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閃存
閃存 文章 進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)
嵌入式系統(tǒng)中基于閃存平臺(tái)的存儲(chǔ)管理策略
- 嵌入式系統(tǒng)中基于閃存平臺(tái)的存儲(chǔ)管理策略,開(kāi)發(fā)了一個(gè)基于閃存平臺(tái)的嵌入式文件系統(tǒng)。為保證閃存扇區(qū)的平均使用率和均衡擦寫(xiě)次數(shù)，引入了損壞管理策略，在這種策略中采用了動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)空間管理模式和先入先出（FIFO）策略。所采用的冗余設(shè)計(jì)、快速計(jì)算和跟蹤策略還可以延長(zhǎng)核心扇區(qū)使用壽命，保證系統(tǒng)啟動(dòng)可靠的服務(wù)。
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) 管理 策略 平臺(tái) 閃存 系統(tǒng) 基于 嵌入式 音頻
NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
- NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì),閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類(lèi)型，其中NAND型是專(zhuān)為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類(lèi)型的閃存芯片。一個(gè)NAND類(lèi)型的閃存芯片的存儲(chǔ)空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個(gè)塊又劃分為固定大小的頁(yè)，塊是擦
- 關(guān)鍵字： 閃存 設(shè)計(jì) 映射 適應(yīng) NAND
傳Spansion將出售兩座日本半導(dǎo)體廠給德州儀器
- NOR型閃存大廠飛索半導(dǎo)體(SpansionInc.)日本子公司Spansion Japan Ltd.可望在5月底以100億至200億日?qǐng)A價(jià)格出售位于日本福島縣會(huì)津若松市(Aizuwakamatsu)廠區(qū)的兩座半導(dǎo)體廠給德州儀器(TexasInstrumentsInc.)。 報(bào)導(dǎo)指出，德儀計(jì)劃將12英寸廠生產(chǎn)設(shè)備運(yùn)回美國(guó)德州，并將8英寸廠調(diào)整為模擬芯片生產(chǎn)線(xiàn)。德儀執(zhí)行長(zhǎng)RichTempleton甫于4月26日指出，目前產(chǎn)出正處于歷史最高水淮，今年產(chǎn)能將因去年購(gòu)買(mǎi)的8英寸晶圓設(shè)備上線(xiàn)而呈現(xiàn)逐季攀高
- 關(guān)鍵字： SpansionInc 閃存
NAND閃存銷(xiāo)售Q1微增 三星東芝主宰市場(chǎng)
- 據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli發(fā)表的按美元統(tǒng)計(jì)的第一季度全球NAND閃存市場(chǎng)的銷(xiāo)售收入數(shù)字顯示，三星和東芝主宰了NAND閃存市場(chǎng)，僅給其它所有的公司留下了較少的市場(chǎng)份額。三星今年第一季度的市場(chǎng)份額是38.5%，緊隨其后的東芝的市場(chǎng)份額是33.8%。其它每一個(gè)廠商爭(zhēng)奪的市場(chǎng)份額只有27.7%。 按美元統(tǒng)計(jì)，今年第一季度全球NAND閃存市場(chǎng)的銷(xiāo)售收入是43.6億美元，比 2009年第四季度的43.3億美元增長(zhǎng)了0.6%。因此，你可以計(jì)算出供應(yīng)商的實(shí)際銷(xiāo)售收入。iSuppli稱(chēng)，這是一個(gè)好消息，因?yàn)闅v史
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今年 Q1 NAND閃存市調(diào)報(bào)告出爐 三星東芝占據(jù)大半江山
- 據(jù)iSuppli市調(diào)公司2010年第一季度的NAND閃存市場(chǎng)調(diào)查報(bào)告顯示，三星與東芝公司兩家占據(jù)了NAND閃存市場(chǎng)的絕大部分份額，其中三星的營(yíng)收 份額最高，達(dá)到了38.5%，東芝則位居第二為33.8%，兩者合在一起占據(jù)了72.3%的NAND閃存市場(chǎng)營(yíng)收份額。按美元計(jì)算，今年第一季度NAND 閃存的市場(chǎng)總值達(dá)到43.6億美元，比去年第四季度NAND閃存市場(chǎng)總值43.3億美元提升了0.6%。由于季節(jié)性因素的影響，每年的第一季度閃存市場(chǎng)一 般都會(huì)比上一年最后一季度有所萎縮，而今年則反其道而行，iSuppli
