英飛凌 文章 進(jìn)入英飛凌技術(shù)社區(qū)
英飛凌絕緣體上硅(SOI)高壓驅(qū)動芯片的三個優(yōu)勢
- 現(xiàn)在的高功率變頻器和驅(qū)動器承載更大的負(fù)載電流。如下圖1 所示：由于功率回路里的寄生電感（主要由功率器件的封裝引線和PCB的走線產(chǎn)生的），電路中VS腳的電壓會從高壓母線電壓（S1通S2關(guān)時）變化到低于地的負(fù)壓（S1關(guān)閉時）。圖一右邊波形中的紅色部分就是VS腳在半橋感性負(fù)載電路中產(chǎn)生的瞬態(tài)負(fù)電壓。電平轉(zhuǎn)移高壓驅(qū)動芯片有兩個主要組成部分：1 電平轉(zhuǎn)移電路，其作用是把以COM腳為參考的輸入邏輯信號轉(zhuǎn)換成以VS腳為參考的輸出驅(qū)動信號。2 自舉二極管，對浮地端的供電電容進(jìn)行充電。對于這兩部分電路，英飛凌的SOI驅(qū)動芯
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 高壓驅(qū)動芯片
英飛凌推出AIROC? CYW20820藍(lán)牙?和低功耗藍(lán)牙?片上系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)靈活、低功耗及高性能的連接
- 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）將推出AIROC? CYW20820藍(lán)牙? 和低功耗藍(lán)牙?片上系統(tǒng)（SoC），進(jìn)一步壯大其AIROC藍(lán)牙系列的產(chǎn)品陣容。AIROC CYW20820 藍(lán)牙和低功耗藍(lán)牙片上系統(tǒng)，專為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用而設(shè)計，符合藍(lán)牙5.2核心規(guī)范。它可支持家居自動化以及傳感器的豐富應(yīng)用場景，包括醫(yī)療、家居、安防、工業(yè)、照明、藍(lán)牙Mesh網(wǎng)絡(luò)以及其他需要采用低功耗藍(lán)牙或雙模藍(lán)牙連接的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。 AIROC? CYW20820 A
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 藍(lán)牙
英飛凌140W(28V/5A) USB-PD3.1 高功率密度方案
- 隨著市場對筆記本電腦快充需求的增加，英飛凌針對28V輸出， 推出USB PD3.1高功率密度方案，突破了長期以來的100W功率限制，最高功率可達(dá)到140W，進(jìn)一步提高筆記本的充電效率，可以滿足更大功率的設(shè)備供電。英飛凌USB-PD 3.1 EPR的140W高功率密度解決方案● 采用混合反激 （HFB）拓?fù)?支持5-28V寬壓輸出● 可靈活搭配CoolGaN? 或 CoolMOS? ，滿足不同的產(chǎn)品定位需求● 相比傳統(tǒng)QR,ACF
- 關(guān)鍵字： 英飛凌
功率半導(dǎo)體冷知識之二：IGBT短路時的損耗
- IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一，短路保護(hù)可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實(shí)現(xiàn)。IGBT是允許短路的，完全有這樣的底氣，EconoDUAL?3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的數(shù)據(jù)手冊是這樣描述短路能力的，在驅(qū)動電壓不超過15V時，短路電流典型值是2400A，只要在10us內(nèi)成功關(guān)斷短路電流，器件不會損壞。IGBT的短路承受能力為短路保護(hù)贏得時間，驅(qū)動保護(hù)電路可以從容安全地關(guān)斷短路電流。短路能力不是免費(fèi)的器
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT 功率半導(dǎo)體
PIM模塊中整流橋的損耗計算
- 在通用變頻器或伺服驅(qū)動器的設(shè)計中，經(jīng)常會用到英飛凌的PIM模塊（即集成了二極管整流橋+剎車單元+IGBT逆變單元的模塊）。一般情況下PIM模塊中的整流二極管都是根據(jù)后面逆變IGBT的電流等級來合理配置的，且由于其多數(shù)都是連接電網(wǎng)工作于工頻50或60Hz工況，芯片結(jié)溫波動很小，因此其通常不會是IGBT PIM模塊是否適用的瓶頸，所以一般在器件選型時也不會特意去計算或仿真PIM模塊中整流橋部分的損耗。但有些客戶的機(jī)型要滿足一些特殊工況，或需要考慮模塊的整體損耗來做系統(tǒng)的熱設(shè)計，這時就需要計算整流橋的損耗。而目
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 PIM
如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
