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	1β dram
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          美光發(fā)布 HSE 3.0 開源存儲引擎
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • IT之家 11 月 20 日消息，2020 年初，美光的軟件工程師宣布了一款專為 SSD 和持久內(nèi)存設計的開源存儲引擎 HSE，這是一款快速鍵值存儲數(shù)據(jù)庫。去年 HSE 2.0 首次亮相，不再依賴于對 Linux 內(nèi)核的修改，改為完全基于用戶空間的解決方案。本周，美光發(fā)布了 HSE 3.0 開源存儲引擎，帶來了更多功能改進。據(jù)介紹，HSE 3.0 改進了數(shù)據(jù)管理，提高了各種重要工作負載的性能。此外，HSE 3.0 引擎圍繞具有單調(diào)遞增鍵（例如時間序列數(shù)據(jù)）的工作負載、多客戶端工作負載、將壓縮和未壓縮值存儲
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          • 關鍵字：
                        美光  SSD  DRAM  HSE                          
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          SK海力士全球首次在移動端DRAM制造上采用HKMG工藝
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • Warning: file_get_contents(): php_network_getaddresses: getaddrinfo failed: Name or service not known in /var/www/html/www.edw.com.cn/www/rootapp/controllerssitemanage/ManagecmsController.php on line 2013

Warning: file_get_contents(https://img.dramx.co
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          • 關鍵字：
                        SK海力士  移動端  DRAM  HKMG                          
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          報告稱三星電子 DRAM 市場份額創(chuàng) 8 年來新低
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • IT之家 11 月 9 日消息，根據(jù)最新的報告，三星電子在全球 DRAM 市場的份額已跌至八年來的最低點。據(jù) Eugene Investment & Securities 11 月 8 日發(fā)布的報告，第三季度全球 DRAM 市場銷售額為 179.73 億美元（當前約 1301.25 億元人民幣），較第二季度的 254.27 億美元下降 29.3%。三星電子的 DRAM 銷售額從第二季度的 111.21 億美元下降到第三季度的 73.71 億美元（當前約 533.66 億元人民幣
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          • 關鍵字：
                        三星  DRAM                          
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          芯片巨頭美光：成功繞過了EUV光刻技術
          
                                                            
            
                    	
          • 　　本周美光宣布，采用全球最先進1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進行驗證，并做好了量產(chǎn)準備?！　?β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)。　　一個值得關注的點是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。　　這意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復雜的設計方案。畢竟，DRAM的先進性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導體的能力，各公司目
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          • 關鍵字：
                        美光  DRAM  內(nèi)存芯片  光刻機  EUV                          
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          機構預計今年服務器 DRAM 需求將達到 684.86 億 GB，首次超過移動設備
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 11 月 2 日消息，據(jù)國外媒體報道，受電子消費品續(xù)期下滑影響，當前全球存儲芯片市場并不樂觀，DRAM 與 NAND 閃存的需求和價格都有下滑，三星電子、SK 海力士等存儲芯片制造商的業(yè)績，也受到了影響。雖然存儲芯片市場整體的狀況并不樂觀，但部分領域的需求，卻在不斷增長。研究機構在最新的報告中就表示，服務器 DRAM 的需求在不斷增長，在今年有望首次超過智能手機、平板電腦等移動設備對 DRAM 的需求。研究機構在報告中預計，今年全球服務器對 DRAM 的需求，會達到 684.86 億 GB，智能手機、平板
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          • 關鍵字：
                        DRAM  市場                          
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          功率效率提高15%，美光1β DRAM樣本出貨
          
                                                            
            
                    	
          • 當?shù)貢r間11月1日，美光宣布正在向選定的智能手機制造商和芯片組運送其1β DRAM技術的合格樣品合作伙伴，并已通過世界上最先進的DRAM技術節(jié)點實現(xiàn)了量產(chǎn)準備。據(jù)官方介紹，美光于2021年實現(xiàn)1α LPDDR5X DRAM批量出貨，此次新的1β制程DRAM比1α制程DRAM功率效率提高15%，每區(qū)儲存的位元數(shù)也增加35%。美光表示，隨著LPDDR5X的出樣，移動產(chǎn)品將率先從1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時，消耗更少的電力。美光DRAM程序整合部門副總裁Thy Tran表示，新版
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          • 關鍵字：
                        功率效率  美光  1β DRAM                          
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          美光出貨全球最先進的1β技術節(jié)點DRAM
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 2022年11月2日——中國上?！獌?nèi)存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進技術節(jié)點的1β DRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證，并做好了量產(chǎn)準備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動內(nèi)存上采用該新一代制程技術，其最高速率可達每秒8.5Gb。該節(jié)點在性能、密度和能效方面都有顯著提升，將為市場帶來巨大收益。除了移動應用，基于1β節(jié)點的DRAM產(chǎn)品還具備低延遲、低功耗和高
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          • 關鍵字：
                        美光  1β技術節(jié)點  DRAM                          
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          美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內(nèi)存：采用先進 1β 工藝，15% 能效提升
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天發(fā)布了 LPDDR5X-8500 內(nèi)存，采用先進 1β 工藝，正在向智能手機制造商和芯片組合作伙伴發(fā)送樣品。據(jù)官方介紹，美光 2021 年實現(xiàn) 1α 工藝批量出貨，現(xiàn)在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場領先地位。官方稱，最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過 35% 的密度提升，每個 die 容量為 16Gb。美光表示，隨著 LPDDR5X 的出樣，移動產(chǎn)品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時，消
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          • 關鍵字：
                        美光  LPDDR5X-8500  內(nèi)存  1β DRAM                          
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          SK海力士：未研究過“轉移中國工廠設備”相關具體計劃
          
