絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章 進(jìn)入絕緣柵雙極型晶體管(igbt)技術(shù)社區(qū)
飛兆半導(dǎo)體推出具有高可靠性和卓越開關(guān)性能IGBT
- 高功率和高頻率感應(yīng)加熱(IH)家用電器需要更低的傳導(dǎo)損耗和卓越的開關(guān)性能,以便在IH電飯煲、臺(tái)式電磁爐和基于逆 ...
- 關(guān)鍵字: 飛兆 半導(dǎo)體 高可靠性 開關(guān)性能 IGBT
如何實(shí)現(xiàn)IGBT的軟開關(guān)的應(yīng)用開發(fā)
- 一、IGBT溉述正常IGBT的工作頻率在10—20kHz,其開關(guān)速度比GTO、IGCT快得多。在交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速...
- 關(guān)鍵字: IGBT 軟開關(guān) 應(yīng)用開發(fā)
CONCEPT設(shè)計(jì)中心將提供定制IGBT驅(qū)動(dòng)器解決方案
- Power Integrations旗下子公司IGBT驅(qū)動(dòng)器制造商CT-Concept Technologie AG已在德國Ense開設(shè)一家新的設(shè)計(jì)中心。該設(shè)計(jì)中心將基于其驅(qū)動(dòng)核開發(fā)半定制門極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),并利用CONCEPT的SCALE-2?平臺(tái)為大型項(xiàng)目研發(fā)和量身定制驅(qū)動(dòng)器。
- 關(guān)鍵字: CONCEPT 驅(qū)動(dòng)器 IGBT
用于IGBT與功率MOSFET的柵驅(qū)動(dòng)器通用芯片
- 1 引言
scale-2芯片組是專門為適應(yīng)當(dāng)今igbt與功率mosfet柵驅(qū)動(dòng)器的功能需求而設(shè)計(jì)的。這些需求包括:可擴(kuò)展的分離式開通與關(guān)斷門級電流通路;功率半導(dǎo)體器件在關(guān)斷時(shí)的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變 - 關(guān)鍵字: MOSFET IGBT 驅(qū)動(dòng)器 芯片
基于運(yùn)放退飽和的電阻爐溫度控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)
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- 為了實(shí)現(xiàn)電阻爐的快速升溫及溫度控制,采用運(yùn)放退飽和的方法,當(dāng)電阻爐溫度未達(dá)到設(shè)定值時(shí),運(yùn)放飽和輸出,所控制的驅(qū)動(dòng)電路輸出脈沖的占空比最大,IGBT近似全導(dǎo)通,電爐加熱功率最大,溫度快速上升;當(dāng)溫度達(dá)到設(shè)定值時(shí),運(yùn)放開始退飽和,輸出電壓逐漸減小,從而減小驅(qū)動(dòng)電路輸出脈沖的占空比,IGBT導(dǎo)通時(shí)間變短,電爐加熱功率減小,實(shí)現(xiàn)溫度控制。通過Multisim軟件仿真及硬件電路測試,驗(yàn)證了本設(shè)計(jì)的可行性。該溫度控制系統(tǒng)具有升溫速度快、易于操作、滯后性較低的優(yōu)點(diǎn)。
- 關(guān)鍵字: 電阻爐 溫度控制 運(yùn)放 退飽和 IGBT
絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹
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