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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 閃存

          30萬次壽命 國產(chǎn)廠商綠芯推出超耐用SSD:10GB起步

          • 隨著閃存從SLC、MLC向TLC、QLC升級,P/E寫入壽命越來越短,從之前的萬次以上減少到如今千次內(nèi),好在對一些工控領(lǐng)域來說,廠商還會專門打造超耐用SSD,國產(chǎn)SSD廠商綠芯科技Greenliant日前宣布推出ArmourDrive EX系列硬盤,擁有多達30萬次的P/E壽命。ArmourDrive EX系列硬盤有mSATA及SATA M.2 2242兩種規(guī)格,支持EnduroSLC技術(shù),P/E壽命根據(jù)不同容量在60K、120K及300K之間——也就是最高30萬次,這個性能比早期的SLC閃存還要耐用,后
          • 關(guān)鍵字: 閃存  綠芯科技  SSD  

          國產(chǎn)閃存受阻:三星馬上就漲價!

          • 在閃存領(lǐng)域突飛猛進的長江存儲,還是遭到了美國的制裁,被列入“實體清單”,幾乎是同一時間,三星就開始漲價了!DigiTimes報道稱, 隨著長江存儲遭到制裁,部分PC廠商不得不暫停合作,而面對突然增加的市場需求,三星將其3D NAND閃存的報價提高了10%。當(dāng)然,同樣作為NAND閃存巨頭,SK海力士、美光、鎧俠/西部數(shù)據(jù)也有機會獲得更多市場,但 三星畢竟是全球第一大NAND閃存供應(yīng)商,今年第二季度份額為33% ,雖然下跌了2.3個百分點但依然遙遙領(lǐng)先。 相比之下,SK
          • 關(guān)鍵字: 閃存  長江存儲  三星  

          SSD跌成白菜價 三星急忙出手:閃存逆市漲價10%

          • 2022年內(nèi)存及閃存兩種存儲芯片的價格一直在下滑,以致于SSD硬盤跌成白菜價了,2TB不到700元,但是這樣的價格也讓閃存廠商很難受,三星已經(jīng)開始出手逆轉(zhuǎn)價格,12月份閃存漲價10%。據(jù)電子時報援引供應(yīng)鏈消息,雖然市場需求低迷,但三星12月上半月依舊選擇上調(diào)NAND閃存價格,其中3D NAND閃存價格漲幅高達10%。三星是全球第一大閃存供應(yīng)商,Q2季度的銷售額59.8億美元,環(huán)比下滑5.4%,所占的份額也由上一季度的35.3%降至33%,依然遙遙領(lǐng)先其他廠商。a收購Intel閃存業(yè)務(wù)之后,SK海力士成立了
          • 關(guān)鍵字: SSD  閃存  三星  SK海力士  美光  

          TLC顆粒SSD的好日子不多了 廠商放言:必被QLC取代

          • Intel把閃存業(yè)務(wù)賣給SK海力士后,后者孵化出名為Solidigm的消費級/企業(yè)級品牌,關(guān)系類似于美光和英睿達。日前在Tech Field Day 2022技術(shù)峰會上,Solidigm預(yù)覽了旗下第4代192層3D閃存芯片,不過是QLC顆粒(4bits/cell)??磥鞩ntel此前的QLC技術(shù)積累被SK海力士完全保留,后者還指出,雖然當(dāng)前出貨的閃存芯片80%都是TLC,但QLC遲早會取代它。顯然最重要的原因還是成本效應(yīng),QLC顆粒存儲密度更高,也更容易做到大容量。
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  SK海力士  閃存  

          業(yè)界首個!華為首發(fā)微存儲新品:1ms穩(wěn)定低時延

          • 華為全聯(lián)接大會2022中國深圳站期間上, 華為發(fā)布業(yè)界首個面向數(shù)據(jù)中心Diskless架構(gòu)的微存儲——華為OceanStor Micro系列,打造綠色集約、安全可靠的數(shù)據(jù)中心 。據(jù)了解,華為OceanStor Micro微存儲本質(zhì)上是傳統(tǒng)盤框的智能化升級,以基于NOF+技術(shù)的高速網(wǎng)絡(luò)連接Diskless服務(wù)器,支持上層分布式軟件的透明訪問,實現(xiàn)計算和存儲資源獨立彈性擴展,消除兩者的生命周期管理差異。華為閃存存儲領(lǐng)域總裁黃濤詳細闡述了OceanStor Micro微存儲的創(chuàng)新設(shè)計理念。他
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          傳輸速度高達2400Mtps,三星量產(chǎn)第八代V-NAND閃存