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東芝計(jì)劃耗資150億日元生產(chǎn)25納米閃存
- 東芝公司今年計(jì)劃耗資150億日元(約合1.6億美元)興建一條試驗(yàn)生產(chǎn)線(xiàn)，生產(chǎn)小于25納米制程的NAND閃存芯片。 目前東芝生產(chǎn)的NAND閃存是采用32與43納米技術(shù)，主要應(yīng)用于手機(jī)及數(shù)字相機(jī)等電子消費(fèi)產(chǎn)品。為生產(chǎn)新的25納米制程以下的芯片，需使用較短光波的極紫外光微影(EUV lithography)技術(shù)，因此，東芝也將進(jìn)行相應(yīng)的技術(shù)升級(jí)。目前，東芝已向荷蘭半導(dǎo)體微影系統(tǒng)大廠ASML訂購(gòu)設(shè)備，預(yù)計(jì)在今年夏天試驗(yàn)投產(chǎn)。消息一經(jīng)公布，東芝在股市中漲幅達(dá)3.5%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)同類(lèi)電氣機(jī)器指數(shù)0.8%的漲幅
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閃存密集型產(chǎn)品需求上升 NAND價(jià)格穩(wěn)定帶來(lái)正面環(huán)境
- 據(jù)iSuppli公司，由于來(lái)自高密度應(yīng)用的需求上升以及供應(yīng)商的產(chǎn)量穩(wěn)步增長(zhǎng)，NAND閃存價(jià)格波動(dòng)了兩年之后，該市場(chǎng)已恢復(fù)穩(wěn)定。 第一季度NAND平均價(jià)格下降4%，而2009年第四季度是下降1.4%。相比于這些相對(duì)溫和的變化，2009年第一季度大漲34%。 NAND價(jià)格持續(xù)透明，導(dǎo)致2009年第四季度營(yíng)業(yè)收入創(chuàng)出最高記錄，使得多數(shù)NAND供應(yīng)商對(duì)于2010年持有非常樂(lè)觀的看法。在智能手機(jī)和microSD卡等高密度應(yīng)用的推動(dòng)下，市場(chǎng)對(duì)于NAND閃存的需求不斷增長(zhǎng)，也增強(qiáng)了廠商的信心。這種旺盛需
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富士通開(kāi)發(fā)NOR型閃存新技術(shù)
- 富士通微電子公司日前宣布，已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出一種NOR型閃存新技術(shù)，可提高閃存讀取速度，并同時(shí)降低工作電流。富士通在NOR型閃存中，引入了其專(zhuān)利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高速訪問(wèn)隨機(jī)存儲(chǔ))中的電路元素，從而實(shí)現(xiàn)了高速低功耗和高可靠性。這種新型NOR閃存可將訪問(wèn)速度提高2.5倍達(dá)，訪問(wèn)時(shí)間僅10ns，同時(shí)工作電流降低三分之二達(dá)到9µA。通過(guò)在嵌入式設(shè)備中應(yīng)用這項(xiàng)技術(shù)，便攜音視頻設(shè)備將有望改進(jìn)性能，同時(shí)延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間。 富士通表示，將以這項(xiàng)N
- 關(guān)鍵字： 富士通 NOR 閃存
蘋(píng)果iPhone手機(jī)擴(kuò)容將導(dǎo)致今年閃存市場(chǎng)出現(xiàn)供不應(yīng)求局面
- 據(jù)iSuppli公司預(yù)測(cè)，蘋(píng)果今年的iPhone生產(chǎn)計(jì)劃可能導(dǎo)致新一輪閃存供貨危機(jī)的發(fā)生。據(jù)iSuppli公司預(yù)測(cè)，今年蘋(píng)果對(duì)其iPhone產(chǎn)品進(jìn)行升級(jí)之后，iPhone手機(jī)產(chǎn)品的閃存容量將平均達(dá)到35GB之多，比現(xiàn)有的最大容量32GB還多。再加上iPhone本身的銷(xiāo)量還將進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)幅度為32%的增長(zhǎng)，達(dá)到3300萬(wàn)部左右，這樣全球閃存市場(chǎng)今年將因此而再次呈現(xiàn)閃存供應(yīng)緊張的局面。 過(guò)去，蘋(píng)果每年都會(huì)將其設(shè)備所裝備的閃存容量以每年增加一倍的速度提升，這樣今年其iPhone手機(jī)的閃存容量有望達(dá)到64
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技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無(wú)所求：Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽
