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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極管(igbt)

          三菱電機(jī)IGBT和IPM比翼齊飛,力保市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)地位

          •   三菱電機(jī)半導(dǎo)體首席技術(shù)官GourabMajumdar博士,在PCIM Asia 2016展會(huì)期間提到,三菱電機(jī)的功率半導(dǎo)體模塊(包括其在美國(guó)合資企業(yè)Powerex)2014年和2015年的銷售額大約在4.3兆日元至4.4兆日元,約占全球總銷量的23%,位居功率模塊市場(chǎng)首位。   圖一:三菱電機(jī)半導(dǎo)體首席技術(shù)官GourabMajumdar博士記者會(huì)演講   雖然2016年整體經(jīng)濟(jì)環(huán)境不佳,預(yù)計(jì)銷售額會(huì)有所下降。但是,由于中國(guó)市場(chǎng)龐大,并且根據(jù)國(guó)家相應(yīng)的十三五發(fā)展規(guī)劃,中國(guó)將從制造大國(guó)邁向制造強(qiáng)國(guó)
          • 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī)  IGBT  

          多家行業(yè)龍頭企業(yè)齊齊亮相PCIM Asia上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)

          •   2016年P(guān)CIM Asia上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)將再次于6月28至30日在上海世博展覽館舉行。展會(huì)由廣州光亞法蘭克福展覽有限公司、法蘭克福展覽(上海)有限公司、德國(guó)美賽高PCIM有限公司和上海浦東國(guó)際展覽公司合力主辦。為期三天的行業(yè)盛事預(yù)料將吸引來自8個(gè)不同國(guó)家及地區(qū)共90家電力電子、連接技術(shù)和傳感器的高端企業(yè)參展,以及超過6,000名專業(yè)觀眾蒞臨參觀采購(gòu),總展覽面積達(dá)到5,600平方米。        隨著中國(guó)最面進(jìn)入工業(yè)化革命,國(guó)家大幅度提高對(duì)可再生能源、電動(dòng)
          • 關(guān)鍵字: PCIM  IGBT  

          “I”型三電平逆變器開關(guān)管不均壓研究

          • 為解決“I”型三電平逆變拓?fù)渲袃?nèi)、外開關(guān)管的不均壓?jiǎn)栴},在逆變拓?fù)溟_關(guān)管的控制方式及硬件電路上提出了優(yōu)化的方案。開關(guān)管發(fā)波控制中,在原有的時(shí)序控制中加入開機(jī)和關(guān)機(jī)的時(shí)序邏輯,開機(jī)時(shí)保證內(nèi)管先于外管開通,關(guān)機(jī)時(shí)保證外管先于內(nèi)管關(guān)斷,避免內(nèi)、外管承受電壓不一致的情況。在硬件電路中,對(duì)內(nèi)管增加阻容網(wǎng)絡(luò),消除了內(nèi)、外管同時(shí)關(guān)斷時(shí)由于其寄生參數(shù)不一致而導(dǎo)致的內(nèi)、外管承受電壓不一致的現(xiàn)象。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該方法可以徹底解決“I”型三電平拓?fù)渲袃?nèi)、外管承受電壓不一致的問題。
          • 關(guān)鍵字: “I”型三電平  絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)  內(nèi)、外管  不均壓  201607  

          三菱電機(jī)攜八款功率器件在PCIM Asia 2016隆重登場(chǎng)

          •   三菱電機(jī)今年繼續(xù)以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為主題, 攜帶八款新型功率器件,于6月28至30日在上海世博展覽館舉行的PCIM Asia2016(上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì))中登場(chǎng),向公眾展示其在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)上的非凡實(shí)力(三菱電機(jī)展位號(hào):B15)。   今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越四大領(lǐng)域,包括:變頻家電、軌道牽引及電力傳輸、電動(dòng)汽車、工業(yè)和新能源發(fā)電,致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。   變頻家電市場(chǎng)   在變頻家電應(yīng)用方面,三菱電機(jī)這次在去年推介
          • 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī)  IGBT  

          EV/HEV用IGBT將增長(zhǎng)3倍,IGBT仿真與測(cè)試引關(guān)注

          • EV/HEV用IGBT在5年內(nèi)將增長(zhǎng)3倍。由于EV/HEV的電力系統(tǒng)更加復(fù)雜,IGBT的熱設(shè)計(jì)與可靠性分析與測(cè)試十分重要,需要借助軟硬件結(jié)合的方式進(jìn)行仿真與測(cè)試。
          • 關(guān)鍵字: EV/HEV  IGBT    可靠性  201606  

          Mentor為EV/HEV用IGBT推出600A仿真和測(cè)試設(shè)備

          •   Mentor Graphics公司近日宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 產(chǎn)品,其在功率循環(huán)中能測(cè)試電動(dòng)和混合動(dòng)力車 (EV/HEV) 的IGBT的可靠性。借助 MicReD Power Tester 600A 產(chǎn)品,EV/HEV 研發(fā)和可靠性工程師能測(cè)試功率半導(dǎo)體器件(如IGBT、MOSFET、晶體管以及充電器),以便檢查對(duì)完成任務(wù)來說至關(guān)重要的熱可靠性和生命周期性能。   “中國(guó)三類客戶對(duì)此會(huì)有感興趣:1.一些OEM廠商自己在做IGBT;2.企
          • 關(guān)鍵字: Mentor  IGBT  

          Mentor Graphics 推出獨(dú)特的 MicReD Power Tester 600A 解決方案,用于解決電動(dòng)和混合動(dòng)力車 IGBT 熱可靠性問題

