1β dram 文章 進入1β dram技術社區(qū)
臺灣內存雙雄同時宣布暫緩擴產(chǎn)
- 臺灣最大兩家內存芯片生產(chǎn)商日前均表示，行業(yè)的下滑趨勢讓他們缺乏現(xiàn)金，維持將推遲原定的擴產(chǎn)計劃。 力晶半導體(Powerchip)不但是臺灣最大的動態(tài)隨機存儲芯片(DRAM)生產(chǎn)商，也是業(yè)內最積極興建新廠的廠商之一，但近日卻表示將把今年的資本投資額從新臺幣340億元(約11億美元)下調至240億元。與此同時，其對手南亞科技也預計今年的資本支出額會從原來預測的新臺幣300億元減少至230億元。 由于內存芯片價格持續(xù)下滑，兩家公司已經(jīng)連續(xù)五個季度錄得凈虧損。這種下滑趨勢對一些內存芯片
- 關鍵字： 內存 臺灣 Powerchip DRAM 南亞科技
虧損將導致廠商控制三季度DRAM內存供貨量
- 7月6消息，據(jù)臺灣地區(qū)DRAM內存廠商稱，由于全球大多數(shù)DRAM內存廠商推遲建設新的工廠或者推遲實施其它擴大生產(chǎn)能力的計劃，今年第三季度全球DRAM內存行業(yè)出貨量的增長率將受到限制。 DRAM內存價格下降引起的虧損使許多DRAM內存廠商暫停建設新的12英寸晶圓工廠，同時減少新的晶圓產(chǎn)量。臺灣地區(qū)的主要DRAM內存廠商包括南亞科技、力晶半導體、茂德科技和華亞科技。這些公司在2008年都要把內存出貨量的增長率控制在50%至60%。據(jù)介紹，華亞科技2007年內存出貨量的增長率是112%。力晶半導體20
- 關鍵字： DRAM 內存 晶圓
Spansion開發(fā)Spansion EcoRAM全新存儲產(chǎn)品
- Spansion宣布開發(fā)稱作Spansion EcoRAM的全新存儲產(chǎn)品計劃，旨在通過取代數(shù)據(jù)中心服務器中極其耗能的DRAM，來解決日益加劇的互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心能耗危機。配合同時宣布的Virident Systems公司新型GreenGateway技術，Spansion EcoRAM有助于使互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心服務器的能耗大幅下降75%，而且在同樣的能耗條件下，存儲容量為傳統(tǒng)純DRAM型服務器的四倍。 數(shù)據(jù)中心能源危機 能效專家及斯坦福大學顧問教授Jonathan Koomey博士最近的報告指出，數(shù)據(jù)中
- 關鍵字： 存儲 Spansion 數(shù)據(jù)中心 DRAM
Spansion助力互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心服務器降低能耗達75%
- 全球最大的純閃存解決方案供應商Spansion（NASDAQ：SPSN）今天宣布開發(fā)稱作Spansion® EcoRAM™的全新存儲產(chǎn)品計劃，旨在通過取代數(shù)據(jù)中心服務器中極其耗能的DRAM，來解決日益加劇的互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心能耗危機。配合同時宣布的Virident Systems公司新型GreenGateway技術，Spansion EcoRAM有助于使互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心服務器的能耗大幅下降75%，而且在同樣的能耗條件下，存儲容量為傳統(tǒng)純DRAM型服務器的四倍。 數(shù)據(jù)中心能源危機
- 關鍵字： Spansion 閃存 中心服務器 能耗 EcoRAM DRAM
半導體產(chǎn)業(yè)是否進入“無利潤繁榮”時代？
- 半導體產(chǎn)業(yè)是否進入了“無利潤繁榮”時代？半導體產(chǎn)業(yè)是否無法再獲得足夠的投資回報率來滿足空前高漲的產(chǎn)能需求？在美國加州HalfMoonBay舉行的“SEMI產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略座談會”（SEMIIndustryStrategySymposium）上，LamResearch總裁兼CEOStephenNewberry針對產(chǎn)業(yè)的狀態(tài)發(fā)表了觀點，并指出目前復雜的財務狀況用“無利潤繁榮”來描述是再合適不過的了。Newberry的講話被與會者評價為此次座談
- 關鍵字： 半導體 DRAM NAND NOR
手機拆機分析揭示移動存儲的未來
- NAND和mDRAM激增，NOR-less機型增多 手機內存內容是否正在發(fā)生根本性變化？ 在相對較短的時間內，隨著手機從商用工具發(fā)展成隨處可見的大眾通信工具，手機所使用的內存一直基于NOR閃存與SRAM的組合，最近是NOR閃存與pSRAM的組合。但是，這種內存配置正在面臨使用移動DRAM(mDRAM)和/或NAND閃存組合的方案的挑戰(zhàn)。 這種轉變的背后，是因為市場需要大容量、低成本數(shù)據(jù)存儲用于保存語音/音樂、照片和視頻，NAND最適于滿足這種需求。這些功能也需要手機RAM
- 關鍵字： 手機 NOR閃存 pSRAM DRAM NAND閃存 iSuppli
磁阻式隨機存儲器將挑戰(zhàn)閃存
- 磁阻式隨機存儲器（MRAM）將優(yōu)于快閃記憶體（Flash閃存）？飛思卡爾半導體正試圖證明這一點。 根據(jù)消息，飛思卡爾半導體（前摩托羅拉公司芯片部門）周一宣布，它已經(jīng)獲得了幾個風險投資公司的加入。據(jù)悉他們將聯(lián)合成立一家命名為Everspin科技的獨立技術公司，側重于研發(fā)制造MRAM（磁阻式隨機存儲器），其目的是為了“擴大MRAM及其相關產(chǎn)品的市場份額”。 MRAM與快閃記憶體不同，它使用了磁性材料與常規(guī)硅電路相結合記錄方式，在性能上MRAM具有接近SRAM的高
- 關鍵字： MRAM 快閃記憶體 Flash DRAM Everspin
1β dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條1β dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對1β dram的理解，并與今后在此搜索1β dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對1β dram的理解，并與今后在此搜索1β dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
1β dram相關帖子
1β dram資料下載
1β dram專欄文章
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473