EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
閃存
閃存 文章 進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)
西數(shù)旗下全資子公司 晟碟半導(dǎo)體三期廠房擴(kuò)建項(xiàng)目開工
- 2020年7月28日上午，晟碟半導(dǎo)體（上海）有限公司舉行了其上海工廠三期廠房擴(kuò)建項(xiàng)目的開工儀式。作為西部數(shù)據(jù)公司除深圳工廠之外在華的另一大型工廠，此次晟碟半導(dǎo)體三期廠房擴(kuò)建項(xiàng)目約為11,800平方米，預(yù)計(jì)于2021年完工；旨在擴(kuò)充先進(jìn)的產(chǎn)品制造設(shè)施和以產(chǎn)品為中心的技術(shù)研發(fā)，以支持潛在產(chǎn)能擴(kuò)張，并為員工建立溫暖如家的工作環(huán)境，提升團(tuán)隊(duì)凝聚力和集體歸屬感。晟碟半導(dǎo)體（上海）有限公司是美國(guó)西部數(shù)據(jù)公司下屬全資子公司，主要從事先進(jìn)閃存存儲(chǔ)產(chǎn)品的研發(fā)、封裝和測(cè)試，自2006年落戶紫竹高新區(qū)以來，注冊(cè)資本從3200萬(wàn)
- 關(guān)鍵字： 晟碟半導(dǎo)體，閃存
華為、三星、蘋果手機(jī)下滑 閃存先遭殃：3個(gè)月來跌價(jià)20%
- 作為NAND閃存的最大市場(chǎng)，智能手機(jī)市場(chǎng)今年還會(huì)下滑，蘋果、三星及華為的手機(jī)業(yè)務(wù)都遭受了壓力，閃存市場(chǎng)也應(yīng)聲而跌，3個(gè)月來價(jià)格跌了20%，這一個(gè)月來就跌了8%。全球每年將近15億臺(tái)的智能手機(jī)是NAND閃存廠商的最大客戶，如今手機(jī)的存儲(chǔ)容量都是64-128GB起了，256GB及512GB也不少見，比很多人的SSD硬盤容量都大，結(jié)果這個(gè)最大動(dòng)力今年也熄火了。今年全球經(jīng)濟(jì)都在下滑，第一大品牌三星最近調(diào)整了手機(jī)出貨量目標(biāo)，至少砍了15%，全年預(yù)期只有2.4億部，接下來要發(fā)布的Note 20系列也在砍單，三星要求供
- 關(guān)鍵字： 華為 三星 蘋果 閃存
疫情之下，長(zhǎng)江存儲(chǔ)程衛(wèi)華談閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展
- 6月27日，SEMICON China 2020大會(huì)于上海拉開帷幕。會(huì)上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官程衛(wèi)華發(fā)表《探索閃存發(fā)展可能，共同迎接未來挑戰(zhàn)》主題演講，談及了疫情下閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展、長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)進(jìn)展等內(nèi)容。程衛(wèi)華認(rèn)為，2020年不平凡的一年，這一年經(jīng)歷了新冠疫情的全球蔓延，國(guó)際局勢(shì)的變幻莫測(cè)，全球產(chǎn)業(yè)鏈合作受到了極大的沖擊。與此同時(shí)，疫情給人們的生活方式與半導(dǎo)體技術(shù)帶來了改變。程衛(wèi)華指出，消費(fèi)市場(chǎng)的變化驅(qū)動(dòng)了SSD的需求，以及云上業(yè)務(wù)驅(qū)動(dòng)企業(yè)級(jí)SSD需求增長(zhǎng)。從全球市場(chǎng)綜合發(fā)展來看，企業(yè)級(jí)SS
- 關(guān)鍵字： 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 閃存
國(guó)產(chǎn)128層QLC閃存問世 武漢基地二期開工
- 4年前的2016年，國(guó)家在武漢建設(shè)了國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期，不僅量產(chǎn)了64層閃存，今年初還研發(fā)成功128層QLC閃存。昨天國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期也在武漢東湖高新區(qū)未來科技城正式啟動(dòng)，整個(gè)項(xiàng)目投資高達(dá)240億美元，約合1697億元。在開工儀式上，紫光集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)介紹了項(xiàng)目有關(guān)情況。他表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期開工建設(shè)以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲(chǔ)器芯片工廠，實(shí)現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國(guó)表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目于2016年12月30日開工，計(jì)劃分兩期建設(shè)3D NAND
