB841的IGBT 驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化設(shè)計(jì)

設(shè)計(jì)高性能的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路是安全使用IGBT的關(guān)鍵技術(shù).日本FUJI公司的EXB841芯片是一種典型的適用于300A以下IGBT的專用驅(qū)動(dòng)電路，具有單電源、正負(fù)偏壓
關(guān)鍵字： EXB841 IGBT 驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化設(shè)計(jì)

IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)中的必知問題

引言IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率
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關(guān)于PWM“死區(qū)”時(shí)間知識(shí)解析

pwm是脈寬調(diào)制,在電力電子中，最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。對(duì)三相電來說，就需要三個(gè)橋臂。以兩電平為例，每個(gè)橋臂上有兩個(gè)
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汽車電子化帶來的電源、電池、充電系統(tǒng)的挑戰(zhàn)

　　車用電氣/電源/電子系統(tǒng)的發(fā)展動(dòng)向　　自上世紀(jì)70年代以來，為應(yīng)對(duì)石油禁運(yùn)，減少對(duì)石油的依賴性，節(jié)能減排就成為汽車業(yè)重點(diǎn)關(guān)注的。汽車中電子成分不斷增加。環(huán)境及能源法規(guī)促進(jìn)電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力汽車蓬勃發(fā)展?！　∫詢?nèi)燃機(jī)作為唯一動(dòng)力來源的傳統(tǒng)汽車，正在實(shí)現(xiàn)汽車功能電子化的好處，以提高整體汽車燃油效率。輕度混合動(dòng)力和微混合動(dòng)力汽車越來越流行，尤其是內(nèi)置 48V 動(dòng)力配件的汽車。除了支持 12V 系統(tǒng)無(wú)法支持的高功率負(fù)載(>10kW)外，添加 48V系統(tǒng)的另一個(gè)好處是，由于使用較小的儀表接線，車輛配電系統(tǒng)
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詳解三種IGBT驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)方法

本文著重介紹三個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路的作用是將單片機(jī)輸出的脈沖進(jìn)行功率放大，以驅(qū)動(dòng)IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動(dòng)電路起著至關(guān)重要的作用
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高逆變效率的變壓器拓?fù)渲v解

對(duì)于逆變器設(shè)計(jì)較為熟悉朋友肯定知道，想要使設(shè)計(jì)出的變壓器性價(jià)比最為劃算，使用IGBT是較為明智的選擇。這主要是因?yàn)镮GBT非線性特性使得導(dǎo)通壓降不會(huì)
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絕緣柵雙極型晶體管原理小科普

對(duì)于新人工程師而言，掌握絕緣柵雙極型晶體管原理知識(shí)是非常重要的，這將會(huì)對(duì)工程師日后的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和研發(fā)工作提供極大的幫助。在今天的文章中，我們將
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IGBT直流穩(wěn)壓大功率電源設(shè)計(jì)之電路設(shè)計(jì)方案

直流大功率電源是目前工業(yè)、照明等領(lǐng)域中不可或缺的重要組成部分，也是很多工程師的重點(diǎn)設(shè)計(jì)方向之一。此前我們?cè)?jīng)分享過幾種穩(wěn)壓直流大功率電源的設(shè)
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IGBT是什么東西，有神馬作用？

　　IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。　　IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上;IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊;
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IGBT驅(qū)動(dòng)芯片額定輸出功率密度不足的分析

電源技術(shù)不斷進(jìn)步，這就使得傳統(tǒng)的一些單一電源方案不再適合于對(duì)現(xiàn)如今的產(chǎn)品。最典型的例子就是隨著應(yīng)急電源與不間斷電源的誕生，IGBT技術(shù)開始走俏起
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