絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章進(jìn)入絕緣柵雙極型晶體管(igbt)技術(shù)社區(qū)

新型功率半導(dǎo)體器件及應(yīng)用創(chuàng)新中心成立

　　“新型功率半導(dǎo)體器件及應(yīng)用創(chuàng)新中心的成立，將推動(dòng)形成‘技術(shù)創(chuàng)新—轉(zhuǎn)化—規(guī)模化應(yīng)用—投資再創(chuàng)新’的閉環(huán)，推動(dòng)創(chuàng)新成果在先進(jìn)軌道交通、智能電網(wǎng)、消費(fèi)電子、電動(dòng)汽車等重要領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。”日前，在湖南株洲召開的“湖南省IGBT產(chǎn)業(yè)對(duì)接會(huì)”上，中國(guó)工程院院士、中國(guó)IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長(zhǎng)丁榮軍說。　　新型功率半導(dǎo)體是關(guān)系國(guó)民經(jīng)濟(jì)命脈的共性關(guān)鍵技術(shù)，涉及先進(jìn)軌道交通裝備、節(jié)能與新能源汽車、電
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給世界一顆“中國(guó)芯”

　　一個(gè)國(guó)家老工業(yè)城市如何在新時(shí)期取得成功? 　　美國(guó)硅谷的經(jīng)驗(yàn)值得我們借鑒。第三次科技革命以來，硅谷不斷創(chuàng)造和孕育出世界上最偉大的公司，并不斷匯聚世界各地的人才、技術(shù)和資本，歷經(jīng)歲月變遷而始終屹立于世界科技浪潮的前沿。硅谷的創(chuàng)新覆蓋了很多領(lǐng)域(互聯(lián)網(wǎng)、通信、生物制藥、電動(dòng)汽車等)，以至于很難講它的支柱產(chǎn)業(yè)是什么。　　硅谷的成功源于它唯一且持之以恒的核心競(jìng)爭(zhēng)力——創(chuàng)新。　　如今，中國(guó)內(nèi)陸的老工業(yè)基地株洲，也開始了基于創(chuàng)新的城市全方位轉(zhuǎn)型升級(jí)。這座素有“動(dòng)力之都
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三菱電機(jī)應(yīng)用于電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)的IGBT模塊解決方案

三菱電機(jī)起初根據(jù)客戶的要求設(shè)計(jì)定制化的汽車級(jí)模塊，并且從1997年起就將汽車級(jí)IGBT模塊成功地應(yīng)用于電動(dòng)汽車中。隨后推出了非定制型的J-系列汽車級(jí)功率模塊T-PM和IPM;目前針對(duì)全球推出了新一代汽車級(jí)功率模塊J1-系列EV PM。
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東芝推出具有2.5A峰值輸出電流、采用低高度封裝的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器

　　東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布推出采用低高度SO8L封裝的新型柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器“TLP5832”。該產(chǎn)品提供2.5A峰值輸出電流，可直接驅(qū)動(dòng)中級(jí)IGBT。出貨即日啟動(dòng)?！　⌒翴C采用SO8L封裝，封裝高度比東芝采用SDIP6和DIP8(LF1選項(xiàng))封裝的現(xiàn)有產(chǎn)品降低約54%，可為封裝高度有限的電路板安裝提供支持，同時(shí)有助于實(shí)現(xiàn)芯片組小型化。盡管尺寸小，但是該IC可保證爬電距離和至少8mm的電氣間隙，使其適合需要高隔離性能的應(yīng)用。　　此外，該新型柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器可在–40至+110
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【E問E答】如何減輕米勒電容所引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)

　　當(dāng)IGBT在開關(guān)時(shí)普遍會(huì)遇到的一個(gè)問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺(tái)。米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中影響是很明顯的。基于門極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會(huì)引發(fā)門極VGE間電壓升高而導(dǎo)通，這是一個(gè)潛在的風(fēng)險(xiǎn)(如圖1)?！　?nbsp; 　　圖1：下管IGBT因?yàn)榧纳桌针娙荻饘?dǎo)通　　寄生米勒電容引起的導(dǎo)通　　在半橋拓?fù)渲?，?dāng)上管IGBT(S1)正在導(dǎo)通，產(chǎn)生變化的電壓dV/dt加在下管IGBT(S1)C-E間。電流流經(jīng)S
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采用TO-247PLUS封裝的高功率密度單管IGBT

　　英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大1200 V單管IGBT產(chǎn)品組合陣容，推出最高電流達(dá)75 A的新產(chǎn)品系列。TO-247PLUS封裝同時(shí)還集成全額定電流反并聯(lián)二極管。全新TO-247PLUS 3腳和4腳封裝可滿足對(duì)更高功率密度和更高效率不斷增長(zhǎng)的需求。需要高功率密度1200VIGBT的典型應(yīng)用包括變頻器、光伏逆變器和不間斷電源(UPS)。其他應(yīng)用包括電池充電和儲(chǔ)能系統(tǒng)。　　相比常規(guī)TO-247-3封裝而言，全新TO-247PLUS封裝可實(shí)現(xiàn)雙倍額定電流。由于去除了標(biāo)準(zhǔn)TO-24
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面向單管IGBT的TRENCHSTOP? Advanced Isolation封裝