- 在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域，還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。下文所述，主要以英飛凌工業(yè)1200V SiC MOSFET的M1H系列產(chǎn)品與應(yīng)用為參考，其他不同電壓等級或不同廠家的SiC產(chǎn)品，不盡相同。在SiC產(chǎn)品的規(guī)格書中，都會有SiC Vgs電壓范圍和推薦電壓區(qū)間(如圖1所示)，以供大家在實(shí)際應(yīng)用中參考。但是推薦非強(qiáng)制，
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 Vgs 門極電壓
絕緣體上硅（SOI）驅(qū)動芯片技術(shù)優(yōu)勢及產(chǎn)品系列
- 在之前的技術(shù)文章中，介紹了驅(qū)動芯片的概覽和PN結(jié)隔離(JI)技術(shù)，本文會繼續(xù)介紹英飛凌的絕緣體上硅（SOI）驅(qū)動芯片技術(shù)。高壓柵極驅(qū)動IC的技術(shù)經(jīng)過長期的發(fā)展，走向了絕緣體上硅（silicon-on-insulator，簡稱SOI），SOI指在硅的絕緣襯底上再形成一層薄的單晶硅，相對于傳統(tǒng)的導(dǎo)電型的硅襯底，它有三層結(jié)構(gòu)，第一層是厚的硅襯底層，用于提供機(jī)械支撐，第二層是薄的二氧化硅層，二氧化硅是一種絕緣體，從而形成一層絕緣結(jié)構(gòu)，第三層是薄的單晶硅頂層，在這一層進(jìn)行電路的刻蝕，形成驅(qū)動IC的工作層。圖１.絕緣
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 驅(qū)動芯片
英飛凌推出新一代高性能XENSIV MEMS麥克風(fēng)
- 英飛凌科技（Infineon）發(fā)布了新一代XENSIV MEMS麥克風(fēng)。新產(chǎn)品包括IM69D127、IM73A135和IM72D128三款型號，進(jìn)一步壯大了英飛凌的麥克風(fēng)產(chǎn)品組合，同時也為業(yè)界樹立了新標(biāo)竿。這些具有可選功率模式的MEMS麥克風(fēng)適用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品，例如具有主動降噪（ANC）功能的耳機(jī)、TWS耳機(jī)、具有波束成形功能的會議設(shè)備、筆記本電腦、平板計算機(jī)或具有語音交互功能的智能音箱。此外該產(chǎn)品還適用于某些工業(yè)類應(yīng)用，例如預(yù)側(cè)性維護(hù)和安全等。這些高性能MEMS麥克風(fēng)旨在以更高的精度和音質(zhì)擷取音頻訊
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 XENSIV MEMS麥克風(fēng)
英搏爾率先采用英飛凌750 V車規(guī)級分立式IGBT EDT2組件
- 海英搏爾電氣股份有限公司，率先引入英飛凌科技股份有限公司最新推出750 V車規(guī)級IGBT ，包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2兩款型號。 這款分立式IGBT EDT2組件采用TO-247PLUS封裝，可以提升電動汽車主逆變器和直流鏈路放電開關(guān)的性能，并節(jié)約系統(tǒng)成本。除此之外，它們還能夠?yàn)樵O(shè)計師提供更大的自由度，有助于實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)整合。英搏爾MCU技術(shù)總監(jiān)劉宏鑫表示：「英搏爾堅定不移地遵循使用分立式組件設(shè)計電機(jī)控制單元（MCU）的技術(shù)路線，不斷開發(fā)出高性價比的產(chǎn)品，從而始終保持
- 關(guān)鍵字： 英搏爾 英飛凌 IGBT EDT2組件
英搏爾率先采用英飛凌最新推出的 750 V車規(guī)級分立式IGBT EDT2器件
- 中國領(lǐng)先的車載逆變器供應(yīng)商珠海英搏爾電氣股份有限公司率先引入了英飛凌科技股份公司（FSE代碼:IFX / OTCQX代碼: IFNNY）最新推出的750 V車規(guī)級IGBT ，包括AIKQ120N75CP2 和 AIKQ200N75CP2兩個型號。這款分立式IGBT EDT2器件采用TO-247PLUS封裝，可以提升電動汽車主逆變器和直流鏈路放電開關(guān)的性能，并節(jié)約系統(tǒng)成本。除此之外，它們還能夠?yàn)樵O(shè)計師提供更大的自由度，有助于實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)集成。?? ? ? ? &
- 關(guān)鍵字： 英博爾 英飛凌 IGBT
英飛凌 BCR CYPD3177之100W PD控制方案
- 隨著PD產(chǎn)品在市場的日趨成長，Type-C連接口的應(yīng)用越來越廣泛，PD協(xié)議是以Type-C作為載體傳輸資料或充電，也就是說PD協(xié)議需要搭配Type-C界面來實(shí)現(xiàn)。常見筆電標(biāo)配的電源供應(yīng)器由于體積較大，加上不好收納的電源線，影響攜帶時的便利性，因此利用大功率的PD充電器加上誘騙器即能快速解決問題。具有智慧快充誘騙功能的PD電源，可解決USB輸入口供電不足的問題并結(jié)合快充功能的充電器使用，達(dá)到輸出功率更大，效率更高，提高其實(shí)用性，并可利用不同的PD電源產(chǎn)品利用誘騙器來提供給無Type C界面的產(chǎn)品使用，既可提
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 BCR CYPD3177 PD控制