          • 據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近期三星電子宣布已經(jīng)開始大規(guī)模量產(chǎn)236層3D NAND閃存芯片(第八代V-NAND閃存)。據(jù)悉,三星第八代V-NAND閃存芯片擁有高達2400MTps的傳輸速度,搭配高端主控使用可以讓消費級SSD的傳輸速度達到直接越級的12GBps。三星電子表示,第八代V-NAND閃存會提供128GB+1TB的搭配方案,具體的細則比如芯片的大小和實際密度等數(shù)據(jù)并沒有做詳細介紹,但是三星電子表示其擁有業(yè)界最高的比特密度。官方表示,第八代V-NAND閃存芯片相比于現(xiàn)階段相同容量的閃存芯片可提高大約1/5的單晶生
          • 關(guān)鍵字: 三星  閃存  

          三星宣布量產(chǎn)第 8 代 V-NAND 閃存,PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps

          • IT之家 11 月 7 日消息,雖然還沒有發(fā)布任何實際產(chǎn)品,但三星電子現(xiàn)宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片,該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度,當(dāng)搭配高端主控使用時,它可使得消費級 SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據(jù)介紹,第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案,三星電子沒有公開 IC 的大小和實際密度,不過他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱,與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比,
          • 關(guān)鍵字: V-NAND  閃存  三星  

          為什么會有 80GB / 320GB 這樣 "非標(biāo)準(zhǔn)" 容量的存儲卡

          • 在過去很長時間里,存儲卡的容量都是 2 的 N 次方,比如 2GB、4GB、8GB、16GB…… 但在 CFast、XQD、CFexpress 卡出現(xiàn)以后,市場上就出現(xiàn)了 80GB、120GB、240GB、325GB…… 等“非標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格”。這背后的原因是什么?正式動筆后,我發(fā)現(xiàn)這件事情并不是三言兩語能夠講清楚的……ET 會盡量剝離掉與大家關(guān)系不大的知識點,大家在閱讀時也可以忽略括號和 * 內(nèi)的部分。科普存儲卡、固態(tài)硬盤都以閃存顆粒(NAND Flash)作為存儲介質(zhì),而閃存顆粒本身是有擦寫次數(shù)限制的(即寫
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          三星電子236層NAND閃存預(yù)計年內(nèi)開始生產(chǎn)

          • 據(jù)國外媒體報道,當(dāng)前全球最大的存儲芯片制造商三星電子,預(yù)計會在年內(nèi)開始生產(chǎn)236層NAND閃存。此外,它還計劃在本月開設(shè)一個新的研發(fā)中心,負責(zé)更先進NAND閃存產(chǎn)品的開發(fā)。韓國媒體在報道中還表示,三星目前量產(chǎn)的NAND閃存,最高是176層,在236層的產(chǎn)品量產(chǎn)之后,三星電子NAND閃存的層數(shù)就將創(chuàng)下新高。從韓國媒體的報道來看,三星電子對即將量產(chǎn)的236層NAND閃存寄予了厚望。他們在報道中就表示,在NAND閃存市場,三星電子的市場份額占了35%,為全球最高。將層數(shù)增加60層后,他們計劃憑借生產(chǎn)技術(shù)、價格及
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  閃存  

          金士頓推出DataTraveler Max閃存盤新品

          • 中關(guān)村在線消息,金士頓于近日發(fā)布了Type-A和Type-C接口的DataTraveler Max系列高性能閃存盤新品。其特點是采用了USB 3.2 Gen 2方案,具有高達1000 MB/s的讀取、以及900 MB/s的寫入速度。此外該系列閃存盤采用了帶橫紋的伸縮頭設(shè)計,能夠在收納時更好地保護USB接頭。金士頓表示,DataTraveler Max系列高性能閃存盤設(shè)計之初就充分考慮到了便攜性和便利性,黑/紅外殼可一眼分辨其接口,并帶有掛繩孔和LED狀態(tài)指示燈。容量方面,DataTraveler Max系
          • 關(guān)鍵字: 金士頓  閃存  USB 3.2 Gen 2  

          西部數(shù)據(jù)推出模塊化高性能存儲解決方案,助力創(chuàng)作者創(chuàng)意呈現(xiàn)

