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絕緣柵雙極型晶體管(igbt)
絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章 進(jìn)入絕緣柵雙極型晶體管(igbt)技術(shù)社區(qū)
隔離驅(qū)動(dòng)IGBT等功率器件設(shè)計(jì)所需要的一些技巧
- 標(biāo)簽：功率器件 IGBT功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效應(yīng)，過(guò)載，短路等條件所造成的損害。本在線研討會(huì)介紹了為何光耦柵極驅(qū)動(dòng)
- 關(guān)鍵字： 需要 一些 技巧 設(shè)計(jì)所 器件 驅(qū)動(dòng) IGBT 功率 隔離
1700V，200～300A IGBT的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路設(shè)計(jì)
- 標(biāo)簽：IGBT 電源0 引言IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低
- 關(guān)鍵字： 保護(hù) 電路設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng) IGBT 300A 1700V
淺析柵極電阻RG對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)特性的性能影響
- 1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過(guò)使用典型的+15V控制電壓(VG(on
- 關(guān)鍵字： IGBT 柵極電阻 開(kāi)關(guān)特性 性能影響
二.3KW逆變器后級(jí)制作 IGBT橋驅(qū)動(dòng),可帶任意負(fù)載
- 突加載、卸載： 短路、自恢復(fù)： SPWM芯片二，電壓采用有效值檢測(cè)： 空載： ...
- 關(guān)鍵字： 3KW 逆變器 IGBT 橋驅(qū)動(dòng)
新型IGBT軟開(kāi)關(guān)在應(yīng)用中的損耗分析
- 本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過(guò)采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用ldquo
- 關(guān)鍵字： IGBT 軟開(kāi)關(guān) 損耗分析
英飛凌與富士就HybridPACK 2功率模塊達(dá)成協(xié)議
- 富士電子有限公司和芯片廠商英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)攜手為混合動(dòng)力汽車(HEV)提供功率模塊。這兩家公司于近日在PCIM歐洲展會(huì)(地點(diǎn)：德國(guó)紐倫堡;時(shí)間：2012年5月8日至10日)上宣布，雙方達(dá)成一項(xiàng)協(xié)議，利用英飛凌的HybridPACK 2功率模塊合作開(kāi)發(fā)汽車IGBT功率模塊。為滿足混合動(dòng)力汽車的功率模塊的供電安全需求，英飛凌與富士就模塊的尺寸、輸出引腳的位置、針翅銅基板的應(yīng)用，以及其他機(jī)械特性達(dá)成一致。該協(xié)議包含HybridPACK 2模塊——額定電壓和電流
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 富士電子 IGBT HybridPACK 2
絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條絕緣柵雙極型晶體管(igbt)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的理解，并與今后在此搜索絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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