絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章進(jìn)入絕緣柵雙極型晶體管(igbt)技術(shù)社區(qū)

圖文分析基于dsPIC30F的數(shù)字電源的設(shè)計(jì)與制作

關(guān)鍵字： dsPIC30F IGBT 交流采樣反饋數(shù)字電源

柵極電阻RG對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)特性的性能影響分析

　1 前言　　用于控制、調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過(guò)使用典型的+15V控制電壓(VG(
關(guān)鍵字： IGBT 柵極電阻開(kāi)關(guān)特性分析

一種H型雙極模式PWM控制的功率轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)

關(guān)鍵字： H型雙極模式PWM控制 IGBT SKHI22AH4模塊開(kāi)關(guān)頻率

扶持政策出臺(tái) 高壓變頻上游利好

　　據(jù)悉，在高壓變頻器中，約有一半的成本來(lái)自絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等電力電子元器件。相比中低壓變頻器，這類(lèi)產(chǎn)品的價(jià)格與質(zhì)量對(duì)高壓變頻器而言要重要得多。因此高壓變頻器廠商對(duì)電力電子元器件行業(yè)的關(guān)注從來(lái)沒(méi)有放松過(guò)。2010年，他們發(fā)現(xiàn)國(guó)家對(duì)于電力電子元器件的重視程度也越來(lái)越高。　　2010年3月19日，國(guó)家發(fā)改委辦公廳發(fā)布《關(guān)于組織實(shí)施2010年新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專(zhuān)項(xiàng)的通知》，明確指出將組織實(shí)施新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專(zhuān)項(xiàng)，以大力推進(jìn)新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展，努力掌握自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的芯片和器件的設(shè)計(jì)
關(guān)鍵字：高壓變頻器 IGBT

IR 推出絕緣柵雙極晶體管在線選擇工具

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出全新的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 在線選擇工具。該工具可有效優(yōu)化多種應(yīng)用設(shè)計(jì)，包括馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源系統(tǒng) (UPS)、太陽(yáng)能逆變器和焊接。　　IR全新的IGBT在線選擇工具能評(píng)估總線電壓、開(kāi)關(guān)頻率和短路保護(hù)要求等應(yīng)用條件。新在線工具位于mypower.irf.com/IGBT，不但可以提供預(yù)估損耗，還可以建議一些能夠在給定限制條件內(nèi)運(yùn)行的器件。該工具還為每個(gè)零件提供了定價(jià)，使設(shè)計(jì)人員能夠考慮有關(guān)器件的選擇對(duì)系統(tǒng)
關(guān)鍵字： IR IGBT

IR 推出絕緣柵雙極晶體管在線選擇工具優(yōu)化電源管理設(shè)計(jì)

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出全新的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 在線選擇工具。該工具可有效優(yōu)化多種應(yīng)用設(shè)計(jì)，包括馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源系統(tǒng) (UPS)、太陽(yáng)能逆變器和焊接。　　IR全新的IGBT在線選擇工具能評(píng)估總線電壓、開(kāi)關(guān)頻率和短路保護(hù)要求等應(yīng)用條件。新在線工具位于mypower.irf.com/IGBT，不但可以提供預(yù)估損耗，還可以建議一些能夠在給定限制條件內(nèi)運(yùn)行的器件。該工具還為每個(gè)零件提供了定價(jià)，使設(shè)計(jì)人員能夠考慮有關(guān)器件的選擇對(duì)系統(tǒng)
關(guān)鍵字： IR IGBT

士蘭微擬1.35億元組建功率模塊生產(chǎn)線項(xiàng)目

　　士蘭微擬同意在子公司士蘭集成內(nèi)組建多芯片高壓功率模塊制造生產(chǎn)線，計(jì)劃從2010年起在未來(lái)的2--3年內(nèi)安排投資13,500萬(wàn)元，其中2010年投資2,500萬(wàn)元。　　士蘭微7月29日發(fā)布公告稱(chēng)，公司第四屆董事會(huì)第九次會(huì)議審議通過(guò)《關(guān)于控股子公司組建功率模塊生產(chǎn)線項(xiàng)目的議案》。　　多芯片高壓功率模塊組件因其具有較高的功率密度和可靠性、較高的集成度、安裝使用便捷等優(yōu)點(diǎn)，而越來(lái)越受到市場(chǎng)的關(guān)注，應(yīng)用的領(lǐng)域也越來(lái)越廣。目前采用芯片設(shè)計(jì)與制造一體化運(yùn)行的士蘭微電子，通過(guò)芯片設(shè)計(jì)、器件結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā)、工藝開(kāi)發(fā)等
關(guān)鍵字：士蘭微 IGBT 芯片設(shè)計(jì)

Infineon EconoDUAL3 600A1200V汽車(chē)驅(qū)動(dòng)方案

Infineon 公司的EconoDUAL 3模塊是600A/1200V的IGBT,主要的典型應(yīng)用包括自動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的頻率變換器,光伏電壓系統(tǒng)的中央逆變器,汽車(chē)柴油發(fā)動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器(CAV),同等封裝尺寸,可增加功率30%.本文介紹EconoDUAL 3模塊主要特性,典型應(yīng)用電路以及EconoDUAL?3模塊驅(qū)動(dòng)板主要特性,評(píng)估板電路,以及IGBT各種驅(qū)動(dòng)電路和驅(qū)動(dòng)板材料清單(BOM). The new EconoDUAL 3 module with the designation FF600
關(guān)鍵字： Infineon EconoDUAL3 汽車(chē)驅(qū)動(dòng) IGBT

