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閃存 文章 進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)
OptiFlash存儲(chǔ)器技術(shù)如何利用外部閃存應(yīng)對(duì)軟件定義系統(tǒng)中的挑戰(zhàn)
- 在寫(xiě)字樓、工廠(chǎng)車(chē)間和汽車(chē)中，軟件正逐步取代機(jī)械部件和固定電路。例如，使用智能鎖取代機(jī)械鎖后，用戶(hù)可以通過(guò)手機(jī)應(yīng)用程序?qū)χ悄苕i進(jìn)行控制，同時(shí)制造商可通過(guò)軟件更新、改進(jìn)或校正智能鎖的功能。在這種趨勢(shì)下，人們對(duì)存儲(chǔ)器的要求不斷提高，這一挑戰(zhàn)不容忽視。在常嵌入閃存存儲(chǔ)器的微控制器 (MCU) 中，存儲(chǔ)器的容量也在快速增加。除了宏觀(guān)趨勢(shì)外，MCU 中的一些特定發(fā)展趨勢(shì)（包括更高的計(jì)算帶寬、功能集成以及包含額外的大型通信棧）也決定了需要更大容量的閃存。當(dāng)出現(xiàn)無(wú)線(xiàn)更新的需求時(shí)，由于原始圖像和備份圖像都需要存儲(chǔ)，上述的這
- 關(guān)鍵字： OptiFlash 存儲(chǔ)器 閃存 軟件定義系統(tǒng)
越便宜越?jīng)]人買(mǎi)！全球SSD出貨量暴跌10% 用戶(hù)買(mǎi)漲不買(mǎi)跌
- 11月22日消息，據(jù)TrendForce最新報(bào)告，2022年全球SSD出貨量為1.14億塊，同比下降10.7%。報(bào)告中指出，2021年上半年受到主控IC短缺的影響，SSD出貨量不高；但在2022年下半年供應(yīng)情況已經(jīng)極大緩解，渠道SSD市場(chǎng)恢復(fù)正常供需狀態(tài)。隨著個(gè)人電腦和計(jì)算機(jī)硬件市場(chǎng)的萎縮，固態(tài)硬盤(pán)的需求依然疲軟，而更多的用戶(hù)也是買(mǎi)漲不買(mǎi)跌（便宜了還能更便宜，便宜反而買(mǎi)單的人銳減）。TrendForce稱(chēng)，由于NAND閃存供應(yīng)商積極減產(chǎn)，導(dǎo)致整個(gè)行業(yè)價(jià)格上漲，市場(chǎng)情緒在2022年第三季度末"迅速
- 關(guān)鍵字： SSD 固態(tài)硬盤(pán) 閃存 NAND
傳三星計(jì)劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存
- 近日，據(jù)媒體報(bào)道，三星電子存儲(chǔ)業(yè)務(wù)主管李政培稱(chēng)，三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品，希望明年初可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。三星正在通過(guò)增加堆疊層數(shù)、同時(shí)降低高度來(lái)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)處于緩速?gòu)?fù)蘇階段，大廠(chǎng)們正在追求存儲(chǔ)先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)。從當(dāng)前進(jìn)度來(lái)看，NAND Flash的堆疊競(jìng)賽已經(jīng)突破200層大關(guān)：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計(jì)劃2024年推出第九代3D NAND（有望達(dá)到280層）。據(jù)悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達(dá)到430層）
- 關(guān)鍵字： 三星 第九代 V-NAND 閃存
1γ DRAM、321 層 NAND: 主流廠(chǎng)商新一輪裝備競(jìng)賽已拉開(kāi)帷幕
- IT之家 10 月 10 日消息，閃存市場(chǎng)固然存在全球經(jīng)濟(jì)下行、高通脹等諸多因素影響，依然處于充滿(mǎn)挑戰(zhàn)的時(shí)期，但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰(zhàn) 1γ DRAM 技術(shù)。圖源：SK 海力士DRAM目前全球最先進(jìn)的 DRAM 工藝發(fā)展到了第五代，美光將其稱(chēng)為 1β DRAM，而三星將其稱(chēng)為 1b DRAM。美光于去年 10 月開(kāi)始量產(chǎn) 1β DRAM，不過(guò)研發(fā)的目標(biāo)是在 2025 年量產(chǎn) 1γ DRAM，這將標(biāo)志著美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。而三星計(jì)劃 2023 年邁入 1b D
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三星明年將升級(jí)NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈
- 據(jù)媒體報(bào)道，三星作為全球最大的NAND閃存供應(yīng)商，為了提高新一代NAND閃存的競(jìng)爭(zhēng)力，將在2024年升級(jí)其N(xiāo)AND核心設(shè)備供應(yīng)鏈，各大NAND生產(chǎn)基地都在積極進(jìn)行設(shè)備運(yùn)行測(cè)試。?三星平澤P1工廠(chǎng)未來(lái)大部分產(chǎn)線(xiàn)將從第6代V-NAND改為生產(chǎn)更先進(jìn)的第8代V-NAND，同時(shí)正在將日本東京電子（TEL）的最新設(shè)備引入其位于平澤P3的NAND生產(chǎn)線(xiàn)，此次采購(gòu)的TEL設(shè)備是用于整個(gè)半導(dǎo)體工藝的蝕刻設(shè)備。三星的半導(dǎo)體產(chǎn)品庫(kù)存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結(jié)束時(shí)，三星旗下設(shè)備解決方案部門(mén)的庫(kù)存已增至