          •   Mentor Graphics公司今天宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 產(chǎn)品,其在功率循環(huán)中能測(cè)試電動(dòng)和混合動(dòng)力車 (EV/HEV) 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性。借助 MicReD Power Tester 600A 產(chǎn)品,EV/HEV 研發(fā)和可靠性工程師能測(cè)試功率半導(dǎo)體器件(如絕緣柵雙極性晶體管 – IGBT、MOSFET、晶體管以及充電器),以便檢查對(duì)完成任務(wù)來說至關(guān)重要的熱可靠性和生命周期性能。熱可靠性問題可能導(dǎo)致需要召回 EV/HEV 汽車,
          • 關(guān)鍵字: Mentor Graphics  IGBT   

          Fairchild推出適用于混合動(dòng)力電動(dòng)汽車和純電動(dòng)汽車應(yīng)用的分立式IGBT

          •   隨著Fairchild最新汽車創(chuàng)新產(chǎn)品的上市,汽車制造商及其供應(yīng)商在牽引逆變器  和其他電機(jī)驅(qū)動(dòng)的元件方面將擁有更多的選擇  全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild 今天發(fā)布了新產(chǎn)品,即適用于混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(HEV)、充電式混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(PHEV)和電動(dòng)汽車(EV)應(yīng)用的新型分立式IGBT和二極管和裸片,從而擴(kuò)展了其不斷增加的汽車級(jí)半導(dǎo)體解決方案產(chǎn)品組合。 這些IGBT和二極管非常適合牽引逆變器,牽引逆變器是所有HEV、PHEV和EV的核心組件,能夠?qū)㈦姵?/li>
          • 關(guān)鍵字: Fairchild  IGBT  

          Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC,將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動(dòng)器技術(shù)引入到1200 V應(yīng)用中

          •   中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動(dòng)器IC,8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動(dòng)級(jí)的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時(shí)為IGBT和MOSFET提供驅(qū)動(dòng),也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的產(chǎn)品。Flux
          • 關(guān)鍵字: Power Integrations  IGBT  

          Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC,將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動(dòng)器技術(shù)引入到1200 V應(yīng)用中

          •   中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動(dòng)器IC,8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動(dòng)級(jí)的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時(shí)為IGBT和MOSFET提供驅(qū)動(dòng),也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的產(chǎn)品。Flux
          • 關(guān)鍵字: Power Integrations  IGBT  

          解析IGBT的工作原理及作用

          •   本文通過等效電路分析,通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用,并精簡(jiǎn)的指出了IGBT的特點(diǎn)??梢哉f,IGBT是一個(gè)非通即斷的開關(guān),兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。   IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。  
          • 關(guān)鍵字: IGBT  MOSFET  

          IGBT模塊封裝底板的氧化程度對(duì)焊接空洞率的影響分析

          • 本文簡(jiǎn)介了IGBT模塊的主要封裝工藝流程,并在相同的實(shí)驗(yàn)條件下,對(duì)兩組不同氧化程度的模塊分別進(jìn)行超聲波無損檢測(cè)掃描,將掃描圖像載入空洞統(tǒng)計(jì)分析軟件,通過對(duì)比兩組空洞率數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn):非氧化底板焊接空洞率較低,氧化底板的焊接空洞率普遍偏大?;诒緦?shí)驗(yàn)的結(jié)果,本文建議IGBT模塊在封裝之前,應(yīng)對(duì)散熱底板做好防腐處理,以確保底板不被氧化。
          • 關(guān)鍵字: IGBT  底板  氧化  空洞率  超聲波檢測(cè)  201605  

          工業(yè)強(qiáng)基:工信部今年打算怎么干?

          •   工業(yè)基礎(chǔ)能力不強(qiáng),關(guān)鍵核心零部件受制于人,工業(yè)發(fā)展如何補(bǔ)短板?解放日?qǐng)?bào)·上海觀察從國(guó)家工信部12日發(fā)布的《工業(yè)強(qiáng)基2016專項(xiàng)行動(dòng)實(shí)施方案》獲悉,今年工信部將推動(dòng)重點(diǎn)領(lǐng)域發(fā)展,實(shí)施“一攬子”突破行動(dòng),重點(diǎn)突破40種左右標(biāo)志性核心基礎(chǔ)零部件(元器件)、關(guān)鍵基礎(chǔ)材料、先進(jìn)基礎(chǔ)工藝。    ?   “工業(yè)大而不強(qiáng)”,是我國(guó)工業(yè)發(fā)展的總體現(xiàn)狀。上海機(jī)床廠剛剛下線的國(guó)內(nèi)首臺(tái)進(jìn)入汽車主機(jī)廠發(fā)動(dòng)機(jī)生產(chǎn)線的“MK8220/S
          • 關(guān)鍵字: IGBT  中國(guó)制造2025  

          三菱電機(jī)應(yīng)用于電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)的模塊解決方案

          •   電動(dòng)汽車的運(yùn)行條件不同于工業(yè)應(yīng)用條件,對(duì)電驅(qū)動(dòng)用逆變器的核心元器件功率模塊不僅要求體積小、重量輕、效率高、冷卻方法簡(jiǎn)單等,而且要求更高的可靠性、更長(zhǎng)的壽命以及安全無故障運(yùn)行。  作為全球首家開發(fā)汽車級(jí)功率模塊的三菱電機(jī)從1997年起就將汽車級(jí)功率模塊成功地應(yīng)用于電動(dòng)汽車中,迄今為止,已具有20年成功開發(fā)汽車級(jí)功率模塊的豐富經(jīng)驗(yàn)?! ?jù)介紹,三菱電機(jī)最早推出的是客戶定制型的汽車級(jí)IGBT模塊和智能功率模塊(IPM),隨后推出了非定制型的J-series汽車級(jí)功率模塊T-PM,它是一種采用壓注模封裝的2i
          • 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī)  IGBT  
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          絕緣柵雙極管(igbt)介紹

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