閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

海力士謀劃72層堆疊閃存：單顆輕松1TB

　　如今各種設(shè)備對于NAND閃存的容量要求越來越高，迫使廠商們不得不持續(xù)改進(jìn)技術(shù)，尤其是強(qiáng)化3D堆疊設(shè)計(jì)。SK海力士就計(jì)劃在今年量產(chǎn)72層堆疊閃存。　　2015年，SK海力士量產(chǎn)了第二代36層堆疊3D MLC NAND(3D-V2)，單晶粒容量128Gb(16GB)。　　2016年，SK海力士推出了第三代48層堆疊的3D-V3，閃存類型改成TLC，重點(diǎn)單晶粒容量256Gb(32GB)，而封裝芯片的容量最高可以達(dá)到4096Gb(512GB)。　　2017年，我們將看到SK海力士的第四代3D-V4
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工序失衡！2017 DRAM內(nèi)存缺貨/漲價(jià)繼續(xù)蔓延

　　從2016年下半年開始，內(nèi)存、閃存的缺貨漲價(jià)勢頭開始上揚(yáng)，2017年這一局面將繼續(xù)擴(kuò)散蔓延，而且一整年都未必會有改觀。　　據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道，內(nèi)存大廠金士頓近日表態(tài)，今年因?yàn)橹饕腄RAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計(jì)劃，全年DRAM內(nèi)存都面臨缺貨窘境。此外，群聯(lián)公司董事長潘建成也強(qiáng)調(diào)，NAND閃存因?yàn)檫M(jìn)入3D世代，制程良率無法提升，預(yù)計(jì)將缺貨一整年。　　日前，金士頓董事長陳建華出席群聯(lián)竹南三廠上梁典禮時(shí)，針對DRAM內(nèi)存市場進(jìn)行了分析，他表示，目前主要DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計(jì)劃
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長江存儲和美光科技展開合作談判涉及到閃存以及內(nèi)存技術(shù)授權(quán)

　　中國半導(dǎo)體廠商近來加大了海外收購、合作的力度。早前行業(yè)內(nèi)曾經(jīng)傳言，中國紫光集團(tuán)可能會收購美國閃存、內(nèi)存制造巨頭美光科技公司，但是傳言并未有下文。日前，紫光旗下公司證實(shí)，正在和美光進(jìn)行有關(guān)技術(shù)授權(quán)、成立合資公司的談判。　　據(jù)報(bào)道，作出上述表態(tài)的是中國長江存儲公司的副董事長丁文武。長江存儲是紫光集團(tuán)旗下設(shè)立在武漢的企業(yè)，董事長正是紫光集團(tuán)掌門人趙偉國。　　日前在合肥的一次會議上，丁文物對于記者表示，目前長江存儲公司正在和美光科技公司進(jìn)行談判，涉及到閃存以及內(nèi)存技術(shù)的授權(quán)，但是還沒有達(dá)成協(xié)議。這位高
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三星最賺錢業(yè)務(wù)將被中國企業(yè)吃掉？

伴隨著中國增加閃存投資，其和三星的閃存市場份額差距正在縮小，而技術(shù)上中國在過去10年時(shí)間里培養(yǎng)了一批人才，積累了一定技術(shù)，在技術(shù)上迅速縮小與三星的差距。
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SLC、MLC、TLC閃存芯片的區(qū)別

SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸，最早期NAND Flash技術(shù)架構(gòu)是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1個(gè)存儲器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到MLC(Multi-Level Ce
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Spansion 起訴旺宏電子侵犯其專利權(quán)

2013年 08 月 15 日，中國北京 — 行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)今日宣布起訴臺灣旺宏電子股份有限
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LSI SandForce揭幕SHIELD閃存糾錯(cuò)技術(shù)

LSI SandForce詳細(xì)介紹了其下一代固態(tài)硬盤(SSD)控制器內(nèi)置的全新糾錯(cuò)方法，稱為SHIELD。SandForce在在加利福尼亞州圣克拉拉召開的Flash Memory Summit峰會上披
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Spansion完成對富士通微控制器和模擬業(yè)務(wù)部門收購

2013年 08月02日，中國北京 — 行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)今天宣布已經(jīng)完成對富士通半導(dǎo)體有限
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LSI閃存解決方案提升虛擬機(jī)密度和性能

LSI公司(NASDAQ: LSI)日前宣布推出集成VMware虛擬化軟件支持的LSI® Nytro™ XD應(yīng)用加速存儲解決方案。該款帶VMware支持的Nytro XD解決方案可將PCIe®閃存
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四種閃存設(shè)計(jì)優(yōu)劣點(diǎn)分析