- 關(guān)鍵字： 國(guó)產(chǎn) 128層 QLC 閃存
三星電子擬投資8萬(wàn)億韓元在平澤建NAND閃存生產(chǎn)線
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子日前表示，計(jì)劃投資8萬(wàn)億韓元（約合人民幣466億元）在韓國(guó)平澤工業(yè)園區(qū)建NAND閃存生產(chǎn)線。三星電子生產(chǎn)線建設(shè)上月已經(jīng)開始，預(yù)計(jì)2021年下半年開始生產(chǎn)三星最先進(jìn)的V-NAND產(chǎn)品。三星電子表示，此次投資旨在應(yīng)對(duì)隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等第四次工業(yè)革命，以及5G普及而來的NAND需求。上月，三星電子還透露，已在平澤投資建設(shè)生產(chǎn)線，新產(chǎn)線專注于基于極紫外光刻（EUV）技術(shù)的5nm、及以下制程。新產(chǎn)線已開始建設(shè)，預(yù)計(jì)明年下半年開始量產(chǎn)5nm芯片。三星電子表示，加上平澤生產(chǎn)線，韓國(guó)將擁有7條
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 閃存
閃存顆粒哪家強(qiáng)？最新市場(chǎng)排名出爐
- 來自統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)TrendForce的最新統(tǒng)計(jì)顯示,剛過去的一季度,主要NAND閃存廠商的營(yíng)收均有所增長(zhǎng),整體規(guī)模達(dá)到135億美元,環(huán)比增加8.3%。品牌排名方面,三星依舊領(lǐng)銜,營(yíng)收45億美元,環(huán)比增加1.1個(gè)百分點(diǎn),市場(chǎng)份額33.3%。KIOXIA(鎧俠,原東芝存儲(chǔ))緊隨其后,營(yíng)收25.66億美元,環(huán)比增加9.7%。市場(chǎng)份額19%。3~6名分別是西數(shù)、美光、SK海力士和Intel,營(yíng)收20億美元(份額15.3%)、15億美元(11.2%)、14.4億美元(10.7%)和13億美元(9.9%)。報(bào)告稱,一季度
- 關(guān)鍵字： 固態(tài)硬盤 閃存 SSD
128層閃存：中國(guó)剛剛突破、SK海力士加速量產(chǎn)
- 長(zhǎng)江存儲(chǔ)近日宣布,已經(jīng)攻克128層堆疊3D QLC閃存技術(shù),單顆容量做到1.33Tb,創(chuàng)造單位面積存儲(chǔ)密度、I/O傳輸速度、單顆芯片容量三個(gè)世界第一,首次躋身全球第一隊(duì)列水平。當(dāng)前,整個(gè)閃存行業(yè)都在全面轉(zhuǎn)向100+層堆疊,其中東芝、西部數(shù)據(jù)是112層,美光、SK海力士是128層,三星是136層,Intel則做到了144層。中國(guó)的突破顯然讓國(guó)際巨頭們有些不安,紛紛開始提速。三星日前就宣布,正在研發(fā)160層及以上的3D閃存,將成為第七代V-NAND閃存的基礎(chǔ)。在今天的第一季度財(cái)務(wù)會(huì)議期間,同樣來自韓國(guó)的SK海
- 關(guān)鍵字： 閃存 SK海力士 長(zhǎng)江存儲(chǔ)
長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC閃存今年量產(chǎn) 2021逼迫閃存降價(jià)
- 從去年下半年到現(xiàn)在,內(nèi)存閃存的漲價(jià)讓存儲(chǔ)廠商重新過上了好日子,想降價(jià)只能靠中國(guó)廠商了。上周國(guó)內(nèi)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布攻克128層堆棧的QLC閃存,性能、容量、密度三項(xiàng)世界第一,預(yù)計(jì)今年底量產(chǎn)。據(jù)介紹,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(
- 關(guān)鍵字： 閃存 QLC閃存 長(zhǎng)江存儲(chǔ)
瑞薩電子推出全新32位RX72N和RX66N MCU， 可同時(shí)實(shí)現(xiàn)設(shè)備控制與網(wǎng)絡(luò)連接，適用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社近日宣布推出RX產(chǎn)品家族新成員——32位RX72N產(chǎn)品組和RX66N產(chǎn)品組，其單個(gè)芯片集成了設(shè)備控制與網(wǎng)絡(luò)連接。RX72N基于瑞薩專有的RXv3 CPU內(nèi)核，具備240MHz最大工作頻率及雙以太網(wǎng)通道；RX66N具備120MHz最大工作頻率及單個(gè)以太網(wǎng)通道。在工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，性能與功能的不斷升級(jí)導(dǎo)致程序代碼愈加龐大。因此，存儲(chǔ)容量和讀取速度是決定實(shí)時(shí)性能的關(guān)鍵因素。全新RX72N和RX66N提供高達(dá)4MB片上閃存，可達(dá)到業(yè)界最高的120MHz讀取頻率，同時(shí)具備1
