3. 

        <meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>
          


          
	
  	
          
	
          
		首頁　 
		資訊　 
		商機 　
		下載　 
		拆解 　
		高校　 
		招聘 　
		雜志　 
		會展　 
		EETV　 
		百科 　
		問答　 
		電路圖　 
		工程師手冊 　
		Datasheet　
		100例 　
		活動中心　 
		E周刊閱讀 　
		樣片申請
	
          




          
	EEPW首頁 >> 
	主題列表 >> 
	絕緣柵雙極型晶體管(igbt)
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章
                  進入絕緣柵雙極型晶體管(igbt)技術社區(qū)  
                  
          
                
          
                                
          
                  

                                
          
                    
          向小功率和大功率延伸 三菱電機五大新品看點
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在產(chǎn)業(yè)電子化升級過程中，作為電子產(chǎn)品的基礎元器件之一的功率半導體器件越來越得到重視與應用。而中國作為需求大國，已經(jīng)占有約39％的市場份額，在中國制造業(yè)轉型升級的關鍵時期，對功率半導體器件的需求將會越來越大。自上世紀80年代起，功率半導體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應用類型。其中IGBT經(jīng)歷了器件縱向結構、柵極結構以及硅片加工工藝等7次技術演進，目前可承受電壓能力達到6500V，并且實現(xiàn)了高功率密度化。在此背景下，6月26-28日，PCIM亞洲展2019將在在上海世博展覽館舉行，三
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        三菱電機  PCIM亞洲展  IGBT                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          IGBT場效應管的工作原理及檢測方法
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又稱絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,可以把其看作是MOS輸入的達林頓管。它融合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點，具備易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高 (10-40 kHz) 等特點，已逐步取代晶閘管和GTO（門極可關斷晶閘管），是目前發(fā)展最為迅速的新一代電
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        IGBT  場效應管                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          更換老化的柵極驅(qū)動光電耦合器
          
                                                            
            
                    	
          • 電機用于電梯、食品加工設備、工廠自動化、機器人、起重機……這樣的例子不勝枚舉。交流感應電機在這種應用中很常見，且總是通過用于電源級的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）來實現(xiàn)驅(qū)動。典型的總線電壓為200 VDC至1,000 VDC。IGBT采用電子換向，以實現(xiàn)交流感應電機所需的正弦電流。在設計電機驅(qū)動器時，保護操作重型機械的人員免受電擊是首要考慮因素，其次應考慮效率、尺寸和成本因素。雖然IGBT可處理驅(qū)動電機所需的高電壓和電流，但它們不提供防止電擊的安全隔離。在系統(tǒng)中提供安全隔離的重要任務由驅(qū)動IGBT的柵極驅(qū)動
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        電機  IGBT                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          安森美半導體基于SiC的混合IGBT 和隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器將在歐洲PCIM 2019推出
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 2019年4月30日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將于5月7日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關的隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器。AFGHL50T65SQDC采用最新的場截止IGBT和SiC肖特基二極管技術，提供低導通損耗和開關損耗，用于多方面的電源應用，包括那些將得益于更低反向恢復損耗的應用，如基于圖騰柱的無橋功率因數(shù)校正(PFC)和逆變器。該器件將硅基IGBT與SiC肖特基勢壘
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        安森美半導體  IGBT  SiC肖特基二極管技術                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制  
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德國 慕尼黑）　　摘要：通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能?！　￡P鍵詞：IGBT; MOSFET; 柵極驅(qū)動器；耐受性；隔離? ? &nb
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        201905  IGBT  MOSFET   柵極驅(qū)動器  耐受性  隔離                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          意法半導體的先進IGBT專為軟開關優(yōu)化設計 可提高家電感應加熱效率
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　意法半導體的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V 
STPOWER?IGBT兩款產(chǎn)品能夠在軟開關電路中實現(xiàn)最佳的導通和開關性能，提高諧振轉換器在16kHz-60kHz開關頻率范圍內(nèi)的能效。　　新IH系列器件屬于意法半導體針對軟開關應用專門優(yōu)化的溝柵式場截止(TFS) 
IGBT產(chǎn)品家族，適用于電磁爐等家電以及軟開關應用的半橋電路，現(xiàn)在產(chǎn)品設計人員可以選用這些IGBT，來達到更高的能效等級。除新的IH系列外，意法半導體的軟開關用溝柵式場截止(TFS) 
IGBT系列產(chǎn)品
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        意法半導體  IGBT                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          2019年中國功率半導體市場規(guī)模逾人民幣2,900億元
          
