絕緣柵雙極管(igbt) 文章 進入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區(qū)
分享：IGBT的檢測方法
- IGBT有三個電極，分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發(fā)射極E(也稱源極)一、用指針式萬用表對場效應(yīng)管進行判別(1)用測電阻法判別結(jié)
- 關(guān)鍵字： IGBT 場效應(yīng)管 檢測方法
IGBT的特點、應(yīng)用及未來的研究方向
- 近年來，IGBT被廣泛關(guān)注，隨著技術(shù)的發(fā)展，其應(yīng)用前景被廣泛看好，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)IGBT，在很多領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。 什么是IGBT? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓
- 關(guān)鍵字： IGBT
IGBT掃盲文，IGBT基礎(chǔ)與運用知識學習
- IGBT基礎(chǔ)與運用 IGBT， 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快 的特點(控制和響應(yīng))，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用)，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內(nèi)?！ ±硐氲刃щ娐放c實際等效電路如圖所示： IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時不用考慮，重點考慮動態(tài)特性(開關(guān)特性)?！ 討B(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取
- 關(guān)鍵字： IGBT，MOSFET
絕緣柵雙極管(igbt)介紹
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