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          絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章 進入絕緣柵雙極型晶體管(igbt)技術社區(qū)

          Power Integrations推出汽車級IGBT/SiC模塊驅動器產品系列SCALE EV,為巴士、卡車以及建筑和農用電動汽車提供強大動力

          • 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations近日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列門極驅動板。新款驅動器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊,其應用范圍包括電動汽車、混合動力和燃料電池汽車(包括巴士和卡車)以及建筑、采礦和農用設備的大功率汽車和牽引逆變器。SCALE EV板級門極驅動器內部集成了兩個增強型門極驅動通道、相關供電電源和監(jiān)控遙測電路。新驅動板已通過汽車級認證和ASIL B認證,可實現(xiàn)AS
          • 關鍵字: Power Integrations  IGBT  SiC  模塊驅動器  SCALE EV  PI  

          基于單脈沖試驗的IGBT模型的電壓應力測試分析

          • IGBT作為功率設備的核心器件,在電力電子工業(yè)領域應用廣泛。為了進一步了解電壓應力對IGBT模塊的影響,本文搭建了實驗樣機(選用3代IGBT采用T型三電平拓撲,額定輸出線電壓315 V,電流230 A,設計輸入電壓范圍500~1 000 V),通過單脈沖試驗對不同廠家不同型號的IGBT進行電壓應力分析并給出解決方案的可行性。
          • 關鍵字: IGBT  單脈沖  電壓應力  202203  

          子單元長期存放對焊接質量的影響*

          • 長期進行IGBT器件焊接封裝發(fā)現(xiàn),IGBT器件封裝所用關鍵部件子單元的存放時間長短對焊接空洞影響較大,本文分別對兩批存放時間差別較大的子單元進行封裝,通過實驗對比兩批產品的空洞率,結果表明存放時間較短的子單元焊接的IGBT器件空洞率明顯偏小,從而提高了IGBT器件的可靠性。
          • 關鍵字: IGBT  焊接  封裝  空洞率  子單元  202201  

          環(huán)旭電子預計在2022量產電動車用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊

          • 搭配電動車市場的快速成長,近年環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開始布局切入功率半導體國際大廠的電源模塊的組裝生產與測試,近期獲得相當多歐美與日系客戶青睞,預計在2022正式量產電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據(jù)調研機構Canalys的報告指出,2021年上半年全球電動車銷量為260萬輛,與去年同期相比大幅成長160%,成長率遠高于全球整體汽車市場的26%。電動汽車市場成長帶動關鍵功率半導體組件和模塊需求,其中第三代半導體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
          • 關鍵字: 環(huán)旭電子  電動車用逆變器  IGBT  SiC  電源模塊  

          環(huán)旭電子預計2022量產電動車用逆變器用IGBT與SiC電源模塊

          • 搭配電動車市場的快速成長,近年環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開始布局切入功率半導體國際大廠的電源模塊的組裝生產與測試,近期獲得相當多歐美與日系客戶青睞,預計在2022正式量產電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據(jù)調研機構Canalys的報告指出,2021年上半年全球電動車銷量為260萬輛,與去年同期相比大幅成長160%,成長率遠高于全球整體汽車市場的26%。電動汽車市場成長帶動關鍵功率半導體組件和模塊需求,其中第三代半導體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
          • 關鍵字: 環(huán)旭電子  電動車用逆變器  IGBT  SiC  電源模塊  

          Power Integrations推出適用于“新型雙通道”模塊的SCALE-iFlex Single即插即用型門極驅動器

          功率半導體IGBT失效分析與可靠性研究

          • 高端變頻空調在實際應用中出現(xiàn)大量外機不工作,經過大量失效主板分析確認是主動式PFC電路中IGBT擊穿失效,本文結合大量失效品分析與電路設計分析,對IGBT失效原因及失效機理分析,分析結果表明:經過對IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機相關波形檢測、熱設計分析、IGBT極限參數(shù)檢測對比發(fā)現(xiàn)IGBT失效由多種原因導致,IGBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應、驅動控制、ESD能力等方面存在不足,逐一分析論證后從IGBT本身及電路設計方面全部提升IGBT工作可靠性。
          • 關鍵字: 主動式PFC升壓電路  IGBT  SOA  閂鎖效應  ESD  熱擊穿失效  202108  MOSFET  

          Microchip推出業(yè)界耐固性最強的碳化硅功率解決方案,取代硅IGBT,現(xiàn)已提供1700V版本

          • 如今為商用車輛推進系統(tǒng)提供動力的節(jié)能充電系統(tǒng),以及輔助電源系統(tǒng)、太陽能逆變器、固態(tài)變壓器和其他交通和工業(yè)應用都依賴于高壓開關電源設備。為了滿足這些需求,Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今日宣布擴大其碳化硅產品組合,推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。Microchip的1700V碳化硅技術是硅IGBT的替代產品。由于硅IGBT的損耗問題限制了開關頻率,之前的技術要求設計人員在性能上做出妥協(xié)并使用復雜的拓撲結構。此外,電力電
          • 關鍵字: MOSFET  MCU  IGBT  

          ROHM推出內置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”