                                                            
            
                    	
          • TrendForce在最新《中國半導體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》指出，受益新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價，帶動2018年中國功率半導體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣，其中離散式元件市場規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣，較2017年增長8%。
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        功率半導體  IGBT                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          變頻器中IGBT爆炸原因分析，深入透徹！
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　IGBT是電力電子裝置的CPU，在電力電子變流和控制中起著舉足輕重的作用。變頻器中，IGBT模塊更為重要。但是，IGBT模塊會經(jīng)常出現(xiàn)爆炸的情況。下面，小編就結合案例具體分析一下?！　《x　　一、IGBT爆炸：因為某些原因，模塊的損耗十分巨大，熱量散不出去，導致內(nèi)部溫度極高，產(chǎn)生氣體，沖破殼體，這就是所謂的IGBT爆炸。　　二. IGBT爆炸原因分析　　1.爆炸的本質(zhì)是發(fā)熱功率超過散熱功率，內(nèi)部原因應該就是過熱?！　?.人為因素 (1)進線接在出線的端子上(2)變頻器接錯電源(3)沒按要求接負載3.常
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        IGBT，變頻器                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          集邦咨詢：需求持續(xù)擴張，2019年中國功率半導體市場規(guī)模逾2,900億元
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Mar. 7, 2019 ---- 
全球市場研究機構集邦咨詢在最新《中國半導體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價，帶動了2018年中國功率半導體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣，較2017年同比增長8%?！　〖钭稍兎治鰩熤x瑞峰指出，功率半導體作為需求驅(qū)動型的產(chǎn)業(yè)，2019年
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        IGBT  SiC                           
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          除了代工小米9，造車的比亞迪還做了這些事！
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 比亞迪不僅在汽車制造上實力深厚，在手機代工和其它業(yè)務方面，仍然保持走在行業(yè)前沿的水平。作為我國重要的制造企業(yè)代表，比亞迪在行業(yè)中具有模范作用，相信經(jīng)過不斷技術突破和進步，比亞迪將會為我國眾多制造企業(yè)樹立一個又一個全新的示范里程碑!
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        小米9  比亞迪  IGBT                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          本土廠商同歐日三分天下，中國IGBT不再“一芯難求”
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 國內(nèi)汽車界中，“一芯難求”的現(xiàn)狀被打破了。
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        IGBT                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          關于工業(yè)電機驅(qū)動的IGBT，你想知道的都在這里
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　摘要 
：工業(yè)電機驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導體器件制造商不斷在導通損耗和開關時間上尋求突破。有關增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導通損耗的一些權衡取舍是：更高的短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路耐受時間。這凸顯了柵極驅(qū)動器電路以及過流檢測和保護功能的重要性。本文討論現(xiàn)代工業(yè)電機驅(qū)動中成功可靠地實現(xiàn)短路保護的問題?！　　　」I(yè)環(huán)境中的短路：工業(yè)電機驅(qū)動器的工作環(huán)境相對惡劣，可能出現(xiàn)高溫、交流線路瞬變、機械過載、接線錯誤以及其它突發(fā)情況
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        工業(yè)電機  IGBT                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          富士電機電子元件事業(yè)本部CTO藤平龍彥博士一行蒞臨青銅劍科技考察交流
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　11月7日，富士電機株式會社電子元件事業(yè)本部CTO藤平龍彥博士一行到訪青銅劍科技。這是繼今年5月應用技術部部長五十嵐征輝博士來訪之后，富士電機高層再次蒞臨青銅劍科技商談合作事宜，標志著雙方合作進入新階段。 
青銅劍科技總工程師高躍博士和市場總監(jiān)蔡雄飛對藤平龍彥博士一行的來訪表示熱烈歡迎，詳細介紹了公司的核心產(chǎn)品以及與富士電機的合作進展。藤平龍彥博士對青銅劍科技最新的IGBT驅(qū)動產(chǎn)品非常關注，仔細詢問了產(chǎn)品的性能優(yōu)勢和應用領域，對青銅劍科技的研發(fā)實力表示充分肯定。會談期間，雙方對下一步的合作重點和計劃