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要漲價(jià)？?jī)?nèi)存、閃存同時(shí)需求大漲
- 這兩年，DRAM內(nèi)存芯片、NAND閃存芯片都需求疲軟，導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)處于地位，內(nèi)存、SSD硬盤(pán)產(chǎn)品也越來(lái)越便宜。不過(guò)，這種好日子似乎要結(jié)束了。根據(jù)集邦咨詢(xún)最新研究報(bào)告，預(yù)計(jì)在2024年，內(nèi)存、閃存原廠(chǎng)仍然會(huì)延續(xù)減產(chǎn)策略，尤其是虧損嚴(yán)重的閃存，但與此同時(shí)，至少在2024年上半年，消費(fèi)電子市場(chǎng)需求仍不明朗，服務(wù)器需求相對(duì)疲弱。由于內(nèi)存、閃存市場(chǎng)在2023年已經(jīng)處于低谷，價(jià)格也來(lái)到相對(duì)低點(diǎn)，因此 預(yù)計(jì)在2024年，內(nèi)存、閃存芯片的市場(chǎng)需求將分別大漲13.0％、16.0％，相比今年高出大約6.5個(gè)、5.0
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3D NAND還是卷到了300層
- 近日，三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過(guò) 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半期開(kāi)始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過(guò) 300 字線(xiàn)的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭(zhēng)霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
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三星計(jì)劃明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存：沿用雙層堆棧架構(gòu)，超 300 層
- IT之家 8 月 18 日消息，據(jù) DigiTimes 報(bào)道，三星電子計(jì)劃明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，將沿用雙層堆棧架構(gòu)，超過(guò) 300 層。報(bào)道稱(chēng)，這將使三星的進(jìn)度超過(guò) SK 海力士 —— 后者計(jì)劃 2025 年上半年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)的 321 層 NAND 閃存。早在 2020 年，三星就已首次引入雙層堆棧架構(gòu)，生產(chǎn)第 7 代 V-NAND 閃存芯片?！?圖源三星IT之家注：雙層堆棧架構(gòu)指在 300mm 晶圓上生產(chǎn)一個(gè) 3D NAND 堆棧，然后在第一個(gè)堆棧的基礎(chǔ)上建立另一個(gè)堆棧。
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鎧俠宣布運(yùn)營(yíng)兩個(gè)新研發(fā)設(shè)施，加強(qiáng)閃存和SSD研發(fā)能力
- 6月1日，鎧俠宣布開(kāi)始運(yùn)營(yíng)兩個(gè)新的研發(fā)設(shè)施——位于橫濱技術(shù)園區(qū)的旗艦大樓和Shin Koyasu技術(shù)前沿——以加強(qiáng)公司在閃存和固態(tài)硬盤(pán)（SSD）方面的研發(fā)能力。未來(lái)，神奈川縣的其他研發(fā)職能將轉(zhuǎn)移到這些新的研發(fā)中心，以提高研究效率。隨著新旗艦大樓的加入，橫濱科技園區(qū)的規(guī)模將幾乎翻一番，使鎧俠能夠擴(kuò)大其評(píng)估閃存和SSD產(chǎn)品的能力，從而提高整體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和產(chǎn)品質(zhì)量。Shin Koyasu技術(shù)前沿將成為半導(dǎo)體領(lǐng)域尖端基礎(chǔ)研究的中心，包括新材料、工藝和器件，此處配備一間最先進(jìn)的潔凈室。除了下一代存儲(chǔ)技術(shù)，鎧俠還從事其
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NAND閃存主控芯片供應(yīng)商2023年第1季財(cái)報(bào)出爐
- 據(jù)中國(guó)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，全球NAND閃存主控芯片供應(yīng)商慧榮科技（SIMO）公布2023年第1季財(cái)報(bào)，營(yíng)收1億2407萬(wàn)美元，季減38%，年減49%，第1季毛利率42.3%，稅后凈利1116萬(wàn)美元。報(bào)道引述慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示，包括NAND大廠(chǎng)在內(nèi)的主要客戶(hù)，目前一致認(rèn)為市況仍極具挑戰(zhàn)。PC和智能手機(jī)終端市場(chǎng)持續(xù)呈現(xiàn)疲弱，上下游供應(yīng)鏈皆將重心放在去化庫(kù)存，包括消費(fèi)級(jí)SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備供應(yīng)商，因此影響相關(guān)控制芯片的營(yíng)收。茍嘉章認(rèn)為，見(jiàn)到一些客戶(hù)的下單模式從第2季開(kāi)始有所改善，再加
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英飛凌推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存
