<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          首頁  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 1β dram

          DRAM一季營收環(huán)比下降21.2%,連續(xù)三個季度衰退

          • 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,今年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)營收約96.6億美元,環(huán)比下降21.2%,已續(xù)跌三個季度。出貨量方面僅美光有上升,其余均衰退;平均銷售單價三大原廠均下跌。目前因供過于求尚未改善,價格依舊續(xù)跌,然而在原廠陸續(xù)減產(chǎn)后,DRAM下半年價格跌幅將有望逐季收斂。展望第二季,雖出貨量增加,但因價格跌幅仍深,預(yù)期營收成長幅度有限。營收方面,三大原廠營收均下滑,三星(Samsung)自家品牌的新機(jī)備貨訂單有限,出貨量與平均銷售單價(ASP)同步下跌,營收約41.7億美元,環(huán)比下降24.7%。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  TrendForce  

          需求好轉(zhuǎn)?兩家存儲廠商部分應(yīng)用領(lǐng)域出現(xiàn)急單

          • 受消費電子市場需求疲弱影響,存儲產(chǎn)業(yè)2022年下半年以來持續(xù)“過冬”,加上今年一季度為市場淡季,供過于求關(guān)系下,產(chǎn)業(yè)庫存高企。第二季度存儲產(chǎn)業(yè)市況如何?未來是否將有所好轉(zhuǎn)?近期,南亞科、華邦電兩家存儲廠商對此進(jìn)行了回應(yīng)。南亞科:庫存逐步去化,部分應(yīng)用領(lǐng)域已出現(xiàn)急單近期,媒體報道,DRAM廠商南亞科表示,今年一季度是產(chǎn)業(yè)庫存高點,在需求與供應(yīng)端改善下,庫存正逐步去化,預(yù)期本季DRAM市況有望落底,公司在部分應(yīng)用領(lǐng)域已出現(xiàn)急單。為滿足市場應(yīng)用需求趨勢,南亞科持續(xù)開發(fā)高速與低功耗產(chǎn)品,在技術(shù)推進(jìn)上,20納米產(chǎn)品
          • 關(guān)鍵字: 存儲廠商  DRAM  

          存儲進(jìn)入筑底階段?

          • 伴隨存儲芯片價格筑底,關(guān)于半導(dǎo)體周期拐點將臨近的討論越來越熱。
          • 關(guān)鍵字: 存儲芯片  DRAM  

          三星電子宣布12納米級 DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)

          • 今日,三星電子宣布其采用12納米級工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)。三星本次應(yīng)用的前沿制造工藝,再次奠定了其在尖端DRAM技術(shù)方面的優(yōu)勢。"采用差異化的工藝技術(shù),三星業(yè)內(nèi)先進(jìn)的12 納米級DDR5 DRAM具備出色的性能和能效,"三星電子內(nèi)存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee表示,"最新推出的DRAM反映了我們持續(xù)開拓DRAM市場的決心。這不僅意味著我們?yōu)闈M足計算市場對大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求,提供高性能和高容量的產(chǎn)品,而且還將通過商業(yè)化的下一代
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  12納米  DDR5  DRAM  

          功耗降低 23%、量產(chǎn)率提高 20%,三星開始量產(chǎn) 12 納米 DDR5 DRAM

          • IT之家 5 月 18 日消息,三星在去年 12 月宣布開發(fā) 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后,于今天宣布已大規(guī)模量產(chǎn) 12 納米工藝的 DDR5 DRAM。存儲芯片行業(yè)當(dāng)前正處于低谷期,三星通過量產(chǎn) 12nm 的 DRAM,希望進(jìn)一步鞏固其在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。IT之家從三星新聞稿中獲悉,與上一代相比,新芯片的功耗降低了 23%,而晶圓生產(chǎn)率提高了 20%,這意味著芯片尺寸比上一代更小,單個晶圓可以多生產(chǎn) 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗將使服務(wù)器和數(shù)據(jù)中
          • 關(guān)鍵字: 三星  DDR5  DRAM  

          三星電子研發(fā)出其首款支持CXL 2.0的CXL DRAM

          • 三星電子今日宣布,研發(fā)出其首款支持Compute Express Link?(CXL?)2.0的128GB DRAM。同時,三星與英特爾密切合作,在英特爾?至強(qiáng)?平臺上取得了具有里程碑意義的進(jìn)展。繼2022年五月,三星電子研發(fā)出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM(內(nèi)存擴(kuò)展器)后,又繼續(xù)推出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM,預(yù)計將加速下一代存儲解決方案的商用化。該解決方案支持PCIe 5.0(x8通道),提供高達(dá)每秒35GB的帶寬。可擴(kuò)展內(nèi)存(Memory Expander)“作
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  CXL 2.0  CXL  DRAM   

          DRAM迎來3D時代?