- 關(guān)鍵字： 閃存 芯片
國(guó)產(chǎn)38nm SLC閃存已量產(chǎn) 兆易創(chuàng)新：推進(jìn)24nm閃存研發(fā)
- 在NAND閃存市場(chǎng),三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能,留給其他廠商的空間并不多。國(guó)內(nèi)公司中,兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存,還在推進(jìn)24nm閃存研發(fā)。前不久兆易創(chuàng)新發(fā)布了2019年報(bào),去年?duì)I收32億元,同比增長(zhǎng)42%,凈利潤(rùn)6.07億元,同比大漲50%。兆易創(chuàng)新的主要有三大業(yè)務(wù),最主要的是NOR閃存,全球市場(chǎng)份額在去年Q3季度上升到了第三,主要生產(chǎn)工藝為65nm節(jié)點(diǎn),另有部分55nm工藝產(chǎn)品。兆易創(chuàng)新的NOR閃存累計(jì)出貨量超過100億顆,目前依然供不應(yīng)求
- 關(guān)鍵字： 國(guó)產(chǎn) 閃存 SLC
紫光存儲(chǔ)解散？國(guó)產(chǎn)閃存、內(nèi)存市場(chǎng)人事地震：長(zhǎng)江存儲(chǔ)、紫光存儲(chǔ)發(fā)聲
- 今天國(guó)產(chǎn)的存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)生異動(dòng),傳聞紫光旗下的紫光存儲(chǔ)解散,相關(guān)人員要合并到長(zhǎng)江存儲(chǔ)中。隨后這兩家公司分別發(fā)表聲明,辟謠相關(guān)報(bào)道。存儲(chǔ)芯片是近年來國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體發(fā)展的重中之重,畢竟一年進(jìn)口的內(nèi)存及閃存芯片超過1000億美元,份量極大,而紫光主導(dǎo)的幾家存儲(chǔ)公司是重點(diǎn),尤其是長(zhǎng)江存儲(chǔ),去年首發(fā)量產(chǎn)了國(guó)產(chǎn)3D閃存。最新的爆料稱,紫光存儲(chǔ)公司解散,未來重點(diǎn)轉(zhuǎn)向DRAM內(nèi)存,大部分員工正等著長(zhǎng)江存儲(chǔ)挑選,沒有挑中的就要自謀生路。針對(duì)這一消息,紫光存儲(chǔ)方面已經(jīng)發(fā)表了聲明,否認(rèn)公司解散,但承認(rèn)公司業(yè)務(wù)有所調(diào)整。紫光存儲(chǔ)表示
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 閃存 長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2000億大基金二期3月底開始投資 國(guó)產(chǎn)3D閃存仍是重點(diǎn)
- 為了扶植半導(dǎo)體發(fā)展,多部門推動(dòng)成立了“國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金”,也就是大基金,一期已經(jīng)完成,二期大基金規(guī)模高達(dá)2041億元,今年3月份將開始實(shí)質(zhì)投資。此前,國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(2014.09-2018.05)已經(jīng)投資完畢,共募得普通股987.2億元,同時(shí)發(fā)行優(yōu)先股400億元,總投資額為1387億元(相比于原先計(jì)劃的1200億元超募15.6%),公開投資公司為23家,累計(jì)有效投資項(xiàng)目達(dá)到70個(gè)左右。據(jù)報(bào)道,大基金一期投資范圍涵蓋集成電路產(chǎn)業(yè)上、中、下游各個(gè)環(huán)節(jié),其中67%的投資投向了半導(dǎo)體制造,包括
- 關(guān)鍵字： 閃存 基金 長(zhǎng)江存儲(chǔ)
美光3D XPoint存儲(chǔ)芯片量產(chǎn) 分析師：不影響Intel
- 3D閃存在2020年將全面升級(jí)到100+層堆棧,128層會(huì)是很多廠商的選擇,再加上QLC閃存的普及,閃存及SSD硬盤的容量會(huì)進(jìn)一步增加,同時(shí)降低成本。不過新一代閃存的問題在于性能及可靠性都在下降了,以至于很多玩家都在反感QLC閃存,就像當(dāng)年反感TLC閃存一樣。有沒有性能更強(qiáng)、可靠性更高的存儲(chǔ)芯片?這也是有的,美光、Intel在2015年聯(lián)合宣布的3D XPoint就是一種革命性的存儲(chǔ)芯片,基于PCM相變存儲(chǔ)技術(shù),原理跟NAND閃存就不同,所以當(dāng)時(shí)Intel、美光宣稱它具備1000倍于閃存的性能、1000倍
- 關(guān)鍵字： 閃存 QLC閃存
閃存介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
閃存電路
閃存相關(guān)帖子
閃存資料下載
閃存專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473