安富利：英飛凌(INFINEON) OPTIGA為物聯(lián)網(wǎng)潛力保駕護(hù)航
- 物聯(lián)網(wǎng)提升生活品質(zhì)的潛力有賴于無數(shù)設(shè)備之間分享、傳輸和訪問海量信息的能力。不過這種便利卻增加了數(shù)據(jù)泄露的風(fēng)險，因此需要強(qiáng)大的安全技術(shù)，以保護(hù)敏感數(shù)據(jù)。這就是為什么安富利為您推介英飛凌，實(shí)事可以證明其解決方案將對您的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計非常有價值?！ ∮w凌OPTIGA物聯(lián)網(wǎng)安全解決方案在物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)參考設(shè)計中并入了主管安全的器件。它還包括了使用意法半導(dǎo)體(ST Micro)傳感器的傳感器中樞和圍繞Dialog Semi設(shè)計的低功耗藍(lán)牙模塊，通用性極強(qiáng)。令人印象深刻的是，英飛凌OPTIGA Trust產(chǎn)品為在安全應(yīng)
- 關(guān)鍵字： 安富利 英飛凌 物聯(lián)網(wǎng)
如何計算驅(qū)動芯片的desat保護(hù)時間
- SiC MOSFET短路時間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiC? MOSFET單管保證3us的短路時間，Easy模塊保證2us的短路時間，因此要求驅(qū)動電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天，我們來具體看一下這個短而精的程度。圖1是傳統(tǒng)典型的驅(qū)動芯片退飽和檢測原理，芯片內(nèi)置一個恒流源。功率開關(guān)器件在門極電壓一定時，發(fā)生短路后，電流不斷增加，導(dǎo)致器件VCE電壓迅速提升至母線電壓，高壓二極管被阻斷，恒流源電流向電容CDESAT充電，當(dāng)上電容CDESAT的電壓被恒流源充至大于比較器參考電壓后，觸發(fā)驅(qū)動器關(guān)閉輸出。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 desat 驅(qū)動芯片
當(dāng)SiC MOSFET遇上2L-SRC
- 導(dǎo)讀】事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開關(guān)速度，相比IGBT可明顯降低器件開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率和功率密度；但是高速的開關(guān)切換，也產(chǎn)生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機(jī)控制領(lǐng)域的電機(jī)絕緣和EMI設(shè)計都帶來了額外的挑戰(zhàn)。應(yīng)用痛點(diǎn)氫燃料系統(tǒng)中的高速空壓機(jī)控制器功率35kW上下，轉(zhuǎn)速高達(dá)10萬轉(zhuǎn)以上，輸出頻率可達(dá)2000Hz，調(diào)制頻率50kHz以上是常見的設(shè)計，SiC MOSFET是很好的解決方案。但是，SiC的高dv/dt和諧波會造成空壓機(jī)線包發(fā)熱和電機(jī)軸電流。一般的對策有二：1.采用大的柵
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET 2L-SRC
IGBT窄脈沖現(xiàn)象解讀
- IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制信號驅(qū)動時，時常會無奈發(fā)生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯(lián)續(xù)流二極管FWD在硬開關(guān)續(xù)流時反向恢復(fù)特性也會變快。什么是窄脈沖現(xiàn)象IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著I
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT 窄脈沖
英飛凌介紹
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，至今在世界擁有35,600多名員工，2004財年公司營業(yè)額達(dá)71.9億歐元，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。作為國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌為有線和無線通信、汽車及工業(yè)電子、內(nèi)存、計算機(jī)安全以及芯片卡市場提供先進(jìn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品及完整的系統(tǒng)解決方案。英飛凌平均每年投入銷售額的17%用于研發(fā)，全球共擁有41,000項(xiàng)專利。自從1996年在無錫建立 [ 查看詳細(xì) ]
英飛凌研討會推薦
英飛凌電路
英飛凌相關(guān)帖子
英飛凌資料下載
英飛凌專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473