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          閃存S29AL016D在數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中的應(yīng)用

          • 閃存S29AL016D在數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中的應(yīng)用,0 引言
            隨著數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)智能化程度的越來越高,經(jīng)常需要在無人干預(yù)的情況下,自動(dòng)加載某些數(shù)據(jù)或參數(shù)到系統(tǒng)工作單元,以保證系統(tǒng)的正常工作。這些數(shù)據(jù)或參數(shù)通常都以數(shù)據(jù)文件形式保存在大容量、低功耗、可快
          • 關(guān)鍵字: 理系  應(yīng)用  處理  數(shù)據(jù)  S29AL016D  閃存  

          Numonyx執(zhí)行長(zhǎng):預(yù)計(jì)未來季度中將重新盈利

          •   全球第三大閃存制造商--Numonyx執(zhí)行長(zhǎng)Brian Harrison周一表示,預(yù)計(jì)在接下來的季度中,公司將會(huì)開始再度盈利,因該行業(yè)正擺脫長(zhǎng)期下滑趨勢(shì),而主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手經(jīng)營(yíng)困難也令公司擴(kuò)大份額。   Harrison在接受路透電話采訪時(shí)稱,公司在三季度接近收支平衡,"希望接下來季度中能盈利,但我們并沒有做任何預(yù)測(cè)。公司處于有利位置,我們的成本構(gòu)成大幅降低。"   Numonyx是一家瑞士的私營(yíng)企業(yè),由英特爾和意法半導(dǎo)體合資設(shè)立。   Numonyx和韓國(guó)三星和日本東芝等其他大
          • 關(guān)鍵字: Numonyx  閃存  

          IEEE:NAND閃存技術(shù)將在十年之內(nèi)遭遇技術(shù)極限

          •   《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),看它們到2020年的時(shí)候能否在單位容量成本上超越機(jī)械硬盤,結(jié)果選出了兩個(gè)最有希望的候選 者:相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)(PCRAM)、自旋極化隨機(jī)存取存儲(chǔ)(STTRAM)。   PCRAM我們偶爾會(huì)有所耳聞。它基于硫系玻璃的結(jié)晶態(tài)和非結(jié)晶態(tài)相變屬性,單元尺寸較小,而且每個(gè)單元內(nèi)能保存多個(gè)比特,因此存儲(chǔ)密度和成本
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          傳Spansion將出售日本300mm工廠

          •   據(jù)來自ISMI Symposium的消息,NOR閃存制造商Spansion將出售其300mm工廠。   Spansion高層拒絕對(duì)這座名為SP1工廠的狀態(tài)進(jìn)行評(píng)論。“SP1是Spansion Japan的資產(chǎn),目前正在對(duì)可能的重組方案進(jìn)行評(píng)估。我們繼續(xù)和Spansion Japan緊密合作,并通過我們內(nèi)部和外部的資源,對(duì)客戶的要求進(jìn)行最大程度的支持。”Spansion在一份聲明中表示。   2007年,Spansion啟用業(yè)界首座300mm NOR閃存工廠。這座耗資12億美
          • 關(guān)鍵字: 閃存  NOR  300mm  

          磁盤式存儲(chǔ)技術(shù)還有十年風(fēng)光:閃存硬盤前景不容樂觀

          •   那些鼓吹基于閃存的SSD硬盤技術(shù)的人可能要感到失望了,因?yàn)閾?jù)最新的研究結(jié)果表明,如果磁盤技術(shù)按現(xiàn)有的速度發(fā)展下去,那么到2020年,雙碟2.5寸 硬盤的容量將能達(dá)到14TB左右,價(jià)格則會(huì)降到40美元的水平(目前500GB硬盤普遍售價(jià)為100美元左右),仍然具有相當(dāng)?shù)母?jìng)爭(zhēng)力。而盡管基于閃存的SSD硬盤產(chǎn)品由于在讀寫性能,省 電性能方面更為優(yōu)秀,正在日漸流行,但其每GB折算價(jià)格卻接近磁盤式硬盤的10倍,另外,閃存技術(shù)在2020年之前很可能會(huì)遇到性能發(fā)展上的瓶頸,這使基 于閃存的SSD硬盤即使在10年或更久
          • 關(guān)鍵字: SSD  閃存  磁盤  

