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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極管(igbt)

          英飛凌展示新一代IGBT——650V TRENCHSTOP 5

          • 英飛凌科技股份有限公司在上海PCIM Asia 2013 電力電子、智能運動、可再生能源管理展覽會上突出展示了650V TRENCHSTOP? 5。新一代的薄晶圓IGBT絕緣柵雙極型晶體管——TRENCHSTOP? 5自從2012年秋季推出以來,已經(jīng)獲得了巨大的市場關(guān)注,它被認為是一種革新的技術(shù)。
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  TRENCHSTOP  IGBT  

          IR全新1200V IGBT為電機驅(qū)動及不間斷電源應(yīng)用提升功率密度和效率

          • 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出堅固可靠的全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列,針對工業(yè)電機驅(qū)動及不間斷電源 (UPS) 應(yīng)用進行了優(yōu)化。
          • 關(guān)鍵字: IR  電源  IGBT  

          安森美半導體推出領(lǐng)先業(yè)界的最佳系統(tǒng)級性能的IGBT,擴充產(chǎn)品陣容

          • 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)持續(xù)擴充高性能絕緣門雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品陣容,應(yīng)用于消費類電器及工業(yè)應(yīng)用的高性能電源轉(zhuǎn)換(HPPC)。安森美半導體新的第二代場截止型(FSII) IGBT器件改善開關(guān)特性,降低損耗達30%,因而提供更高能效,并轉(zhuǎn)化為更低的外殼溫度,為設(shè)計人員增強系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對目標應(yīng)用進行了優(yōu)化,相比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達20%。 安森美半導體功率分立產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul
          • 關(guān)鍵字: 安森美,IGBT  

          英飛凌推出EiceDRIVER SIL和EiceDRIVER Boost

          • 英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTC QX:IFNNY) 日前推出新一代應(yīng)用于新能源汽車的高壓IGBT門級驅(qū)動器。有了專為混合動力/電動汽車 (HEV) 的主逆變器而設(shè)計的全新EiceDRIVER? SIL和EiceDRIVER? Boost驅(qū)動器,汽車系統(tǒng)供應(yīng)商便能夠更輕松地設(shè)計出更具成本效益的HEV電力傳動傳動子系統(tǒng),該系統(tǒng)完全符合ASIL C/D功能安全要求標準 (ISO 26262)。
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  EiceDRIVER  逆變器  IGBT  

          用IGBT代替MOSFET的可行性分析

          • 一、引言電力電子設(shè)備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數(shù)和低成本的方向發(fā)展,功率器件則要求高速、...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  MOSFET  

          IGBT應(yīng)用設(shè)計全面剖析

          • 如何做好IGBT的保護眾所周知,IGBT是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件,具有電壓高、電流大、頻率...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  應(yīng)用設(shè)計  

          IGBT使用和設(shè)計新方法

          • IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù),將功率MOSFET和功...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  使用  設(shè)計  

          IGBT基礎(chǔ)知識梳理

          • 有關(guān)IGBT你了解多少,IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  基礎(chǔ)知識  

          IGBT實用的驅(qū)動電路及細節(jié)設(shè)計

          • 1.IGBT的模型IGBT的模型在教科書上能找到,其柵極G,相當于一個數(shù)納法(nF)的小電容(暫時這樣認為),這與MOS...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  驅(qū)動電路  細節(jié)設(shè)計  

          12脈沖與IGBT高頻整流器

          • 一、概述12脈沖整流器的由來對于直流來說不存在什么功率因數(shù)問題,因為直流的電流和電壓永遠是同相...
          • 關(guān)鍵字: 12脈沖  IGBT  高頻整流器  

          如何控制IGBT逆變器設(shè)計中的雜散電感

          • IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此,英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與目前逆變器設(shè)計 ...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  逆變器設(shè)計  雜散電感  

          全方位了解IGBT的基礎(chǔ)知識

          • 有關(guān)IGBT你了解多少,IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MO...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  基礎(chǔ)知識  

          大功率IGBT散熱器水冷熱阻計算

          • 為了優(yōu)化水冷散熱器散熱能力,保障其可靠工作,引用了傳熱學中的基本原理與公式,以散熱器外形的機械尺寸、水的強制對流換熱系數(shù)和水的導熱系數(shù)作為參數(shù)及變量推導了散熱器水冷熱阻的計算公式。同時為了滿足實際應(yīng)用,開發(fā)了一種專用水冷散熱器熱阻計算和曲線繪制軟件,可以顯示熱阻隨參數(shù)變化而變化的各種曲線,也可以直接計算顯示熱阻值。為散熱器的設(shè)計中參數(shù)的優(yōu)化選擇提供直觀方便的參考。
          • 關(guān)鍵字: IGBT  大功率  散熱器  熱阻計算    

          針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動器

          • 針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動器,引言對電能轉(zhuǎn)換而言,可再生能源電子細分市場是一個復雜且多樣化的競技場。在一些負載點應(yīng)用中,開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式,功率水平相當?shù)?200 W),并且常常會把電
          • 關(guān)鍵字: IGBT  MOSFET  柵極驅(qū)動器  

          一種新型的零電壓零電流三電平變換器的研究

          • 摘要:針對采用IGBT的軟開關(guān)三電平變換器中IGBT關(guān)斷過程存在的電流拖尾現(xiàn)象,以及基本三電平拓撲變壓器次級存在的電壓過沖和電壓振蕩現(xiàn)象,提出了改進型ZVZCS三電平結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)在基于拓撲的三電平橋臂側(cè)和兩電平橋臂
          • 關(guān)鍵字: 三電平變換器  ZVZCS  輔助網(wǎng)絡(luò)  IGBT  
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          絕緣柵雙極管(igbt)介紹

          您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條絕緣柵雙極管(igbt)!
          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對絕緣柵雙極管(igbt)的理解,并與今后在此搜索絕緣柵雙極管(igbt)的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

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