- 在最近舉辦的一次會(huì)議上，Intel公司屬下NAND閃存集團(tuán)的新任老總Tom Rampone透露了有關(guān)Intel閃存業(yè)務(wù)的一個(gè)驚人規(guī)劃，他們計(jì)劃在閃存技術(shù)和SSD產(chǎn)品市場(chǎng)上取得領(lǐng)先地位，但他們并不準(zhǔn)備在散片NAND閃存市場(chǎng) 上扮演領(lǐng)軍人的角色?？雌饋?lái)他們并不愿意在風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)的NAND閃存散片市場(chǎng)和三星，現(xiàn)代以及東芝這些廠商一爭(zhēng)高下，但于此同時(shí),他們又表現(xiàn)出想把三星從SSD業(yè) 務(wù)排名第一的寶座上拉下來(lái)的意圖。 Intel不準(zhǔn)備在NAND閃存散片市場(chǎng)稱(chēng)雄的決定令人稍感驚奇，過(guò)去他們一旦進(jìn)入某個(gè)市場(chǎng)，那
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NAND閃存芯片價(jià)格本月逐步趨于平穩(wěn)
- 根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司DRAMeXchange的最新統(tǒng)計(jì)，12月后半個(gè)月的MLC NAND閃存芯片價(jià)格和前半月相比持平，高密度芯片價(jià)格則將下降1-5%。 其中，16Gb芯片期貨價(jià)格下降2-7%，32Gb芯片價(jià)格持平或下降3%，兩種芯片后半個(gè)月的平均銷(xiāo)售價(jià)格預(yù)計(jì)為4.42美元和7.18美元，8Gb芯片的平均價(jià)格依舊保持在4.02美元。 盡管受到季節(jié)性銷(xiāo)售規(guī)律的影響，NAND閃存12月份的銷(xiāo)售價(jià)格依舊保持穩(wěn)定?？紤]到一些芯片制造商將重點(diǎn)轉(zhuǎn)移到了工藝升級(jí)上，產(chǎn)能上或受影響，很多下游廠商已經(jīng)開(kāi)始存貨為即
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Intel-鎂光發(fā)起反擊,2xnm制程N(yùn)AND芯片將投入試制
- 在本月22日召開(kāi)的一次電話(huà)會(huì)議上，鎂光公司聲稱(chēng)他們很快便會(huì)試制出2x nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品，并對(duì)其進(jìn)行取樣測(cè)試。盡管鎂光沒(méi)有透露這種2xnm制程的具體規(guī)格數(shù)字，但外界認(rèn)為他們很可能會(huì)于明年初公布有關(guān)的細(xì)節(jié)信 息。這樣，鎂光及其N(xiāo)AND技術(shù)的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用這種新制程技術(shù)，甩開(kāi)對(duì)手三星和東芝，重新回到領(lǐng)先全球NAND制作技術(shù)的寶 座上。目前Intel和鎂光兩家公司合資創(chuàng)立有一家專(zhuān)門(mén)負(fù)責(zé)NAND業(yè)務(wù)的IM閃存技術(shù)公司。 除了制造閃存芯片之外，Intel和鎂光還有出售基
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東芝第三季度NAND閃存營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)近50%
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，市場(chǎng)研究公司iSuppli最新研究數(shù)據(jù)顯示，第三季度全球NAND閃存市場(chǎng)業(yè)績(jī)強(qiáng)勁，東芝表現(xiàn)最為搶眼，營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)近50%。 全球NAND閃存市場(chǎng)第三季度的營(yíng)收較第二季度的31億美元，增長(zhǎng)了25.5%，達(dá)39.4億美元。東芝第三季度表現(xiàn)強(qiáng)于市場(chǎng)，其N(xiāo)AND閃存營(yíng)收較第二季度的9.24億美元增長(zhǎng)了47.5%，達(dá)14億美元。東芝在全球NAND閃存市場(chǎng)上位居第二，僅次于三星電子。 iSuppli資深分析師Michael Yang說(shuō)：“東芝在第三季度充分利用了有利的NAN
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閃存介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
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