          市場(chǎng)供貨吃緊,NAND閃存合約價(jià)持續(xù)上揚(yáng)

          •   研究機(jī)構(gòu)集邦科技(DRAM eXchange)表示,10月上旬主流MLC NAND Flash合約均價(jià)上漲約8%~10%,主要原因是多數(shù)供貨商已接獲部份電子系統(tǒng)廠客戶10月到11月的旺季長(zhǎng)單,同時(shí)近期記憶卡客戶的旺季備貨需求,因此NAND Flash市場(chǎng)供貨吃緊,在賣方主導(dǎo)市場(chǎng)下,10月上旬NAND Flash合約價(jià)持續(xù)地上揚(yáng)。        16Gb MLC NAND Flash合約價(jià)走勢(shì)圖   集邦科技指出,在10月到11月,多數(shù)NANDFlash供貨商份仍將優(yōu)先供貨給電子系
          • 關(guān)鍵字: NAND  存儲(chǔ)  閃存  

          分析稱2012年將普及USB3.0 速率可達(dá)到4.8G/s

          •   賽迪網(wǎng)訊 9月20日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,調(diào)研公司In-Stat預(yù)計(jì),到2010年70%的存儲(chǔ)設(shè)備將支持USB3.0標(biāo)準(zhǔn)。   早在2007年,USB 3.0標(biāo)準(zhǔn)就已經(jīng)建立。USB 3.0的數(shù)據(jù)傳輸速度可達(dá)到4.8Gbps,是USB2.0的10倍,為傳輸大容量文件帶來了方便。   In-Stat稱,USB 3.0設(shè)備將于明年開始進(jìn)入市場(chǎng),并將在未來幾年內(nèi)漸成主流。到2012年,預(yù)計(jì)70%的存儲(chǔ)設(shè)備將支持USB3.0,其中包括硬盤、閃存和便攜播放器等。
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          2012年之前NAND閃存將保持價(jià)格上升趨勢(shì)

          •   美國(guó)從事半導(dǎo)體相關(guān)市場(chǎng)調(diào)查的IC Insights發(fā)布預(yù)測(cè)稱,NAND閃存市場(chǎng)將迎來價(jià)格上升局面。IC Insights預(yù)測(cè),由于在需求增加的情況下各大廠商減少設(shè)備投資,造成供需緊張,因此到2012年之前平均銷售價(jià)格將繼續(xù)保持上升趨勢(shì)。   IC Insights自1993年開始就NAND閃存市場(chǎng)進(jìn)行調(diào)查以來,NAND閃存的供貨量低于上年業(yè)績(jī)的只有2001年一次。該公司預(yù)測(cè),今后到2013年供貨量將穩(wěn)步增加。全球經(jīng)濟(jì)低迷的2009年也不會(huì)例外。   供貨容量也將大幅增長(zhǎng)。即使是全球經(jīng)濟(jì)低迷的200
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  閃存  

          分析師:NAND閃存價(jià)格將上漲

          •   根據(jù)IC Insights近期發(fā)布的McClean Report年中更新版顯示,閃存市場(chǎng)將發(fā)生變化,在未來幾年將從買方市場(chǎng)轉(zhuǎn)向賣方市場(chǎng)。   閃存出貨量和位需求量預(yù)計(jì)將增長(zhǎng),但閃存產(chǎn)能的投資這兩年正在減小。IC Insights預(yù)計(jì)2009年閃存資本支出將下滑至前一年的25%,約30億美元。這將為2012年前的平均銷售價(jià)格帶來上行壓力。   2009年閃存銷售量仍將增長(zhǎng),盡管經(jīng)濟(jì)形勢(shì)極具挑戰(zhàn)。受手持設(shè)備、無線消費(fèi)電子、電腦和通訊設(shè)備需求的帶動(dòng),閃存位出貨量在2005年至2008年之間達(dá)到了三位數(shù)百
          • 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子  閃存  手持設(shè)備  通訊設(shè)備  

          飛索半導(dǎo)體瘦身 專攻嵌入式和IP授權(quán)兩大業(yè)務(wù)

