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          Hynix預測:DRAM芯片市場將在二季度出現(xiàn)反彈

          •   全球第二大存儲芯片制造商、韓國Hynix半導體日前表示,預計到今年第二季度其主要業(yè)務——電腦存儲芯片市場將出現(xiàn)反彈。   在美國拉斯維加斯參加2008CES上,Hynix半導體公司首席執(zhí)行官KimJong-kap發(fā)表了上述觀點。   他稱,“此前,電腦儲存芯片市場一直處于低迷狀態(tài),持續(xù)了大約15個月。而新一輪的低迷態(tài)勢從今年一月份開始,預計這一狀態(tài)還將延續(xù)一段時間。我們認為從今年第二季度開始,存儲芯片市場將會陸續(xù)出現(xiàn)反彈?!?   在今年第三季度,Hynix半導體擁有全球DRAM芯片市場20%份額
          • 關鍵字: Hynix  DRAM  芯片  嵌入式  

          預測:DRAM芯片市場將在二季度出現(xiàn)反彈

          •   全球第二大存儲芯片制造商、韓國Hynix半導體日前表示,預計到今年第二季度其主要業(yè)務——電腦存儲芯片市場將出現(xiàn)反彈。   在美國拉斯維加斯參加2008CES上,Hynix半導體公司首席執(zhí)行官KimJong-kap發(fā)表了上述觀點。   他稱,“此前,電腦儲存芯片市場一直處于低迷狀態(tài),持續(xù)了大約15個月。而新一輪的低迷態(tài)勢從今年一月份開始,預計這一狀態(tài)還將延續(xù)一段時間。我們認為從今年第二季度開始,存儲芯片市場將會陸續(xù)出現(xiàn)反彈。”   在今年第三季度,Hynix半導體擁有全球DRAM芯片市場20%份額
          • 關鍵字: 芯片  DRAM  存儲  存儲器  

          2008年:中國半導體市場增長趨緩

          •   對于中國的半導體產業(yè)而言,2008年將是又一輪循環(huán)發(fā)展的新起點。這一年,既是中國的首個奧運年,也是全球第一塊集成電路(IC)誕生50周年。感知事業(yè)冷暖,預言市場趨勢,雖有著諸多不確定的變數(shù),但跟隨2007年半導體產業(yè)發(fā)展腳步,仍是有跡可循。   國際市場將回暖?   2007年,全球半導體產業(yè)繼續(xù)疲軟。   雖然2006年底和2007年初,國內外各大業(yè)內機構對2007年全球半導體市場都有一個相對樂觀的預測,普遍認為2007年度全球市場的增長率將在5%~10%之間,但根據(jù)世界半導體貿易統(tǒng)計組織(W
          • 關鍵字: 半導體  IC  DRAM  半導體材料  

          DRAM制造商將減少內存現(xiàn)貨供應 力爭穩(wěn)定價格

          •   【eNet硅谷動力消息】12月29日消息,來自中國臺灣DRAM制造商的消息來源稱,由于DRAM合約價格繼續(xù)下跌,DRAM制造商們打算縮減現(xiàn)貨市場的供應數(shù)量,以便穩(wěn)定內存市場的整體價格環(huán)境。此舉意在避免合約市場中DRAM價格的急劇下跌。   正如人們預期,DRAM合約價格一直在保持著下降趨勢。內存交易機構DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明,主流產品DDR2芯片合約價格持續(xù)下滑 10%。在12月下半月,512MB DDR2-667的收盤價格為0.88美元,而1GB芯片收盤價格是1.75美元。到12月2
          • 關鍵字: DRAM  

          2008:巨型晶圓廠初露鋒芒

          •   以DRAM和Flash為代表的存儲器平均銷售價格(ASP)自去年年初以來經歷了令人震驚的下滑。隨著現(xiàn)貨價格與合約價格不斷創(chuàng)下新低,價格壓力充斥著整個上一季度。由于價格走低,對于NAND閃存等存儲器的需求正在升溫。呈井噴之勢的預測數(shù)字顯示出我們當前正處在黎明前的黑暗階段,一個巨大而不斷增長的市場即將出現(xiàn)。某些預測顯示NAND閃存需求量將從2006年7,370億兆字節(jié)增長至2011年的33.5萬億兆字節(jié)。   大舉擴產NAND閃存   低價同時也推動了需求的增長,使得部分廠商出現(xiàn)供給不足。以東芝(To
          • 關鍵字: DRAM  Flash  三星  MCU和嵌入式微處理器  

