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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 閃存

          產(chǎn)業(yè)聯(lián)手支持JEDEC統(tǒng)一閃存標(biāo)準(zhǔn)

          •   JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì), 微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)日前宣布,將于近期發(fā)布下一代閃存存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn) - 。在近期所舉辦的JEDEC委員會(huì)上,該標(biāo)準(zhǔn)制定取得的重大進(jìn)展。該標(biāo)準(zhǔn)旨在成為智能手機(jī)與平板電腦等移動(dòng)電子設(shè)備所使用的基于閃存的最先進(jìn)的存儲(chǔ)規(guī)范。UFS標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā)宗旨是為了滿足不斷提高的設(shè)備性能需求。其最初所支持的數(shù)據(jù)吞吐速率是每秒300兆字節(jié),并支持指令排隊(duì)功能,以便提高隨機(jī)讀寫速度。該標(biāo)準(zhǔn)預(yù)計(jì)將在未來3個(gè)月內(nèi)完成。   
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          基于SPIFI外設(shè)的Cortex-M MCU嵌入式閃存選型解決方案

          • 基于SPIFI外設(shè)的Cortex-M MCU嵌入式閃存選型解決方案,新型恩智浦ARM Cortex-M3微控制器首次采用的SPI閃存接口技術(shù)(SPIFI,已申請(qǐng)專利)可以幫助32位嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員以小尺寸、低成本的串行閃存替代大尺寸、高成本的并行閃存。利用SPIFI (讀音與spiffy諧音,意為ldquo
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          美光發(fā)布25nm閃存芯片

          •   正當(dāng)涉足NAND閃存業(yè)務(wù)整整一年之際,美光于12月2日新推出一種功能強(qiáng)大且封裝緊密的25nm MLC處理器,這可使美光在當(dāng)前的閃存市場處于更加有利的地位。   這款命名為ClearNAND的芯片分為標(biāo)準(zhǔn)型和增強(qiáng)型兩個(gè)版本,標(biāo)準(zhǔn)版的存儲(chǔ)容量為8GB和32GB, ClearNAND增強(qiáng)版的存儲(chǔ)容量為16GB和64GB。   
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          海力士M8產(chǎn)線將以代工為重心

          •   海力士半導(dǎo)體(Hynix)M8產(chǎn)線未來將以代工事業(yè)為重心。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo),近期海力士以部分IC設(shè)計(jì)公司為對(duì)象,提出運(yùn)用清州M8廠的合作方案。采用90奈米以上制程的電源管理半導(dǎo)體、發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動(dòng)芯片、顯示器用驅(qū)動(dòng)芯片(DDI)、傳感器專門IC設(shè)計(jì)等企業(yè)皆為協(xié)商對(duì)象。   
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          應(yīng)用于閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù)

          • 應(yīng)用于閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù),  簡介  嵌入式微控制器越來越多樣化,可以滿足嵌入式系統(tǒng)市場的應(yīng)用需求,而主流已經(jīng)從傳統(tǒng)的掩模ROM微控制器轉(zhuǎn)向了內(nèi)置閃存(可擦寫的非易失性只讀存儲(chǔ)器)的閃存微控制器?! ¢W存微控制器目前有兩種主要應(yīng)用:
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          三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線將轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存

          •   三星電子(Samsung Electronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設(shè)的半導(dǎo)體廠,決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo),三星預(yù)計(jì)于2011年初完工的半導(dǎo)體華城廠16產(chǎn)線,將于2011年下半開始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。   2010年5月在三星會(huì)長李健熙的參與下,華城廠16產(chǎn)線正式動(dòng)工。包含建筑物費(fèi)用等將階段性投入12兆韓元進(jìn)行建設(shè)。三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線以12吋晶圓為基準(zhǔn),每月最大產(chǎn)能可達(dá)20萬片以上。   三星將優(yōu)先在16產(chǎn)線進(jìn)行閃存生產(chǎn)
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          基于浮柵技術(shù)的閃存

          • 基于浮柵技術(shù)的閃存,  恒憶閃存基于浮柵技術(shù)。閃存晶體管的絕緣柵極(浮柵)捕獲(或排除)電子,因此,晶體管的閾值電壓被修改(偏離原始電壓值)。在附加的編程和閾壓感應(yīng)電路的輔助下,這種效應(yīng)可用保存和檢索數(shù)據(jù)。  在寫操作期間,閃
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          DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格或迎來短期上漲

