- 全球先進電子元件分銷商世強日前與國際橋堆制造領軍企業(yè)Shindengen簽訂分銷協(xié)議，前者正式代理包括橋堆、二極管、電源模塊、可控硅、IGBT、MOS等在內的新電元全線產品?！ ⌒?nbsp;電元工業(yè)株式會社于1949年成立以來，主要從事功率半導體和開關電源、電裝制品的制造和銷售，并以電力電子技術為主要領域。旗下的電源用肖特基二極管、橋堆等分立器件產品的市場占有率穩(wěn)居世界前列，在日本國內占95%的市場份額。其整流橋在全世界占有接近40%的市場份額，素有“橋王”之稱?！ ⌒?nbsp;電元的主打產品——
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世強 IGBT
- 工業(yè)運動控制涵蓋一系列應用，包括基于逆變器的風扇或泵控制、具有更為復雜的交流驅動控制的工廠自動化以及高級自動化應用(如具有高級伺服控制的機器人)。這些系統(tǒng)需要檢測多個變量，例如電機繞組電流或電壓、直流鏈路電流或電壓、轉子位置和速度。變量的選擇和所需的測量精度取決于終端應用需求、系統(tǒng)架構、目標系統(tǒng)成本或系統(tǒng)復雜度。還有其他考慮因素，例如狀態(tài)監(jiān)控等增值特性。據報道，電機占全球總能耗的40%，國際法規(guī)越來越注重全體工業(yè)運動應用的系統(tǒng)效率(參見圖1)?！ ?nbsp;
圖1：工業(yè)
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調制器 IGBT
- 模擬信號的隔離是非常頭疼的，有時候不得不需要隔離。大部分基于以下需要： 1.隔離干擾源; 2.分隔高電壓?！ 「綦x數字信號的辦法很多，隔離模擬信號的辦法卻沒有想象的那么多，關鍵是隔離的成本，比想象的都要高出許多。特別是要求精確測量的場合，模擬信號的隔離，成本高得更加是離譜的無法想象。我從事這種系統(tǒng)開發(fā)多年，對自己所知道的隔離方法做個小小的總結： 數字隔離方法： 1. 光耦; 2. ADI 的磁隔離芯片,ADuMXXXX(XXXX為數字代號，如 I2C的ADuM1250); 3.自己用變壓器
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模擬信號 IGBT
- 貿澤電子 (Mouser Electronics) 為首家分銷Infineon TRENCHSTOP? 5 S5絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 的全球分銷商。此新一代超薄晶圓TRENCHSTOP 5系列產品在175°C的溫度下，能夠提供業(yè)界領先的1.60 VCE(sat) 低典型飽和電壓，因此即使在高溫工作條件下，也能保持較高的能效?！ ouser分銷的Infineon TRENCHSTOP 5 S5 IGBT提高了開關性能，可降低電路復雜度，此外由于不需要電容與齊納二極管，還可以降低整體系統(tǒng)成本
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Infineon IGBT
- 英飛凌科技股份公司進一步壯大其200 V驅動IC產品陣容，推出支持高壓、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005(S, M)。全新驅動IC能為具有嚴格空間限制的電機變頻器應用提供全面保護，比如電動園藝設備、高爾夫球車、電動工具及代步車等。IRS200x家族產品包括高邊和低邊驅動以及半橋式驅動，采用英飛凌成熟而強大的高壓結隔離(HVJI)工藝，以實現小型封裝，同時保持對負瞬變電壓的耐受性。這種200 V器件專為低壓(24 V、36 V和48 V)和中壓(60 V、80 V和100 V)應用量身定制
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英飛凌 IGBT
- IGBT的優(yōu)勢在于輸入阻抗很高，開關速率快，導通態(tài)電壓低，關斷時阻斷電壓高，集電極和發(fā)射機承受電流大的特點，目前已經成為電力電子行業(yè)的功率半導體發(fā)展的主流器件。IGBT已經由第三代發(fā)展到第五代了，由穿透型發(fā)展到非穿透型。IGBT模塊也在此基礎上同步發(fā)展，單管模塊，半橋模塊，6管模塊，到現在的7管模塊。IGBT驅動設計上比較復雜，需要考慮較多的因素，諸如合理的選擇驅動電壓Uge和門極驅動電阻Rg，過流過壓保護等都是很重要的。IGBT模塊廣泛用于UPS，感應加熱，逆變焊機電源，變頻器等領域。
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Vincotech IGBT
- IGBT這技術國內確實不夠，現在量產并使用在高鐵上，也是一大飛躍。
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高鐵 IGBT
- 1. 概述
HWKT—09型微機勵磁調節(jié)器是武漢洪山電工技術研究所研制的新型的由IGBT作為功率輸出器件的自并激微機勵磁調節(jié)器。它的最大特點是結構簡單，主控回路只需一塊面積為25×20(cm2)的印制電路板，以Intel公司準16位單片機(8098)為核心，加上外圍接口芯片組成的控制系統(tǒng)。該裝置于2000年12月在我站#1、#5機上成功投運，目前運行良好。
2. IGBT自并激勵磁系統(tǒng)的組成及主回路原理
2.1 勵磁系統(tǒng)組成及接線方式
自并激勵磁系統(tǒng)也就
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IGBT 勵磁系統(tǒng)
