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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極型晶體管(igbt)

絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章進(jìn)入絕緣柵雙極型晶體管(igbt)技術(shù)社區(qū)

針對HEV/EV市場的IGBT模塊仿真工具Ansoft

面對高度競爭化的混合動(dòng)力車和電動(dòng)汽車(HEV/EV)市場，動(dòng)力集成研發(fā)工程師正在向更高的系統(tǒng)效率、穩(wěn)定性和可靠性挑戰(zhàn)。功率逆變器在動(dòng)力集成系統(tǒng)中至關(guān)重要，通常由6個(gè)4times;6英寸封裝的IGBT模塊組成。這些IGBT模塊
關(guān)鍵字： Ansoft IGBT HEV EV

IR推出600V超高速開關(guān)、耐用高頻IGBT

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出高度創(chuàng)新的600V車用IGBT平臺(tái)COOLiRIGBT，適合電動(dòng)車 (EV) 和混合動(dòng)力車 (HEV) 中的各種高速開關(guān)應(yīng)用，包括車載直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池充電器等。
關(guān)鍵字： IR IGBT

IGBT串聯(lián)用的有源電壓控制技術(shù)

1 引言絕緣柵雙極晶體管IGBT自上世紀(jì)80年代問世以來，由于其輸入阻抗高、開關(guān)速度快、通態(tài)電壓低、阻斷電壓高、承受電流大的性能，在電力電子領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。然而，由于半導(dǎo)體器件本身的材料和結(jié)構(gòu)原因，IG
關(guān)鍵字：控制技術(shù) 電壓有源串聯(lián) IGBT

安森美半導(dǎo)體推出高性能場截止型IGBT

應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出新系列的場截止型(Field Stop) 絕緣門雙極結(jié)晶體管(IGBT)，目標(biāo)應(yīng)用為工業(yè)電機(jī)控制及消費(fèi)類產(chǎn)品。NGTB15N120、NGBT20N120及NGBT25N120應(yīng)用于高性能電源轉(zhuǎn)換方案，適合多種要求嚴(yán)格的應(yīng)用，包括電磁爐、電飯煲及其它廚房小家電應(yīng)用。
關(guān)鍵字：安森美 IGBT NGTB15N120

采用塑料封裝和IMS襯底的混合動(dòng)力汽車功率IGBT模塊

混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(HEV)能把污染物排放量降低1/3至1/2，最新車型甚至可能把排放量降得更多。但是，HEV需要大功率的成本效益型電源開關(guān)，到目前為止，大功率開關(guān)產(chǎn)品因?yàn)槌杀靖?，可靠性達(dá)不到汽車應(yīng)用的期望，而無法適
關(guān)鍵字： IGBT IMS 塑料封裝襯底

IGBT-汽車點(diǎn)火系統(tǒng)中的佼佼者

新一代點(diǎn)火系統(tǒng)IGBT為火花塞系統(tǒng)的線圈度身定制，正快速成為主流點(diǎn)火拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。幾何學(xué)和摻雜分布圖的進(jìn)步可使電路小片和封裝的尺寸更小型化，且無需犧牲最重要的閂鎖電阻和雪崩能量容量的穩(wěn)健性。如今，IGBT的產(chǎn)品已
關(guān)鍵字： IGBT 汽車點(diǎn)火系統(tǒng)

智能IGBT在汽車點(diǎn)火系統(tǒng)中的應(yīng)用

要產(chǎn)生火花，你所需的器件包括電源、電池、變壓器(即點(diǎn)火線圈)，以及用于控制變壓器初級(jí)電流的開關(guān)。電子學(xué)教科書告訴我們V=Ldi/dt。因此，如果線圈初級(jí)繞組中的電流發(fā)生瞬間變化(即di/dt值很大)，初級(jí)繞組上將產(chǎn)生高
關(guān)鍵字： IGBT 汽車點(diǎn)火系統(tǒng) 中的應(yīng)用

新型IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計(jì)的解決方案

IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復(fù)合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù)，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個(gè)芯片中。該器件具有開關(guān)頻率高、輸入阻抗較大、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)電路簡單、低飽和電壓
關(guān)鍵字： IGBT 系統(tǒng) 電路保護(hù) 方案

IGBT在大功率斬波問題中的應(yīng)用分析

斬波是電力電子控制中的一項(xiàng)變流技術(shù)，其實(shí)質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制，因其波形如同斬切般整齊、對稱，故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位，它不僅關(guān)系到調(diào)速的技術(shù)性能，而且直接影響設(shè)備的運(yùn)行安全和
關(guān)鍵字：分析應(yīng)用問題大功率 IGBT

飛兆半導(dǎo)體650V場截止IGBT

太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員面臨提高能效，滿足散熱法規(guī)，同時(shí)減少元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。有鑒于此，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了一系列針對光伏逆變器應(yīng)用的650V IGBT產(chǎn)品，幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對這一行業(yè)挑戰(zhàn)。
關(guān)鍵字：飛兆光伏逆變器 IGBT

電焊機(jī)之IGBT系列焊機(jī)工作原理

逆變電焊機(jī)的基本工作原理：逆變電焊機(jī)主要是逆變器產(chǎn)生的逆變式弧焊電源，又稱弧焊逆變器，是一種新型...
關(guān)鍵字：電焊機(jī) IGBT 焊機(jī)工作

下橋臂IGBT驅(qū)動(dòng)電路圖-原理圖

在利用下臂驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)比150 A／1 200 V更大的IGBT時(shí)，可外接電流緩沖器，以擴(kuò)大其驅(qū)動(dòng)能力。由圖2的工作時(shí)序可知， ...
關(guān)鍵字：下橋臂 IGBT 驅(qū)動(dòng)電路圖原理圖

IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)

1引言開關(guān)電源中大功率器件驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)一向是電源領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)之一。普通大功率三極管和絕緣柵功...
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng) 光電耦合器脈沖變壓器

改進(jìn)的開關(guān)性能快速IGBT帶來新的挑戰(zhàn)

1前言降低動(dòng)態(tài)功耗需要快速地開關(guān)功率半導(dǎo)體器件。一個(gè)典型的系統(tǒng)包括幾10個(gè)并聯(lián)的功率半導(dǎo)體器件，這...
關(guān)鍵字： IGBT 開關(guān)性能過電壓

IGBT模塊的檢測方法

以兩單元為例:用模擬萬用表測量　　靜態(tài)測量:把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示 ...
關(guān)鍵字： IGBT 模塊檢測方法

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絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹

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絕緣柵雙極型晶體管(igbt)電路

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絕緣柵雙極型晶體管(igbt)資料下載

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