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        青銅劍  IGBT                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          推進航天領域合作 l 航天科工微電院董事長武春風一行到訪青銅劍科技
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　11月8日，成都航天科工微電子系統(tǒng)研究院有限公司董事長武春風一行到訪青銅劍科技，董事長汪之涵博士、總工程師高躍博士和副總裁傅俊寅陪同接待，雙方就合作事宜進行了深入交流。　　汪之涵博士陪同武春風一行參觀了公司展廳和研發(fā)實驗室，詳細介紹了青銅劍科技的核心產(chǎn)品、領先技術、應用領域及公司發(fā)展規(guī)劃等情況。武春風對青銅劍科技的科技創(chuàng)新成果表示積極肯定。座談中，雙方就航天領域的前沿技術和熱點話題進行了深入探討和討論，進一步商談了合作細節(jié)，一致表示未來將擴展多渠道的合作。　　航天科工微電子系統(tǒng)研究院秉持“信息互通、資
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        青銅劍  IGBT                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          IXYS IGBT驅(qū)動模塊可幫助高功率系統(tǒng)設計，縮短設計時間，降低設計成本
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　IXYS公司新推出的IXIDM1403驅(qū)動模塊旨在為市場提供IGBT驅(qū)動器件，使設計周期縮短，設計成本做到盡可能最低，并具有極高的緊湊性和最高的性能和可靠性。IXIDM1403支持雙通道大功率IGBT模塊，隔離電壓高達4000 V，開關速度高達50 kHz，具有短路保護和電源電壓監(jiān)控功能?！　XIDM1403是基于IX6610 / IX6611 / IXDN630芯片組的高壓隔離柵極驅(qū)動模塊，它允許創(chuàng)建隔離的IGBT驅(qū)動器，在初級側和次級側之間以及次級側驅(qū)動器之間設置高壓隔離柵。它創(chuàng)建了一個非常靈活
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        IXYS  IGBT                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                                

                
          
	                
          
		                	
          
	
          
	共683條
	10/46		|‹
			«
																																																																																											8																9																10																11																12																13																14																15																16																17																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																						»
			›|
		
	
          
		                
          
	               	
          
                
          
        	
          
            
          
        
          
	
          
	
          
  		
          
    		
          
      			
          
          			
          絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條絕緣柵雙極型晶體管(igbt)!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的理解，并與今后在此搜索絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
          熱門主題
          
      			
          
      			
          
       	          						樹莓派   
					linux   
      			
          
    		
          
  		
          
		
          
	
          
	
          

          

          
        		關于我們 - 
        		廣告服務 - 
        		企業(yè)會員服務 - 
        		網(wǎng)站地圖 - 
        		聯(lián)系我們 - 
        		征稿 - 
        		友情鏈接 - 
        		手機EEPW
        		
          
        		Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          
        		《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
          
      			備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
      		
          
    	
          
  	





          




          



看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人

(function(){
    var bp = document.createElement('script');
    var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0];
    if (curProtocol === 'https') {
        bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js';
    }
    else {
        bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js';
    }
    var s = document.getElementsByTagName("script")[0];
    s.parentNode.insertBefore(bp, s);
})();