由于閃存比傳統(tǒng)媒介有著更為明顯的優(yōu)勢，在過去一年里，閃存的普及率開始飆升。不過，我們總是很難判斷不同閃存產(chǎn)品之間的區(qū)別。在本文中，我
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最快NOR閃存+突破性接口，Spansion帶用戶體驗(yàn)“極

新春過后不久，Spansion又帶來了它的得意新作——Spansion® HyperBus™ 接口和基于該新接口的產(chǎn)品家族HyperFlash™ NOR閃存設(shè)備。據(jù)悉，搭載了
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東芝要做64層3D閃存：三星48層情何以堪？

　　三星3D V-NAND立體堆疊閃存行業(yè)聞名，而且已經(jīng)堆到了驚人的48層，工藝精良，不過據(jù)《日經(jīng)亞洲評論》報(bào)道，東芝正在謀劃多達(dá)64層的NAND閃存，比三星多三分之一! 　　7月15日，東芝舉辦了日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導(dǎo)體二廠的啟用儀式，并透露將在此生產(chǎn)48層堆疊閃存，并計(jì)劃2016財(cái)年(截止到2017年3月底)內(nèi)量產(chǎn)。　　這種閃存的成本和價(jià)格會比較高，但是因?yàn)槿萘靠梢宰龅母螅骄鶅r(jià)格反而會更便宜，可用于從智能手機(jī)、固態(tài)硬盤到數(shù)據(jù)中心等各種領(lǐng)域，初期主要供應(yīng)持續(xù)增長的數(shù)據(jù)中心。
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東芝3D閃存芯片：存儲容量將提高三成

　　目前，越來越多的智能手機(jī)廠商，開始大幅度提高手機(jī)閃存的容量，市場對于閃存的需求和技術(shù)要求越來越高。據(jù)悉，日本東芝和韓國三星電子在閃存技術(shù)上存在激烈競爭，而東芝領(lǐng)先了一局，該公司即將大規(guī)模生產(chǎn)3D閃存。　　　　手機(jī)內(nèi)存越配越高　　據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞周六報(bào)道，本財(cái)年內(nèi)(明年三月底之前)，東芝公司將會投產(chǎn)最新一代的3D閃存，這將領(lǐng)先于閃存老對手三星電子。　　眾所周知的是，東芝因?yàn)樨?cái)務(wù)丑聞，公司運(yùn)營陷入了艱難境地，東芝也希望自己占據(jù)技術(shù)優(yōu)勢的閃存業(yè)務(wù)，能夠提振全公司的表現(xiàn)。
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逆天閃存設(shè)備　居然能將數(shù)據(jù)保存至少百年

　　據(jù)俄羅斯“衛(wèi)星”消息，俄羅斯經(jīng)濟(jì)與社會項(xiàng)目創(chuàng)新與發(fā)展社發(fā)布消息稱，俄羅斯Raidix公司將與日本松下共同開發(fā)能將數(shù)據(jù)保存至少100年的創(chuàng)新閃存設(shè)備。　　目前，所有的閃存設(shè)備對數(shù)據(jù)的保存可以被認(rèn)為是暫時(shí)的，它們可以無錯(cuò)誤地保存數(shù)據(jù)5到10年，在此之后則需要將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到新的閃存中。　　日俄雙方公司均認(rèn)為，合作應(yīng)該是互利的。松下公司將向俄方提供自己處理“冷保存”(訪問頻率不高)數(shù)據(jù)的freeze-ray技術(shù)，同時(shí)，Raidix公司的工作是將&ldquo
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華為閃存技術(shù)，不止快人一步

　　云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、移動(dòng)互聯(lián)正在改變世界。據(jù)預(yù)測，到2020年，全球移動(dòng)寬帶用戶將從2016年的40億基礎(chǔ)上，增加20億移動(dòng)寬帶用戶，全球大數(shù)據(jù)、大數(shù)據(jù)分析以及大數(shù)據(jù)技術(shù)市場規(guī)模將高達(dá)2000億美元。　　華為在2016全球聯(lián)接指數(shù)中預(yù)測，2020年，數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代將全面來臨，屆時(shí)，大數(shù)據(jù)分析將無處不在，想象一下，數(shù)十億計(jì)的智能電話、數(shù)百萬智能汽車、數(shù)百萬智能無人機(jī)、數(shù)百萬智能機(jī)器人在我們的身邊運(yùn)轉(zhuǎn)，遍布的物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)等技術(shù)將給人們的生活帶來巨大的改變和驚喜。　　數(shù)據(jù)同樣在企業(yè)中蔓延，IDC預(yù)測，202
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]