　　英飛凌科技股份公司推出全新封裝技術(shù)TRENCHSTOP??Advanced?Isolation。TRENCHSTOP??Advanced?Isolation可用于TRENCHSTOP和TRENCHSTOP?Highspeed?3?IGBT，確保一流的散熱性能并簡(jiǎn)化制造流程。兩個(gè)版本均經(jīng)過性能優(yōu)化，可取代全塑封封裝(FullPAK)及標(biāo)準(zhǔn)和高性能絕緣箔。該新封裝適用于諸多應(yīng)用，如空調(diào)功率因數(shù)校正(PFC)、不間斷電源(UPS)和變頻器
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IGBT產(chǎn)業(yè)研究:中國(guó)“芯”希望

　　2017年開年以來有這樣一些事件進(jìn)入我們的視線:①2月,IGBT等電力電子功率器件被列入《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄》。②3月14日,捷捷微電上市,主營(yíng)晶閘管等功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)生產(chǎn)和銷售。③5月,國(guó)家科技重大專項(xiàng)(02專項(xiàng))實(shí)施管理辦公室驗(yàn)收中環(huán)股份“區(qū)熔硅單晶片產(chǎn)業(yè)化技術(shù)與國(guó)產(chǎn)設(shè)備研制”項(xiàng)目。④5月17日,國(guó)電南瑞公布非公開發(fā)行預(yù)案,募集配套中16.4億元用于IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。　　一直以來,IGBT技術(shù)被國(guó)外半導(dǎo)體廠商壟斷,截至2015年我國(guó)IGBT市
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基于風(fēng)電系統(tǒng)單體變流器的結(jié)構(gòu)應(yīng)用設(shè)計(jì)

本文介紹了風(fēng)電變流器核心組成部分的單體變流器在機(jī)柜結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中空間狹小、工作環(huán)境惡劣等特點(diǎn)，本文進(jìn)行了結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)分析。主要內(nèi)容包括：?jiǎn)误w變流器的組成布局、功率器件維護(hù)、結(jié)構(gòu)受力，以及可維護(hù)性等。
關(guān)鍵字：風(fēng)電變流器 IGBT 退火處理

IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用、工作特性與使用要求

　　IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用：　　IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大，以達(dá)到驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提，驅(qū)動(dòng)電路起到至關(guān)重要的作用?！　GBT的工作特性：　　IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負(fù)電壓來控制。當(dāng)加上正柵極電壓時(shí),管子導(dǎo)通;當(dāng)加上負(fù)柵極電壓時(shí),管子關(guān)斷?！　? ?　　IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開關(guān)電源中的IGBT通過UGE電平
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小小一顆IGBT如何撬動(dòng)電動(dòng)汽車逆變器？

本文設(shè)計(jì)一種驅(qū)動(dòng)供電電源，并通過實(shí)際測(cè)試證明其可用性。常見的驅(qū)動(dòng)電源采用反激電路和單原邊多副邊的變壓器進(jìn)行設(shè)計(jì)。
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基于IGBT模塊的電能質(zhì)量治理設(shè)備能耗狀況及節(jié)能分析

本文重點(diǎn)研究了基于IGBT模塊的電能質(zhì)量類治理設(shè)備的能耗狀況及節(jié)能路徑。首先，對(duì)典型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的SVG、APF、MEC在額定輸出工況下的損耗特性進(jìn)行了分析，確定了主要耗能部分;隨后，分析了 IGBT模塊能耗機(jī)理及降耗可行性路徑;最后，總結(jié)出現(xiàn)階段國(guó)內(nèi)基于IGBT模塊的電能質(zhì)量類治理設(shè)備降低自身工作能耗的重點(diǎn)改進(jìn)方向。
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Power Integrations推出緊湊、高效的SCALE-iDriver? IC產(chǎn)品系列，可支持1700 V IGBT

　　中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者今天推出SCALE-iDriver?系列電磁隔離的單通道門極驅(qū)動(dòng)IC的擴(kuò)展產(chǎn)品。新器件支持耐壓為1700 V以內(nèi)的IGBT，通常適用于400 VAC至690 VAC的應(yīng)用。它們也適用于最新的三電平拓?fù)涔夥孀兤?，以及采?500 V新直流母線標(biāo)準(zhǔn)的光伏陣列。擴(kuò)展后的1700 V SCALE-iDriver產(chǎn)品系列允許OEM廠商在各類解決方案中使用相同的高度集成、安全可靠的驅(qū)動(dòng)器方案。
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【E課堂】IGBT淺析，IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理

　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上
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提升IGBT自給率給工業(yè)與汽車電子領(lǐng)域一顆“中國(guó)芯”

　　半導(dǎo)體分立器件IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)潛在市場(chǎng)巨大，在工業(yè)控制、汽車電子、新能源、智能電網(wǎng)應(yīng)用市場(chǎng)廣闊，而中國(guó)IC制造芯片廠也正積極尋求突破口，以成熟的工藝制程落地在地生產(chǎn)，提升國(guó)產(chǎn)IGBT芯片模塊的自給率。　　IGBT應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，堪稱現(xiàn)代功率變流裝置的“心臟”和高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。從傳統(tǒng)的電力、機(jī)械、礦冶，到軌道交通、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，都有它的身影。　　不過當(dāng)前全球IGBT市場(chǎng)，仍被日、歐、美等IDM
關(guān)鍵字： IGBT 芯片