- 高功率和高頻率感應加熱(IH)家用電器需要更低的傳導損耗和卓越的開關性能，以便在IH電飯煲、臺式電磁爐和基于逆變器的微波爐等應用中實現(xiàn)更高的效率和系統(tǒng)可靠性。 飛兆半導體的高電壓場截止陽極短路(Shorted Anode) trench IGBT可針對這些設計挑戰(zhàn)為設計人員提供經(jīng)濟實惠且高效的解決方案。
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飛兆 IGBT
- 在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅動，控制簡 ...
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不間斷 電源 IGBT
- 如今市場上先進功率元件的種類數(shù)不勝數(shù)，工程人員要為一項應用選擇到合適的功率元件，的確是一項艱巨的工作...
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太陽能 逆變器 IGBT
- 一、IGBT溉述正常IGBT的工作頻率在10—20kHz，其開關速度比GTO、IGCT快得多。在交流電動機變頻調速...
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IGBT 軟開關 應用開發(fā)
- Power Integrations旗下子公司IGBT驅動器制造商CT-Concept Technologie AG已在德國Ense開設一家新的設計中心。該設計中心將基于其驅動核開發(fā)半定制門極驅動設計，并利用CONCEPT的SCALE-2?平臺為大型項目研發(fā)和量身定制驅動器。
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CONCEPT 驅動器 IGBT
- 絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是總線電壓幾百至上千伏的應用的理想之選。作為少數(shù)載流子器件，IGBT在該電壓范圍...
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IGBT 選型
- 提高太陽能逆變器效能的IGBT選擇方法,如今市場上先進功率元件的種類數(shù)不勝數(shù)，工程人員要為一項應用選擇到合適的功率元件，的確是一項艱巨的工作。就以太陽能逆變器應用來說，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 能比其他
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太陽能逆變器 IGBT 太陽能電池板
- 1 引言80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件，它綜合了gtr和MOSFET的優(yōu)點，控制方便、開關速度快、工作頻率高、安全工作區(qū)大。隨著電壓、電流等級的不斷提高，IGBT成為了大功率開關電源、變頻
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IGBT 功率器件 方法
- IGBT是一種復合全控型電壓驅動式電力電子器件。本文介紹了驅動電路M57962L的工作原理及解決方案：IGBT是一種...
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M57962L 芯片 IGBT
- 1引言綜合了gtr和mosfet優(yōu)點的igbt，是一種新型的80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管，它控制方便、工作頻率...
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IGBT 及解決方法
- 1 引言
scale-2芯片組是專門為適應當今igbt與功率mosfet柵驅動器的功能需求而設計的。這些需求包括：可擴展的分離式開通與關斷門級電流通路;功率半導體器件在關斷時的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變
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MOSFET IGBT 驅動器 芯片
- 為了實現(xiàn)電阻爐的快速升溫及溫度控制，采用運放退飽和的方法，當電阻爐溫度未達到設定值時，運放飽和輸出，所控制的驅動電路輸出脈沖的占空比最大，IGBT近似全導通，電爐加熱功率最大，溫度快速上升；當溫度達到設定值時，運放開始退飽和，輸出電壓逐漸減小，從而減小驅動電路輸出脈沖的占空比，IGBT導通時間變短，電爐加熱功率減小，實現(xiàn)溫度控制。通過Multisim軟件仿真及硬件電路測試，驗證了本設計的可行性。該溫度控制系統(tǒng)具有升溫速度快、易于操作、滯后性較低的優(yōu)點。
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電阻爐 溫度控制 運放 退飽和 IGBT
- 11、請問：HCPl-316產品如何做到短路時軟關斷？謝謝！ HCPL-316J 飽和閾值的頂點設置在7V，這是對通過一個比較 ...
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IGBT Power MOSFET 功率器件
- 功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效 ...
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IGBT Power MOSFET 功率器件
- “十二五”規(guī)劃出臺以后，國家對新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時，“節(jié)能減排”工作也深入開展，中國開始從粗放型用電到精細化用電轉型。包括IGBT等半導體功率器件作為關鍵部件，受到了國家的重視，近兩年更是列入國家重大科技專項中提供多方位的支持。
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導體分立器件，具有易于驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高的特點，廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機
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新能源 功率器件 IGBT
絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條絕緣柵雙極型晶體管(igbt)!
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