          •   存儲(chǔ)芯片市場調(diào)研公司inSpectrum表示,盡管下滑趨勢(shì)依舊,但內(nèi)存和閃存芯片價(jià)格有望在中國十一長假后迎來小幅回升。   來自交易市場的消息稱,在十一長假結(jié)束前市場對(duì)DRAM內(nèi)存和NAND閃存芯片的需求已經(jīng)出現(xiàn)回升跡象。很多廠商稱十一長假帶來的市場需求已經(jīng)耗掉其大部分存貨,下周將進(jìn)行新一輪的存貨補(bǔ)充。   不過inSpectrum也認(rèn)為,由于零售渠道的根本需求依舊很弱,所以這種價(jià)格反彈只能是短期行為,不會(huì)持續(xù)太長。而且一些廠商繼續(xù)在其零售渠道降低eTT芯片價(jià)格,這也影響了整個(gè)內(nèi)存芯片市場的價(jià)格走
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          基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

          • 基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用, 目前,針對(duì)NOR Flash設(shè)計(jì)的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用;隨著NAND作為大容量存儲(chǔ)介質(zhì)的普及,基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS(Yet Another Flash File System)正逐漸被應(yīng)用到嵌入式系統(tǒng)中?! ?/li>
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          DRAM銷售將于后年衰退近三成

          •   國際研究暨顧問機(jī)構(gòu)顧能(Gartner)今(1)日指出,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)產(chǎn)業(yè)景氣盛況將在明年下半年改變,至2012年銷售恐將衰退近三成。   顧能表示,由于初期PC市場表現(xiàn)強(qiáng)勁和供應(yīng)減少,使DRAM產(chǎn)業(yè)獲利看漲,今年收益逼近420億美元,較預(yù)期獲利高出82.5%,出現(xiàn)戲劇性成長和變化;惟至2011年下半年將有所轉(zhuǎn)變,2012年的銷售恐將衰退29%。   不過,快閃存儲(chǔ)器市場在智能型手機(jī)和平版媒體強(qiáng)勁的銷售帶動(dòng)下,收益至2013年皆會(huì)維持原有的成長。
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          分析師認(rèn)為閃存熱 但是供應(yīng)鏈不配套

          •   無疑2009年對(duì)于閃存市場是可怕之年。   要感謝產(chǎn)業(yè)的很快復(fù)蘇,預(yù)測2010年全球閃存市場已經(jīng)很熱,然而按Web-Feet Research報(bào)告,其供應(yīng)鏈部分卻遭受困境。   按Web-Feet剛公布的全球閃存的季度報(bào)告,NOR及NAND市場都很熱。NOR市場由2009年的47億美元,上升到2010年的57億美元。而NAND市場與2009年相比增長33.4%,達(dá)215億美元。   這是好的消息而壞消息在供應(yīng)鏈中也開始傳了出來。   Apple及其它OEM釆購大量的閃存,使得市場中有些購買者采
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          基于EPG3231和閃存的聲音播放器設(shè)計(jì)

          • 摘要:提出一種在單片機(jī)系統(tǒng)中比較簡單地使用大容量NAND Flash存儲(chǔ)器的方法。與一般方法相比,編寫應(yīng)用程序的程序員不需要掌握計(jì)算機(jī)文件系統(tǒng)的規(guī)范,只要按照NAND Flash的讀、寫、擦除等時(shí)序?qū)ζ溥M(jìn)行操作,把NANDFl
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          TIMC敗部復(fù)活 投入閃存產(chǎn)業(yè)再造

          •   臺(tái)灣創(chuàng)新記憶體公司TIMC,在整合DRAM受挫后,各界一度以為(宣明智)白忙一場,不過經(jīng)濟(jì)部通過TIMC與茂德、翔淮先進(jìn)光罩及晶豪科等公司合作,共同投入雙子星技術(shù)開發(fā),讓TIMC敗部復(fù)活,TIMC表示,目前儲(chǔ)存型快閃記憶體產(chǎn)業(yè)主要還是掌握在美日韓手上,臺(tái)灣缺乏專利與自主技術(shù),產(chǎn)業(yè)再造是業(yè)界必走的路。   由聯(lián)電榮譽(yù)副董事長宣明智主導(dǎo)的TIMC,當(dāng)初是應(yīng)政府救DRAM產(chǎn)業(yè)而籌設(shè),但在籌設(shè)過程中,也獲得日商爾必達(dá)的善意回應(yīng),但DRAM的合約價(jià)和市場價(jià)格,已在籌設(shè)過程中回到成本之上,業(yè)界從一天賠一棟帝寶回
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          Spansion卷土重來,分析師眾說紛紜話前景

          • Spansion目前正準(zhǔn)備高調(diào)卷土重來,這次能否成功,抑或再次失???分析師對(duì)Spansion的前景眾說紛紜。上個(gè)...
          • 關(guān)鍵字: Spansion  半導(dǎo)體  NOR  閃存  
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          閃存介紹

          【閃存的概念】 閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]

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