力挺新能源應(yīng)用中國(guó)IGBT企業(yè)可另辟蹊徑

　　【導(dǎo)讀：在新能源領(lǐng)域的大多數(shù)功率變換裝置中，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是最為重要的器件，與歐洲、日本和美國(guó)相比，中國(guó)在該領(lǐng)域還相對(duì)落后，盡管?chē)?guó)內(nèi)也有一些企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)在進(jìn)行研發(fā)，但產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程緩慢，技術(shù)上也落后于國(guó)外?！? 　　今年6月，功率半導(dǎo)體業(yè)界的盛會(huì)“PCIMChina2010”在上海光大會(huì)展中心舉行，國(guó)內(nèi)外知名功率半導(dǎo)體廠商向與會(huì)觀眾展示了各自推出的新產(chǎn)品和眾多高能效解決方案。記者觀察到，功率半導(dǎo)體在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用成為本屆展會(huì)的熱點(diǎn)，而中國(guó)功率器件產(chǎn)業(yè)的未來(lái)發(fā)展
關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體 IGBT

IGBT助變頻器實(shí)現(xiàn)高效能低損耗

　　·隨著IGBT升級(jí)換代，變頻器性能不斷提高，體積不斷減小。　　·三菱電機(jī)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)就是貼近系統(tǒng)用戶。　　日本從上世紀(jì)80年代開(kāi)始使用工業(yè)用的變頻器，還有家庭用的變頻空調(diào)，在市場(chǎng)上變頻技術(shù)得到了很快的發(fā)展。最初變頻器都用晶閘管，但是后來(lái)出現(xiàn)了用在變頻器上的IGBT。通過(guò)使用IGBT，功率損耗大幅降低。同時(shí)，經(jīng)過(guò)25年的發(fā)展，出現(xiàn)了各種各樣的研究開(kāi)發(fā)成果，目前三菱電機(jī)的IGBT芯片已經(jīng)發(fā)展到第6代?？梢耘e一個(gè)直觀的例子來(lái)說(shuō)明IGBT的發(fā)展水平：如果
關(guān)鍵字： IGBT 變頻器

基于矩陣變換器IGBT的集中式過(guò)流保護(hù)電路設(shè)計(jì)

摘要：分別針對(duì)矩陣變換器的整流級(jí)和逆變級(jí)IGBT的過(guò)流現(xiàn)象進(jìn)行了討論，提出了一種新的集中式過(guò)流保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方式。該方式可確保IGBT在短路情況下及時(shí)被關(guān)斷，從而安全穩(wěn)定地運(yùn)行。試驗(yàn)結(jié)果表明：新的集中式過(guò)流保
關(guān)鍵字：保護(hù) 電路設(shè)計(jì) 集中式 IGBT 矩陣變換器基于

功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天

　　功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為2833億美元，增長(zhǎng)率達(dá)到23.2%. 　　MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷(xiāo)售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷(xiāo)售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%,MOSFET主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車(chē)電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。　　IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷(xiāo)售額大約為31.36億美元，IGBT的銷(xiāo)售額占全部功率半
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 功率半導(dǎo)體

新型IGBT軟開(kāi)關(guān)在應(yīng)用中的損耗

本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過(guò)采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場(chǎng)終
關(guān)鍵字： IGBT 軟開(kāi)關(guān) 損耗

功率半導(dǎo)體下游需求旺盛前景看好

　　功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為 2833億美元，增長(zhǎng)率達(dá)到23.2%。　　MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷(xiāo)售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷(xiāo)售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%，MOSFET主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車(chē)電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。　　IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷(xiāo)售額大約為31.36億美元，IGBT的銷(xiāo)售額占全部功率
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT

中國(guó)南車(chē)成立海外半導(dǎo)體研發(fā)中心

　　近日，中國(guó)南車(chē)在英國(guó)林肯丹尼克斯公司成立了半導(dǎo)體研發(fā)中心，并舉行了丹尼克斯第一期六英寸IGBT芯片線開(kāi)通儀式，為實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件世界第一的戰(zhàn)略目標(biāo)奠定了更加堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。　　中國(guó)南車(chē)2008年10月成功收購(gòu)了丹尼克斯半導(dǎo)體公司，獲得了戰(zhàn)略性資源，與中國(guó)南車(chē)現(xiàn)有功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)形成優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)。為尋求更大發(fā)展，南車(chē)確立了功率半導(dǎo)體器件世界第一的戰(zhàn)略目標(biāo)，于2009年底成功完成丹尼克斯公司的再融資，進(jìn)一步加大對(duì)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資，著力提升六英寸IGBT芯片的生產(chǎn)能力;同時(shí)建立世界水平的功率半導(dǎo)體研發(fā)中心，
關(guān)鍵字：軌道交通 IGBT