絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章 進入絕緣柵雙極型晶體管(igbt)技術(shù)社區(qū)
MOS管功率損耗竟然還可以這么測
- MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC?MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復(fù)摸索，那么該如何量化評估呢? 1.1功率損耗的原理圖和實測圖 一般來說，開關(guān)管工作的功率損耗原理圖如圖?1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通過程”和“關(guān)閉過程”，小部分能量體現(xiàn)在“導(dǎo)通狀態(tài)”，而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0，可以忽略不計?！ ?? 圖?1開關(guān)管工作的功
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如何確保MOS管工作在安全區(qū)
- 電源工程師最怕什么?炸機!用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問題了呢?這一切都和SOA相關(guān)?！ ∥覀冎篱_關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關(guān)器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過壓或過流就會導(dǎo)致功耗大增，晶圓結(jié)溫急劇上升，如果散熱不及時，就會導(dǎo)致器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸，非常危險。這里就衍生一個概念，安全工作區(qū)?！ ∫?、什么是安全工作區(qū)? 安全工作區(qū)：SOA(Safe operating&nb
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功率循環(huán)測試助力車用IGBT性能提升
- 功率循環(huán)測試助力車用IGBT性能提升-汽車功率電子組件（例如IGBT）的設(shè)計必須能負荷數(shù)千小時的工作時間和上百萬次的功率循環(huán)，同時得承受高達 200℃的溫度。因此產(chǎn)品的可靠性特別關(guān)鍵，而同時故障成本也會是一個很大的問題。隨著工業(yè)電子系統(tǒng)對能量需求的增加，汽車功率電子設(shè)備和組件的供貨商所面臨的最大挑戰(zhàn)就是提供汽車OEM業(yè)者所需更高可靠度的系統(tǒng)。
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什么是IGBT？如何使用此模塊實現(xiàn)“雙面水冷”，IGNT未來的發(fā)展趨勢又是如何？
- 什么是IGBT？如何使用此模塊實現(xiàn)“雙面水冷”，IGNT未來的發(fā)展趨勢又是如何？-IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。
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IGBT的結(jié)構(gòu)與各種保護設(shè)計方法詳解
- IGBT的結(jié)構(gòu)與各種保護設(shè)計方法詳解-GTR和MOSFET復(fù)合，結(jié)合二者的優(yōu)點，具有好的特性。80年代中期問世以來，逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市場，中小功率電力電子設(shè)備的主導(dǎo)器件。
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IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的檢測方法
- IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的檢測方法- IGBT就是一個開關(guān)，非通即斷，如何控制他的通還是斷，就是靠的是柵源極的電壓，當(dāng)柵源極加+12V（大于6V，一般取12V到15V）時IGBT導(dǎo)通，柵源極不加電壓或者是加負壓時，IGBT關(guān)斷，加負壓就是為了可靠關(guān)斷。
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絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹
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