- 【2023 年 4 月 25日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存，助力打造下一代汽車(chē)電子電氣（E/E）架構(gòu)。英飛凌 SEMPER? X1 LPDDR 閃存為汽車(chē)域和區(qū)域控制器提供至關(guān)重要的安全、可靠和實(shí)時(shí)的代碼執(zhí)行。該器件的性能是當(dāng)前NOR 閃存的8 倍，實(shí)時(shí)應(yīng)用程序的隨機(jī)讀取事務(wù)速度提高了 20 倍。這使得軟件定義的車(chē)輛具有增強(qiáng)安全性和架構(gòu)靈活性的高級(jí)功能。 下一代汽車(chē)更智能、更網(wǎng)聯(lián)、更復(fù)雜，并
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以汽車(chē)為目標(biāo)，英飛凌推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存
- IT之家 4 月 23 日消息，隨著各大車(chē)企都轉(zhuǎn)向軟件定義的汽車(chē)架構(gòu)，下一代車(chē)型的設(shè)計(jì)卻在內(nèi)存方面面臨著問(wèn)題。由于許多原因，傳統(tǒng)的 xSPI NOR 閃存已逐漸無(wú)法滿(mǎn)足用戶(hù)的需求。為了滿(mǎn)足汽車(chē)區(qū)域架構(gòu)的新需求，英飛凌科技宣布推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存。該公司將閃存與 LPDDR 接口結(jié)合在一起，從而實(shí)現(xiàn)了比 xSPI NOR 閃存更高的性能和可擴(kuò)展性。據(jù)介紹，這款名為 SEMPER X1 的新型閃存設(shè)備借鑒了已有 10 年歷史的 LPDRR4 DRAM 的 LPDDR 接口方案，并將其應(yīng)用于
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英飛凌推出 256 Mbit SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品
- 【2023 年 04 月 10日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）近日推出 SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品。這種存儲(chǔ)器經(jīng)過(guò)專(zhuān)門(mén)優(yōu)化，適合在電池供電的小型電子設(shè)備中使用。健身追蹤器、智能耳機(jī)、健康監(jiān)測(cè)儀、無(wú)人機(jī)和 GPS 導(dǎo)航等新型可穿戴應(yīng)用及工業(yè)應(yīng)用不斷涌現(xiàn)，有助于實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)跟蹤、記錄關(guān)鍵信息、增強(qiáng)安全性、降低噪聲等更多功能。這些先進(jìn)的功能和使用場(chǎng)景要求在體積更小的電子設(shè)備中配備更大容量的存儲(chǔ)器。據(jù)Omdia 數(shù)據(jù)顯示，藍(lán)牙耳
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群聯(lián)：閃存價(jià)格便宜，需求倍數(shù)增加中
- 據(jù)中國(guó)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，針對(duì)市場(chǎng)關(guān)注的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)景氣，群聯(lián)電子CEO潘健成于3月28日表示，今年IC設(shè)計(jì)很辛苦，不過(guò)在原廠(chǎng)賠本賣(mài)的狀況下，不認(rèn)為這樣的狀態(tài)會(huì)持續(xù)太久，且因?yàn)榭扉W存儲(chǔ)器價(jià)格便宜，看到需求倍數(shù)增加中。潘健成表示，現(xiàn)階段原廠(chǎng)做1顆賠2、3顆，這樣的狀況不會(huì)太久，可能很快會(huì)有公司宣布減產(chǎn)，而控制器設(shè)計(jì)因?yàn)榫皻獠缓猛ｎD了6-9個(gè)月，但群聯(lián)在市場(chǎng)好的時(shí)候，存了不少冬糧，并且正向看待市場(chǎng)對(duì)快閃存儲(chǔ)器需求和應(yīng)用會(huì)越用越多，新的制程也會(huì)愈來(lái)愈多。而據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查顯示，NAND Fl
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告別存儲(chǔ)寒冬，2023全球閃存市場(chǎng)需求將回暖？
- 3月23日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)首席運(yùn)營(yíng)官程衛(wèi)華對(duì)外表示，預(yù)計(jì)2023年全球閃存需求將回暖，供需趨于平衡。全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查顯示，NAND Flash市場(chǎng)自2022年下半年以來(lái)面臨需求逆風(fēng)，供應(yīng)鏈積極去化庫(kù)存加以應(yīng)對(duì)，此情況導(dǎo)致第四季NAND Flash合約價(jià)格下跌20~25%。進(jìn)入2023年第一季度，集邦咨詢(xún)指出，鎧俠、美光產(chǎn)線(xiàn)持續(xù)低負(fù)載，西部數(shù)據(jù)、SK海力士將跟進(jìn)減產(chǎn)，有機(jī)會(huì)緩解目前供給過(guò)剩的情況，NAND Flash均價(jià)跌幅也將收斂至10~15%。經(jīng)歷過(guò)2022年“寒冬”之后，
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閃存介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
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