絕緣柵雙極管(igbt) 文章 進(jìn)入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區(qū)
功率循環(huán)測試助力車用IGBT性能提升
- 功率循環(huán)測試助力車用IGBT性能提升-汽車功率電子組件（例如IGBT）的設(shè)計(jì)必須能負(fù)荷數(shù)千小時(shí)的工作時(shí)間和上百萬次的功率循環(huán)，同時(shí)得承受高達(dá) 200℃的溫度。因此產(chǎn)品的可靠性特別關(guān)鍵，而同時(shí)故障成本也會(huì)是一個(gè)很大的問題。隨著工業(yè)電子系統(tǒng)對能量需求的增加，汽車功率電子設(shè)備和組件的供貨商所面臨的最大挑戰(zhàn)就是提供汽車OEM業(yè)者所需更高可靠度的系統(tǒng)。
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工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT過流和短路保護(hù)的問題及處理方法
- 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT過流和短路保護(hù)的問題及處理方法-工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管（IGBT）導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高的 短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路耐受時(shí)間。這凸顯了柵極驅(qū)動(dòng)器電路以及過流檢測 和保護(hù)功能的重要性。以下內(nèi)容討論了現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中成功可靠地實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)的問題。
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三種IGBT驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)方法詳解
- 三種IGBT驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)方法詳解-本文著重介紹三個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路的作用是將單片機(jī)輸出的脈沖進(jìn)行功率放大，以驅(qū)動(dòng)IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動(dòng)電路起著至關(guān)重要的作用，以及對IGBT驅(qū)動(dòng)電路的基本要求。
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幾種IGBT驅(qū)動(dòng)電路的保護(hù)電路原理圖
- 幾種IGBT驅(qū)動(dòng)電路的保護(hù)電路原理圖-本文為您介紹幾種常見的IGBT驅(qū)動(dòng)電路原理及其保護(hù)電路，EXB841/840、M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動(dòng)電路、2SD315A集成驅(qū)動(dòng)模塊，并附上電路原理圖。
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什么是IGBT？如何使用此模塊實(shí)現(xiàn)“雙面水冷”，IGNT未來的發(fā)展趨勢又是如何？
- 什么是IGBT？如何使用此模塊實(shí)現(xiàn)“雙面水冷”，IGNT未來的發(fā)展趨勢又是如何？-IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。
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電動(dòng)汽車逆變器用IGBT驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)及可用性測試
- 電動(dòng)汽車逆變器用IGBT驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)及可用性測試-電動(dòng)汽車逆變器用于控制汽車主電機(jī)為汽車運(yùn)行提供動(dòng)力，IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心功率器件，其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。
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IGBT的結(jié)構(gòu)與各種保護(hù)設(shè)計(jì)方法詳解
- IGBT的結(jié)構(gòu)與各種保護(hù)設(shè)計(jì)方法詳解-GTR和MOSFET復(fù)合，結(jié)合二者的優(yōu)點(diǎn)，具有好的特性。80年代中期問世以來，逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市場，中小功率電力電子設(shè)備的主導(dǎo)器件。
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IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的檢測方法
- IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的檢測方法- IGBT就是一個(gè)開關(guān)，非通即斷，如何控制他的通還是斷，就是靠的是柵源極的電壓，當(dāng)柵源極加+12V（大于6V，一般取12V到15V）時(shí)IGBT導(dǎo)通，柵源極不加電壓或者是加負(fù)壓時(shí)，IGBT關(guān)斷，加負(fù)壓就是為了可靠關(guān)斷。
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新型功率半導(dǎo)體器件及應(yīng)用創(chuàng)新中心成立
- “新型功率半導(dǎo)體器件及應(yīng)用創(chuàng)新中心的成立，將推動(dòng)形成‘技術(shù)創(chuàng)新—轉(zhuǎn)化—規(guī)?；瘧?yīng)用—投資再創(chuàng)新’的閉環(huán)，推動(dòng)創(chuàng)新成果在先進(jìn)軌道交通、智能電網(wǎng)、消費(fèi)電子、電動(dòng)汽車等重要領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。”日前，在湖南株洲召開的“湖南省IGBT產(chǎn)業(yè)對接會(huì)”上，中國工程院院士、中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長丁榮軍說。 新型功率半導(dǎo)體是關(guān)系國民經(jīng)濟(jì)命脈的共性關(guān)鍵技術(shù)，涉及先進(jìn)軌道交通裝備、節(jié)能與新能源汽車、電
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給世界一顆“中國芯”
- 一個(gè)國家老工業(yè)城市如何在新時(shí)期取得成功? 美國硅谷的經(jīng)驗(yàn)值得我們借鑒。第三次科技革命以來，硅谷不斷創(chuàng)造和孕育出世界上最偉大的公司，并不斷匯聚世界各地的人才、技術(shù)和資本，歷經(jīng)歲月變遷而始終屹立于世界科技浪潮的前沿。硅谷的創(chuàng)新覆蓋了很多領(lǐng)域(互聯(lián)網(wǎng)、通信、生物制藥、電動(dòng)汽車等)，以至于很難講它的支柱產(chǎn)業(yè)是什么。 硅谷的成功源于它唯一且持之以恒的核心競爭力——創(chuàng)新。 如今，中國內(nèi)陸的老工業(yè)基地株洲，也開始了基于創(chuàng)新的城市全方位轉(zhuǎn)型升級。這座素有“動(dòng)力之都
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絕緣柵雙極管(igbt)介紹
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