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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極型晶體管(igbt)

          大功率IGBT驅(qū)動模塊2ED300的特性及其應(yīng)用

          • 摘要:針對大功率ICBT的驅(qū)動問題,詳細(xì)介紹了一種大功率IGBT專用驅(qū)動模塊2ED300的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、參數(shù)設(shè)置及性能特點(diǎn)。以驅(qū)動800A/120 0V的IGBT為例,設(shè)計(jì)了2ED300在直接模式下的外圍應(yīng)用電路。并對應(yīng)用中需要注意的關(guān)鍵
          • 關(guān)鍵字: 特性  及其  應(yīng)用  2ED300  模塊  IGBT  驅(qū)動  大功率  

          基于IGBT光伏發(fā)電逆變電路的設(shè)計(jì)

          • 摘要:為滿足高壓大容量逆變系統(tǒng)的要求,設(shè)計(jì)采用絕緣柵雙極晶體管IGBT組成逆變電路的光伏發(fā)電系統(tǒng)。通過對太陽能光伏發(fā)電原理的簡單了解,比較場效應(yīng)管MOSFET和絕緣柵雙極晶體管IGBT構(gòu)成的逆變電路,針對IGBT構(gòu)成的
          • 關(guān)鍵字: 電路  設(shè)計(jì)  逆變  發(fā)電  IGBT  基于  

          IGBT整流器功率因數(shù)控制方法及CT損壞對整流器的影響

          • 1 引言  日立igbt整流器是一種電壓型pwm整流器,具有能量雙向流動、恒定直流電壓控制,以及高功率因數(shù)控制(cosphi;asymp;1.0)等特點(diǎn)。使用該類型整流器除了實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)節(jié)省電能外,還能夠減少電網(wǎng)諧波,省去
          • 關(guān)鍵字: 整流器  CT  損壞  影響  方法  控制  功率  因數(shù)  IGBT  

          優(yōu)化高電壓IGBT實(shí)現(xiàn)高效率太陽能逆變器制作

          • 隨著綠色電力運(yùn)動勢頭不減,包括家電、照明和電動工具等應(yīng)用,以至其他工業(yè)用設(shè)備都在盡可能地利用太陽能的優(yōu)點(diǎn)...
          • 關(guān)鍵字: 高電壓  IGBT  太陽能  逆變器  

          一種內(nèi)置隔離電源的混合集成IGBT驅(qū)動器

          • 1 引言  igbt(isolated gate bipolartransistor),即絕緣柵型雙極性晶體管具有優(yōu)越的低飽和壓降,較高的電壓和較大的電流輸出等特點(diǎn),在功率電子相關(guān)產(chǎn)業(yè)得到更為廣泛的應(yīng)用和關(guān)注。為了使igbt在大功率系統(tǒng)發(fā)揮更
          • 關(guān)鍵字: IGBT  驅(qū)動器  集成  混合  隔離  電源  內(nèi)置  

          應(yīng)用于工業(yè)牽引的軟穿通IGBT技術(shù)的大功率模塊

          • 1 引言  隨著軟穿通igbt技術(shù)的引入,產(chǎn)生了igbt設(shè)計(jì)上和特性上的新標(biāo)準(zhǔn),特別適用于中等功率的市場。將傳統(tǒng)的npt(非穿通型)igbt的高強(qiáng)度和低損耗兩個(gè)特點(diǎn)相結(jié)合,已經(jīng)使spt-igbt成為1200v-1700v電壓范圍的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)
          • 關(guān)鍵字: 大功率  模塊  技術(shù)  IGBT  工業(yè)  牽引  應(yīng)用  

          什么是igbt

          • 什么是igbtIGBT就是大功率絕緣柵型場效應(yīng)管 ,在大功率電源上或變頻器上廣泛使用.1.IGBT的基本結(jié)構(gòu)絕緣柵 ...
          • 關(guān)鍵字: igbt  

          IGBT在電磁爐應(yīng)用研究

          • 本文先介紹IGBT在電磁爐的應(yīng)用,分析電磁爐的各種控制電路,根據(jù)IGBT在電磁爐最普遍的應(yīng)用方式,分析IGBT可能會出現(xiàn)故障的原因,提出IGBT在電磁爐應(yīng)用過程中應(yīng)注意的事項(xiàng),提高IGBT的可靠性,從而達(dá)到提高電磁爐的安全可靠性的目的。
          • 關(guān)鍵字: 電磁爐  控制電路  IGBT  201201  

          逆變H橋IGBT單管驅(qū)動+保護(hù)詳解

          • 這幾天沉下心來專門給逆變器的后級,也就是大家熟悉的H橋電路換上了IGBT管子,用來深入了解相關(guān)的特性。大家都知道,IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳酰瑯与娏魅萘康腎GBT單管,比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了,也就是說,在逆變
          • 關(guān)鍵字: 保護(hù)  詳解  驅(qū)動  單管  IGBT  逆變  

          中頻電阻焊機(jī)電源的IGBT保護(hù)

          • 引言  電阻焊是一種重要的焊接工藝,具有生產(chǎn)效率高、成本低、節(jié)省材料和易于自動化等特點(diǎn)。IGBT是一種用MOS管來控制晶體管的電力電子器件,具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)。本文從實(shí)際應(yīng)用出發(fā),總
          • 關(guān)鍵字: IGBT  保護(hù)  電源  焊機(jī)  電阻  中頻  

          IGBT 驅(qū)動器提供可靠保護(hù)

          功率器件IGBT在不間斷電源(UPS)中的應(yīng)用

          • 1. 引言
              
            在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動,控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn),又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低,通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT 成為
          • 關(guān)鍵字: UPS  應(yīng)用  電源  間斷  器件  IGBT  功率  

          IGBT安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機(jī)理

          • 摘要:本文闡述了各安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機(jī)理。討論了短路持續(xù)時(shí)間Tsc和柵壓Vg、集電極—發(fā)射極導(dǎo)通電壓Vce(on)及短路電流Isc的關(guān)系。關(guān)鍵詞:安全工作區(qū) 失效機(jī)理 短路電流Tsc1、
          • 關(guān)鍵字: 安全  工作區(qū)  失效  機(jī)理  工作  物理  IGBT  概念  

          基于IGBT器件的大功率DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)研究

          • 中心議題: 大功率直流電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 大功率直流電源的控制方案 電源的數(shù)據(jù)傳輸拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
            本文基于IGBT器件,利用DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)設(shè)計(jì)大功率直流電源。該電源可用作EAST托卡馬克裝置中的大功率垂直位移快
          • 關(guān)鍵字: 電源  技術(shù)  研究  DC/DC  大功率  IGBT  器件  基于  

          IGBT及其子器件的四種失效模式比較

          • 摘要:本文通過案例和實(shí)驗(yàn),概述了四種IGBT及其子器件的失效模式:MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。

            關(guān)鍵詞:柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

          • 關(guān)鍵字: 模式  比較  失效  器件  及其  IGBT  
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          絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹

          您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條絕緣柵雙極型晶體管(igbt)!
          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的理解,并與今后在此搜索絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

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