- 意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出新款M系列650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷經濟的能效解決方案，適用于暖通空調系統(tǒng)(HVAC)電機驅動、不間斷電源、太陽能轉換器以及所有的硬開關(hard-switching)電路拓撲20kHz功率轉換應用。
采用意法半導體的第三代溝柵式場截止型(trench-gate field-stop)低損耗制造工藝，M系列IGBT有一個全新溝柵(trench gate)和特殊設計的P-N-P垂直結構，可以在導通損耗和開關損耗之
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意法半導體 IGBT
- 意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出S系列 1200V IGBT絕緣柵雙極晶體管。當開關頻率達到8kHz時，新系列雙極器件的導通和關斷綜合損耗創(chuàng)市場新低，大幅度提升不間斷電源、太陽能發(fā)電、電焊機、工業(yè)電機等類似設備的電源轉換效率。
新S系列擁有當前1200V IGBT市場上最低的飽和電壓(VCE(sat))，可確保更低的壓降與最小的功率耗散，從而簡化熱管理系統(tǒng)。此外，正VCE(sat)溫度系數結合緊密的參數分布，不僅簡化多支晶體管的并聯
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意法半導體 IGBT
- 英飛凌科技股份公今日發(fā)布一款采用可控逆導型IGBT，在同一芯片上集成了IGBT和續(xù)流二極管的6.5 kV功率模塊。新發(fā)布的這款RCDC(二極管可控逆導型IGBT)IGBT芯片，非常適合現代高速列車和高性能電力機車，以及未來的HVDC輸電系統(tǒng)和傳動裝置。較之安裝尺寸相同的前幾代模塊，采用RCDC IGBT的模塊電流密度提高了33%，散熱性能也有所增強。因此，它可以延長產品工作壽命并提高可靠性，進而最大限度降低系統(tǒng)維護工作量。
通過推出RCDC IGBT芯片，英飛凌進一步壯大其高性能6.5kV
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英飛凌 IGBT
- 隨著綠色電力運動勢頭不減，包括家電、照明和電動工具等應用，以至其他工業(yè)用設備都在盡可能地利用太陽能的優(yōu)點。為了有效地滿足這些產品的需求，電源設計師正通過最少數量的器件、高度可靠性和耐用性，以高效率把太陽能源轉換成所需的交流或者直流電壓。
要為這些應用以高效率生產所需的交流輸出電壓和電流，太陽能逆變器就需要控制、驅動器和輸出功率器件的正確組合。要達到這個目標，在這里展示了一個針對500W功率輸出進行優(yōu)化，并且擁有120V及60Hz頻率的單相正弦波的直流到交流逆變器設計。在這個設計中，有一個DC/D
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IGBT 逆變器
- 近年來，中國的逆變焊機技術已日趨成熟，逆變焊機本身的技術和性能在不斷提高，且得到各行業(yè)用戶的認可，并逐漸進入國際市場。作為功率半導體市場領軍者，英飛凌憑借豐富的經驗和創(chuàng)新實力，重視中國本土客戶的需求，全新推出針對于逆變焊機應用的34毫米IGBT功率模塊Advantage系列，該系列產品包括1200V 50A、75A和100A, 具有高性價比，其品質和可靠性達到英飛凌一貫高標準。
電焊機在工業(yè)領域應用非常廣泛，如焊接機器人、機械制造、造船、石油化工、電力建設、建筑業(yè)等，隨著對焊機的利用率的提高，這
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英飛凌 IGBT
- 摘要：本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數并分析了這些電氣參數對電路設計的影響，并且根據SiC Mosfet管開關特性和高壓高頻的應用環(huán)境特點，推薦了金升陽可簡化設計隔離驅動電路的SIC驅動電源模塊。
關鍵詞：SiC Mosfet管;隔離驅動電路;驅動電源模塊;QA01C
一、引言
以Si為襯底的Mosfet管因為其輸入阻抗高，驅動功率小，驅動電路簡單，具有靠多數載流子工作導電特性，沒有少數載流子導電工作所需要的存儲時間，因而開關速度快，工作頻率
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QA01C IGBT
- 1 充電機的現狀
目前，礦用電機車蓄電池的充電，無論是恒流充電、恒壓充電或是先恒流再恒壓的分段式充電，都有一個共同的問題，就是這種小電流慢充方式，蓄電池初充需70小時以上，進行普通充電也需10小時以上，這種充電方式在充電過程的初期，充電電流遠小于蓄電池可接受的充電電流，因而拉長了充電時間，造成電能的浪費。而在充電過程的后期，充電電流又大于蓄電池可接受的電流，蓄電池內部溫度升高，產生大量析氣，并形成內部硫化結晶，大大縮短了蓄電池的循環(huán)使用壽命，甚至有可能永久性地損壞電池。這不僅造成了浪費，也增加了
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IGBT
絕緣柵雙極管(igbt)介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條絕緣柵雙極管(igbt)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對絕緣柵雙極管(igbt)的理解，并與今后在此搜索絕緣柵雙極管(igbt)的朋友們分享。
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