          Gartner:明年全球芯片設備支出將下降10%

          •   市場研究公司Gartner周四發(fā)表聲明預計,由于電腦內存制造商減少投資,明年全球半導體設備市場的規(guī)模將縮小近10%。Gartner預計,明年全球芯片設備支出將從今年的448億美元下降至403億美元左右。   由全球用于生產微芯片的產品制造商組成的行業(yè)協(xié)會國際半導體設備材料產業(yè)協(xié)會(SEMI)本月初預計,2008年全球芯片設備的支出為410.5億美元,不過該協(xié)會估計2007年的芯片設備支出為417億美元,認為下降幅度小于上述的下降幅度。   Gartner分析師克勞斯在談到電腦中使用的DRAM(動態(tài)
          • 關鍵字: 芯片  半導體  DRAM  IC  制造制程  

          Gartner調整2007年10大芯片廠商排名

          •   市場調研公司Gartner的2007年10大芯片廠商排名略有不同。在該公司的排名榜中,預計英特爾(Intel)將再度稱雄全球芯片市場,其后依次是三星電子(Samsung)、德州儀器(TI)和意法半導體(ST)。   Gartner把英飛凌(Infineon)及其分拆出來的DRAM公司奇夢達(Qimonda)的銷售額算在一起。因此,按2007年全球銷售額計算,英飛凌排名第五。      在市場調研公司iSuppli最近公布的排名中,英飛凌排在第10,奇夢達位居第16,它沒有把這兩家公司的
          • 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機  英飛凌  DRAM  奇夢達  IC  制造制程  

          三星大舉清庫存 臺DRAM廠頓感晴天霹靂

          •   據(jù)臺灣媒體報道,近期傳出三星電子(SamsungElectronics)拋出降價營銷策略,幾乎打出半買半送的口號,要在今年底前出清繪圖存儲器庫存。對于臺灣DRAM廠來說,無異晴天霹靂,三星此舉將可能導致臺廠的繪圖存儲器滯銷,令臺系DRAM廠毫無招架之力。   幾個月來,一些DRAM廠都在賠錢走貨,狀況低迷,原賴以生存的繪圖存儲器市場被三星的半買半送策略一攪,近期遭受如此重創(chuàng),也算來了個措手不及。過去繪圖存儲器仍是高于標準型DRAM的毛利率,但現(xiàn)在恐怕又將出現(xiàn)虧損擴大的現(xiàn)象了。   臺DRAM廠表示
          • 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機  三星  DRAM  晶圓  MCU和嵌入式微處理器  

          Gartner:2007年全球半導體收入將增長3%

          •   市場調研機構Gartner日前發(fā)布了2007年全球半導體市場收入預測報告。報告顯示,2007年全球半導體市場收入同比去年增長2.9%,達到2730億美元。而且銷售收入排名前十位的廠商當中,兩家公司的收入增長保持兩位數(shù)增長,而另有兩家公司收入出現(xiàn)下滑。   Gartner負責市場調查業(yè)務的資深副總裁Andrew Norwood稱,“半導體廠商目前的經營狀況,與終端客戶的聯(lián)系更加緊密起來,因為當前半導體業(yè)界與消費者的支出模式有直接關系?!?   英特爾2007年的芯片銷售收入增長幅度超過了半導體市場平均
          • 關鍵字: 模擬技術  電源技術  半導體  芯片  DRAM  

          中芯國際今年仍盈利無望 赴內地上市存障礙

          •   中芯國際連年虧損,今年也不例外;該公司行政總裁張汝京表示,今年仍然可能無法實現(xiàn)盈利目標,但對集團整體展望仍是正面。   中芯第三季業(yè)績因DRAM價格走弱而虧損2,555萬美元,外電引述張汝京的話表示,若集團的DRAM業(yè)務能夠達到收支平衡,全年才有望獲得盈利。   集團早前預期今年DRAM業(yè)務將難有明顯改善。此外,張汝京表示,中芯仍計劃于內地上市,但目前仍存有許多障礙。   集團于上海的12英寸芯片生產線,昨日正式投產,初期投資4.5億美元,未來投資總額將增加至20億美元。張汝京表示,上海的生產線
          • 關鍵字: 消費電子  中芯國際  DRAM  芯片  消費電子  