                                                            
            
                    	
          • 近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉移中國工廠設備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠運營作出澄清說明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績發(fā)表會上，針對由于地緣政治問題及多種因素導致中國工廠運營受困的各種假想情境，作出了可能會考慮應急方案(Contingency Plan)的原則性回復。其中，“中國工廠的設備轉移”等相關發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場回復，SK海力士澄清并未研究過與此相關的具體計劃。另外，針對美國對芯片設備出口的管制，SK海力士表示，
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          • 關鍵字：
                        SK海力士  DRAM  NAND                          
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          8.5 Gbps！三星LPDDR5X DRAM運行速度創(chuàng)新高 
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗證，可在驍龍（Snapdragon?）移動平臺上使用，該內(nèi)存速度可達到當前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過優(yōu)化應用處理器和存儲器之間的高速信號環(huán)境，三星超過了自身在今年3月創(chuàng)下的7.5Gbps的最高運行速度，夯實了在內(nèi)存市場的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達8.5Gbps的運行速度作為十多年來全球移動內(nèi)存（DRAM）市場的推動者，三星一直在努力推進高端智能手機普及，使更多消費者能夠在移動設備上體驗更為強大的計算性能。憑借低功
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          • 關鍵字：
                        三星  LPDDR5X  DRAM                          
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          SK海力士與美國完成協(xié)商，確保在一年內(nèi)不獲取許可的前提下為中國工廠供應設備
          
                                                            
            
                    	
          • SK海力士于10月12日通過聲明表示，公司完成與美國商務部進行協(xié)商，確保在接下來一年內(nèi)不獲取個別許可的前提下為中國工廠供應所需的半導體生產(chǎn)設備。借此，SK海力士預期將能夠在接下來一年內(nèi)不獲取美方個別許可的前提下為中國工廠保障生產(chǎn)設備的供應，進而維持在中國的生產(chǎn)經(jīng)營。SK海力士表示：“公司與美方圓滿完成了就在中國持續(xù)生產(chǎn)半導體產(chǎn)品的協(xié)商。SK海力士將繼續(xù)與韓國政府及美國商務部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠的運營盡最大的努力?！泵绹虅詹肯惹坝?0月7日發(fā)布稱，將限制用于在中國生產(chǎn)18納米以下
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          • 關鍵字：
                        SK海力士  DRAM  NAND                          
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          TrendForce：存儲器廠聚焦CXL存儲器擴充器產(chǎn)品
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新服務器相關報告指出，CXL（Compute
 Express 
Link）原是希望能夠整合各種xPU之間的性能，進而優(yōu)化AI與HPC所需要的硬件成本，并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU為源頭去考慮，但由于可支援CXL功能的服務器CPU
 Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa現(xiàn)階段僅支援至CXL 
1.1規(guī)格，而該規(guī)格可先實現(xiàn)的產(chǎn)品則是CXL存儲器擴充（CXL Memory 
Expander）。因此，TrendForce認為
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          • 關鍵字：
                        TrendForce  集邦咨詢  存儲器  CXL  AI/ML  DRAM                          
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          SPARC：用于先進邏輯和 DRAM 的全新沉積技術
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 芯片已經(jīng)無處不在：從手機和汽車到人工智能的云服務器，所有這些的每一次更新?lián)Q代都在變得更快速、更智能、更強大。創(chuàng)建更先進的芯片通常涉及縮小晶體管和其他組件并將它們更緊密地封裝在一起。然而，隨著芯片特征變得更小，現(xiàn)有材料可能無法在所需厚度下實現(xiàn)相同性能，從而可能需要新的材料。 泛林集團發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術，用于制造具有改進電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結構中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經(jīng)受進一步處理。SPAR
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          • 關鍵字：
                        SPARC  先進邏輯  DRAM  沉積技術                          
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          庫存難減 DRAM價Q4恐再跌13～18％
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 市調(diào)機構表示，在高通脹影響下，消費性產(chǎn)品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購，導致供貨商庫存壓力進一步升高。同時，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場上已有「第三、四季合并議價」或「先談量再議價」的情形，導致第四季DRAM價格續(xù)跌13％～18％。標準型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠仍將著重去化DRAM庫存，而DRAM供應端在營業(yè)利益仍佳的前提下，未有實際減產(chǎn)情形，故位產(chǎn)出仍持續(xù)升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來
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          • 關鍵字：
                        集邦  DRAM  NAND                          
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          集邦：明年DRAM需求位成長8.3％創(chuàng)新低 NAND跌價帶動搭載容量成長 
          
                                                            
            
                    	
          • 根據(jù)集邦科技指出，2023年DRAM市場需求位成長僅8.3％，是歷年來首度低于10％，遠低于供給位成長約14.1％，分析至少2023年的DRAM市況在供過于求的情勢下仍相當嚴峻，價格恐將持續(xù)下滑。至于NAND Flash仍是供過于求，但價格下跌應有助于搭載容量提升。從各類應用來看，高通膨持續(xù)沖擊消費市場需求，故優(yōu)先修正庫存是品牌的首要目標，尤其前兩年面對疫情造成的上游零組件缺料問題，品牌超額下訂，加上通路銷售遲緩，使得目前筆電整機庫存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進一步走弱。標準型PC DRAM方面，
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          • 關鍵字：
                        集邦  DRAM  NAND                          
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