          DDR5 Server DRAM 價格跌幅將收斂

          • 集邦咨詢預(yù)估第二季度 DDR5 Server DRAM(服務(wù)器內(nèi)存)價格跌幅將收斂,由原預(yù)估 15%-20% 收斂至 13%-18%。
          • 關(guān)鍵字: DDR5  DRAM  

          先進(jìn)封裝推動 NAND 和 DRAM 技術(shù)進(jìn)步

          • 先進(jìn)封裝在內(nèi)存業(yè)務(wù)中變得越來越重要。
          • 關(guān)鍵字: 封裝  NAND  DRAM   

          SK海力士開發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM

          • 2023年4月20日, SK海力士宣布,再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM(內(nèi)存)——HBM3*的技術(shù)界限,全球首次實現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片,成功開發(fā)出最高容量24GB(Gigabyte,千兆字節(jié))**的HBM3 DRAM新產(chǎn)品,并正在接受客戶公司的性能驗證。SK海力士強(qiáng)調(diào)“公司繼去年6月全球首次量產(chǎn)HBM3 DRAM后,又成功開發(fā)出容量提升50%的24GB套裝產(chǎn)品。”,“最近隨著人工智能聊天機(jī)器人(AI Chatbot)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,高端存儲器需求也隨之增長,公司將從今年下半年起將其推向市場,以滿足
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  堆疊HBM3  DRAM  

          利基型DRAM市場Q2回穩(wěn)

          • 據(jù)媒體報道,盡管消費性電子應(yīng)用需求復(fù)蘇緩慢,但華邦電總經(jīng)理陳沛銘指出,第二季與客戶洽談合約價格已看到止穩(wěn)跡象。華邦電是一家利基型存儲器IC設(shè)計、制造與銷售公司,其產(chǎn)品包括利基型存儲器(Specialty DRAM)、行動存儲器(Mobile DRAM)以及編碼型閃存(Code Storage Flash Memory)。存儲器產(chǎn)品主要以DRAM、NAND Flash為主。從產(chǎn)品價格上看,在NAND Flash方面,此前據(jù)TrendForce集邦咨詢3月30日調(diào)查指出,即便原廠持續(xù)進(jìn)行減產(chǎn),然需求端如服
          • 關(guān)鍵字: 利基型  DRAM  

          2023年內(nèi)存芯片趨勢

          • 2023 年,存儲芯片的跌勢仍在延續(xù),何時止跌還是未知數(shù)。
          • 關(guān)鍵字: 存儲芯片  DRAM  NAND  

          第二季DRAM均價跌幅收斂至10~15%,仍不見止跌訊號

          • TrendForce集邦咨詢表示,由于部分供應(yīng)商如美光(Micron)、SK海力士(SK hynix)已經(jīng)啟動DRAM減產(chǎn),相較第一季DRAM均價跌幅近20%,預(yù)估第二季跌幅會收斂至10~15%。不過,由于2023下半年需求復(fù)蘇狀況仍不明確,DRAM均價下行周期尚不見終止,在目前原廠庫存水位仍高的情況下,除非有更大規(guī)模的減產(chǎn)發(fā)生,后續(xù)合約價才有可能反轉(zhuǎn)。PC DRAM方面,由于買方已連續(xù)三季大減采購量,目前買方的PC DRAM庫存約9~13周,而PC DRAM原廠已進(jìn)行減產(chǎn),TrendForce集
          • 關(guān)鍵字: DRAM  止跌  TrendForce  

          DRAM市況何時回溫?存儲廠商這樣說

          • 當(dāng)前,由于消費電子市場需求持續(xù)疲弱,當(dāng)前存儲器賣方面臨庫存高企壓力,以DRAM和NAND Flash為主的存儲器產(chǎn)品價格持續(xù)下探。為避免存儲器產(chǎn)品再出現(xiàn)大幅跌價,多家供應(yīng)商已經(jīng)開始積極減產(chǎn),盡管2023年第一季價格跌幅將有所收斂,但集邦咨詢?nèi)灶A(yù)估當(dāng)季DRAM價格跌幅將達(dá)13~18%,NAND Flash均價跌幅為10~15%。對于第二季DRAM產(chǎn)業(yè)市況發(fā)展,近日,南亞科和華邦電給出了各自的看法。李培英:下半年市況將有所好轉(zhuǎn)南亞科總經(jīng)理李培英認(rèn)為,受高通貨膨脹與供應(yīng)鏈不順影響,今年上半年將是DRAM市況最差
          • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲  

          內(nèi)存雙雄:市況否極泰來

          • 華邦消費性電子應(yīng)用需求回溫本季是谷底;南亞科上半年跌幅收斂。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  
          共1823條 6/122 |‹ « 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 » ›|

          1β dram介紹

          您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條1β dram!
          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對1β dram的理解,并與今后在此搜索1β dram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

          熱門主題

          樹莓派    linux   
          關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
          Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
          備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();