          分割DRAM虧損部門 矽統(tǒng)裁員不裁錢

          •   據(jù)臺灣媒體報道,芯片大廠矽統(tǒng)也將步威盛步伐,進行重整計劃,上月爆出消息,矽統(tǒng)將虧損關鍵DRAM模塊部門分割獨立為子公司昱聯(lián)科技外,近期傳出,矽統(tǒng)將大舉進行裁員。矽統(tǒng)表示,由于DRAM跌價重創(chuàng),前三季都大虧,為改善這一局面,矽統(tǒng)將進行規(guī)模重整,調整營運步伐,進行有效裁員,期望至明年上半年慢慢回升績效,至明年下半年,可望營收回升,整體回暖。   威盛和矽統(tǒng)都曾是英特爾的勁敵,帶給英特爾極大的威脅,但由于一些技術上以及專利方面的原因,以及全球大氣候的影響,慢慢被強勁的對手比拼,聲勢日漸低落,即使全力一搏,
          • 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機  DRAM  芯片  矽統(tǒng)  模擬IC  電源  

          DRAM市場基礎繼續(xù)惡化 預計08年資本開支下滑超過30%

          •   Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示,“根據(jù)三星日前的報告,我們分析2008年上半年DRAM內存市場基礎繼續(xù)惡化,大多數(shù)DRAM供應商,尤其韓國之外的廠商2008年資本開支出現(xiàn)大幅削減?!?   預計2008年,DRAM領域的資本開支將下滑超過30%,原來預計下降20%。這將導致總體內存資本開支減少10-12%。   在DRAM市場經歷了漫長的低迷之后,該市場仍然存在嚴重的供過于求情況?!斑@主要由于按容量計
          • 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機  DRAM  三星  NAND  EDA  IC設計  

          第三季度NAND閃存銷售額增長37%,達42億美元

          •   市場調研公司iSuppli日前在聲明中表示,第三季度NAND閃存半導體全球銷售額增長37%,達到42億美元。但iSuppli指出,在包括蘋果iPod在內的消費電子產品需求刺激下的連續(xù)增長勢頭,本季度可能結束。由于產量增長速度快于需求,本季度NAND的平均銷售價格將下降18%。   韓國海力士半導體第三季度增長最快,其NAND銷售額比第二季度大增79%,達到8.06億美元。它的市場份額是19%,在當季全球排名第三。最大的NAND閃存供應商三星電子,市場份額從第二季度的45%降至40%,它出貨的閃存數(shù)量
          • 關鍵字: NAND  閃存  DRAM  存儲器  

          NEC電子開發(fā)出40納米DRAM混載系統(tǒng)LSI 混載工藝技術

          •   NEC電子近日完成了兩種線寬40納米的DRAM混載系統(tǒng)LSI工藝技術的開發(fā),使用該工藝可以生產最大可集成256MbitDRAM的系統(tǒng)LSI。40nm工藝技術比新一代45nm半導體配線工藝更加微細,被稱為45nm的下一代產品。此次,NEC電子推出的工藝中,一種為低工作功耗的“UX8GD”工藝,它可使邏輯部分的處理速度最快達到800MHz,同時保持低功耗;另一種為低漏電流的“UX8LD”工藝,它的功耗約為內嵌同等容量SRAM的1/3左右。   UX8GD和 UX8LD 是在線寬從55nm縮小至40nm的
          • 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機  NEC  DRAM  LSI  

          供應過剩 NAND及DRAM行情短期進一步惡化

          •   美國iSuppli調研結果顯示,由于供應過剩與價格暴跌,DRAM及NAND閃存行情將在短期內進一步惡化。   NAND閃存方面,預計512M產品全球平均單價(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價在第二季度、第三季度均比上季度有所提高,分別為6%與8.4%。但是在第四季度,隨著價格下跌,行情出現(xiàn)惡化,短期內很難恢復。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示,此次價格下跌的主要原因韓國內存廠商將生產能力從DRAM轉移至NAND閃存,從而導
          • 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機  NAND  DRAM  閃存  MCU和嵌入式微處理器  
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