          • 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向大功率通用逆變器、AC伺服、商用空調、路燈等工業(yè)設備,開發(fā)出內置1700V耐壓SiC MOSFET*1的AC/DC轉換器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年來,隨著節(jié)能意識的提高,在交流400V級工業(yè)設備領域,可支持更高電壓、更節(jié)能、更小型的SiC功率半導體的應用越來越廣。而另一方面,在工業(yè)設備中,除了主電源電路之外,還內置有為各種控制系統(tǒng)提供電源電壓的輔助電源,但出于設計周期的考量,它們中仍然廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和損耗較
          • 關鍵字: MOSFET  IGBT  

          在工業(yè)高頻雙向PFC電力變換器中使用SiC MOSFET的優(yōu)勢

          • 摘要隨著汽車電動化推進,智能充電基礎設施正在迅速普及,智能電網內部的V2G車輛給電網充電應用也是方興未艾,越來越多的應用領域要求有源前端電力變換器具有雙向電流變換功能。本文在典型的三相電力應用中分析了SiC功率MOSFET在高頻PFC變換器中的應用表現(xiàn),證明碳化硅電力解決方案的優(yōu)勢,例如,將三相兩電平全橋(B6)變換器和NPC2三電平(3L-TType)變換器作為研究案例,并與硅功率半導體進行了輸出功率和開關頻率比較。前言隨著汽車電動化推進,智能充電基礎設施正在迅速普及,智能電網內部的V2G車輛給電網充電
          • 關鍵字: MOSFET  IGBT  

          IGBT和MOSFET功率模塊NTC溫度控制

          • 溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內部溫度傳感器 (體二極管),但其他方法也可以用來監(jiān)控溫度。半導體硅PTC熱敏電阻可以很好進行電流控制,或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測器可以用較低阻值,達到更高的檢測線性度。無論傳感器采用表面貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結裸片,NTC熱敏電阻仍是靈敏度優(yōu)異,用途廣泛的溫度傳感器。只要設計得當,可確保模塊正確降額,并最終在過熱或外部溫度過高的情況下關斷模塊。本文以鍵合NTC裸片為重點,采用模擬電路仿真的方法說明功率模
          • 關鍵字: IGBT  MOSFET  

          集中供電電源的設計與實現(xiàn)*

          • 用于消防控制系統(tǒng)的集中供電電源應具備不間斷供電的特性,能夠進行電池充電及智能顯示。本文通過半橋拓撲設計主電電路,以STM8S003F3P作為電源的控制單片機,使用繼電器控制電路實現(xiàn)主備電無縫切換,使用電池充電電路對蓄電池進行智能充電管理,最后搭建實際電路進行驗證。驗證結果表明:設計的集中供電電源輸出性能指標較高,且能夠實現(xiàn)不間斷供電及電池充電功能,滿足消防控制系統(tǒng)供電要求。
          • 關鍵字: 集中供電電源  半橋拓撲  充電管理  智能  202104  MOSFET  IGBT  

          比亞迪半導體將發(fā)布新一代高性能IGBT

          • 2018年比亞迪半導體在寧波發(fā)布了IGBT4.0芯片,樹立了國內車規(guī)級中高端IGBT芯片標桿。歷時兩年積累沉淀,比亞迪半導體即將在西安新研發(fā)中心發(fā)布更高性能的IGBT6.0。西安高新區(qū)已經匯聚了華為、浪潮、三星等一大批知名企業(yè),隨著西安研發(fā)中心大樓的落成,也標志著比亞迪半導體正式入駐中國“西部硅谷”。2008年比亞迪1.7億元收購了寧波中緯。中緯賬面上最有價值的東西是源自臺積電淘汰的一條8英寸晶圓線,但這筆收購給還給比亞迪帶來了晶圓車間、技術團隊等資源。當時長三角地區(qū)是中國半導體制造的重要基地。彼時這些資
          • 關鍵字: 比亞迪  IGBT  

          為何智能功率模塊會盛行,ROHM的600V產品有哪些特色

          • 1? ?低碳時代驅動功率轉換的變革當前,世界各國以全球協(xié)約的方式減排溫室氣體,我國也提出了碳達峰和碳中和的目標,這對電子產品的降低能耗提出了巨大挑戰(zhàn)。因為隨著物聯(lián)網的普及,產品需要有更長的待機時間;由于產品的性能提高和功能豐富,也會增加工作能耗。這就需要功率轉換元器件和模塊的效率進一步提升,因此,近年來IPM(智能功率器件)開始盛行。2? ?適合小功率電機的IPM?IPM的優(yōu)勢是高效率、低功耗、模塊化。以空調市場為例,全球空調市場的出貨量這兩年約1.5億臺
          • 關鍵字: IPM  IGBT  

          基于IPD Protect的2.1 kW電磁感應加熱設計

          • 電磁感應加熱在小家電市場(如電飯煲,油炸鍋和牛奶泡沫器等)已經得到廣泛應用,減小系統(tǒng)尺寸,降低系統(tǒng)成本和提高可靠性是越來越多客戶的需求。本文設計了一款2.1 kW電磁感應加熱平臺。搭載了英飛凌自帶保護IPD Protect,XMC單片機和CoolSET PWM控制器輔助電源。電路拓撲采用單端并聯(lián)諧振電路,最大輸出功率2.1 kW,實現(xiàn)了IPD Protect的快速過流保護,過壓保護,過溫報警和保護,輸入電壓欠壓保護和低靜態(tài)電流等功能,其中IPD protect過壓和過流保護點可以根據(jù)系統(tǒng)要求來調節(jié)。同時,
          • 關鍵字: 感應加熱  IPD Protect  IGBT  小家電  TRENCHSTOP  202102  
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          絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹

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