          • 西部數(shù)據(jù)公司在日前舉辦的“What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會”上發(fā)布了旗下閃迪?及閃迪大師品牌的創(chuàng)新產(chǎn)品,包括模塊化固態(tài)硬盤系統(tǒng)以及全新升級的UHS-I SD?和microSD?存儲卡,旨在為世界各地的內(nèi)容創(chuàng)作者和專業(yè)人士提供更好的支持。無論是在工作室內(nèi)創(chuàng)作影視大片,還是在戶外現(xiàn)場拍攝素材片段,全新發(fā)布的解決方案將為內(nèi)容創(chuàng)作者帶來高性能、可擴展且極具可靠性的解決方案,助力他們實現(xiàn)無限可能。西部數(shù)據(jù)消費者解決方案高級副總裁Jim Welsh表示:“閃迪大師品牌致力于為追尋理想不斷前行的人提供高品質(zhì)的存儲解
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          西部數(shù)據(jù)擴充旗下WD_BLACK SSD產(chǎn)品組合,滿足各類游戲玩家的多樣化需求

          • 西部數(shù)據(jù)公司在日前舉行的“What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會”上宣布:旗下專為游戲玩家打造的WD_BLACK品牌再度擴充產(chǎn)品組合,推出WD_BLACK? SN850X NVMe? SSD和WD_BLACK P40 游戲移動固態(tài)硬盤兩款新品,旨在進一步提升玩家游戲體驗,為玩家升級PC和主機的存儲系統(tǒng)提供更多選項。AMD(超威半導(dǎo)體)企業(yè)科研理事兼計算與圖形首席技術(shù)官Joe Macri表示:“AMD很高興能與西部數(shù)據(jù)持續(xù)開展深度合作,為玩家提供卓越的游戲體驗。隨著游戲變得更加讓人身臨其境,玩家們也越來越青睞
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          西部數(shù)據(jù)全新定制化SSD產(chǎn)品,助力混合工作模式,發(fā)掘數(shù)據(jù)價值

          • 西部數(shù)據(jù)公司在日前舉辦的“What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會”上推出了全新的西部數(shù)據(jù)?PC SN740 NVMe? SSD,旨在滿足當(dāng)今混合辦公趨勢的獨特需求,為用戶帶來更佳的計算體驗。西部數(shù)據(jù)公司閃存業(yè)務(wù)部門消費級及企業(yè)級SSD副總裁Eric Spanneut表示:“過去幾年,混合和遠程辦公模式已成為企業(yè)的‘新常態(tài)’,這也推動了PC出貨量的顯著增長。工作習(xí)慣和辦公場所的改變,為我們帶來了巨大的市場機遇。我們致力于為企業(yè)級和商用PC 的OEM廠商提供輕薄的存儲解決方案,在保證低能效的前提下,提供強大的性
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          西部數(shù)據(jù)公司推出全新大容量SSD產(chǎn)品 支持大規(guī)模云數(shù)據(jù)中心的高性能表現(xiàn)

          • 西部數(shù)據(jù)公司在日前舉行的“What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會”上宣布:公司新款Ultrastar? NVMe? PCIe? 4.0 SSD正在向部分超大規(guī)??蛻艚桓稑悠??;谖鞑繑?shù)據(jù)強大的垂直整合優(yōu)勢,新款SSD旨在提供大規(guī)模的高性能產(chǎn)品支持,同時降低公有云部署的TCO。如今,云基礎(chǔ)設(shè)施逐漸往分布式架構(gòu)發(fā)展,為不斷增長的 “即服務(wù)“ 產(chǎn)品提供了彈性、可擴展性和可預(yù)測性。將存儲與計算分離,使大容量數(shù)據(jù)中心NVMe SSD 成為熱門的細分品類——可提高存儲利用率,增加數(shù)據(jù)中心機柜密度,以適應(yīng)虛擬化和多租戶環(huán)
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          西部數(shù)據(jù)推出22TB CMR和26TB ULTRASMR HDD,賦能云市場蓬勃發(fā)展新時代

          • 西部數(shù)據(jù)公司在日前舉行的“What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會”上宣布正在向部分超大規(guī)模云服務(wù)商合作伙伴提供22TB1和26TB UltraSMR HDD樣品,通過進一步擴大其在面密度技術(shù)上的優(yōu)勢,幫助客戶降低總體擁有成本(TCO),實現(xiàn)數(shù)據(jù)價值。西部數(shù)據(jù)擁有豐富的HDD產(chǎn)品組合以及在面密度技術(shù)領(lǐng)域的獨特優(yōu)勢,一直處于存儲技術(shù)發(fā)展革新的核心位置。借助創(chuàng)新的OptiNAND?技術(shù)、能量輔助磁記錄 (ePMR)、三階尋軌定位系統(tǒng) (TSA)、氦氣封裝(HelioSeal?)以及全新的UltraSMR技術(shù),西部
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          共567條 3/38 « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

          閃存介紹

          【閃存的概念】 閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]

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