          •   “2009年一定會(huì)有一些閃存或者DRAM廠商倒閉,產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)一步整合是必然趨勢(shì),而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存,就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日,全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業(yè)營(yíng)銷總監(jiān)John Nation抵京,他帶來了Spansion最新的第二季度財(cái)務(wù)狀況,以及公司為脫離破產(chǎn)保護(hù)而進(jìn)行的戰(zhàn)略調(diào)整。   Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商,也是全球最大一家專門出品閃存的企業(yè)。   今年3月1日,Spansion公司宣布,根
          • 關(guān)鍵字: Spansion  DRAM  閃存  

          NAND閃存產(chǎn)業(yè)走到十字路口

          •   NAND閃存產(chǎn)業(yè)正處在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari稱未來的產(chǎn)能需要和產(chǎn)品需求“失去了關(guān)聯(lián)”。NAND閃存糟糕的產(chǎn)業(yè)模式使廠商對(duì)建新廠失去興趣。   積極地來看,Harari稱2013年NAND閃存位需求將達(dá)10萬petabyte(PB,1 peta=100萬Giga),而現(xiàn)在為7000PB。當(dāng)前和未來的NAND閃存需求讓將爆炸性增長(zhǎng),其中包括最有潛力的市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力——嵌入式移動(dòng)應(yīng)用市場(chǎng)。   Harari在閃存峰會(huì)的主題演講中
          • 關(guān)鍵字: SanDisk  NAND  閃存  

          耶魯大學(xué)和SRC共同研制出高性能鐵電存儲(chǔ)器

          •   耶魯大學(xué)的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱利用鐵電材料制作存儲(chǔ)器來代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術(shù)必須每幾個(gè)毫秒就刷新一下,而鐵電存儲(chǔ)器可以持續(xù)幾分鐘而無需刷新。   耶魯大學(xué)和SRC的研究人員制成了一種用于FeDRAM的鐵電晶體管實(shí)驗(yàn)樣品,該FeDRAM保存信息的時(shí)間比DRAM長(zhǎng)1000倍,而功耗僅為DRAM的1/20,而且尺寸可以縮至ITRS上的最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。   “我們的存儲(chǔ)器的速度至少和DRAM一樣快,但尺寸和閃存一樣小,
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  DRAM  閃存  FeDRAM  

          第二季度芯片市場(chǎng)回暖 IC廠商排名調(diào)整

          •   市場(chǎng)研究公司IC Insights指出,第二季度芯片市場(chǎng)銷售額的反彈使IC廠商排名發(fā)生了較大變化。   以銷售額來計(jì),第二季度排名上升的公司有Hynix、MediaTek和TSMC。排名下滑的有AMD、Freescale和Fujitsu。   Intel仍然位居榜首,Samsung、Toshiba、TI緊隨其后。由于第二季度表現(xiàn)突出,TSMC從第十躍至第五。   ST排名第六,后面依次是Qualcomm、Renesas和Sony。Hynix從第13名升至第10名。另一個(gè)排名上升的公司是Media
          • 關(guān)鍵字: AMD  手機(jī)芯片  閃存  汽車電子  

          NAND閃存價(jià)格波動(dòng) 破壞SSD市場(chǎng)普及性

          •   周一消息 研究機(jī)構(gòu)iSuppli指出,NAND閃存價(jià)格大幅波動(dòng)的現(xiàn)象,大幅削弱了之前對(duì)2009年固態(tài)硬盤(SSD)在筆記本電腦市場(chǎng)普及的預(yù)期。   iSuppli專研行動(dòng)和新興內(nèi)存的資深分析師Michael Yang表示,近期NAND閃存價(jià)格上漲,對(duì)閃存供貨商來說來說是好事,但卻為SSD在筆記本電腦的普及帶來阻礙。因?yàn)镾SD的價(jià)格約有90%由NAND閃存決定。所以當(dāng)NAND閃存價(jià)格上漲,SSD在個(gè)人和企業(yè)市場(chǎng)的銷量就會(huì)減緩。   多層單元(MLC)規(guī)格16GB的NAND閃存,其平均價(jià)格大幅上漲12
          • 關(guān)鍵字: NAND  閃存  MLC  
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          閃存介紹

          【閃存的概念】 閃存(Flash Memory)是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]

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