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國(guó)內(nèi)芯片廠商砸180億造內(nèi)存 不再看國(guó)外臉色！
- 去年雙11時(shí)，一條8G DDR4 2400hz的內(nèi)存僅在300元左右，轉(zhuǎn)眼1年過去了，價(jià)格已經(jīng)飆升至900元，也就是說兩條8GB的內(nèi)存足以購(gòu)買一塊中端顯卡了，這樣的價(jià)格很多年沒有看到過了，也導(dǎo)致了許多想更換內(nèi)存的朋友望而生畏。 其實(shí)內(nèi)存主要上漲的原因就是內(nèi)存的上游原料DRAM顆粒在近1年以來瘋狂的上漲，其漲幅到達(dá)了111%，原材料的上漲導(dǎo)致內(nèi)存成本飆升。另一方面由于2016年時(shí)電腦市場(chǎng)內(nèi)存飽和，許多DRAM顆粒制作廠商紛紛把銷售方向轉(zhuǎn)向了手機(jī)，因?yàn)槭謾C(jī)在不斷的推出新產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 芯片 DRAM
三星考慮明年擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能，恐改變目前供給緊俏格局
- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，由于DRAM廠近兩年來產(chǎn)能擴(kuò)張幅度有限，加上制程轉(zhuǎn)換的難度，DRAM供給成長(zhǎng)明顯較往年放緩，配合著下半年終端市場(chǎng)消費(fèi)旺季的推波助瀾，DRAM合約價(jià)自2016年中開啟漲價(jià)序幕。然而，三星傳出在考慮提高競(jìng)爭(zhēng)者進(jìn)入門檻的情況下，可能將擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能，恐將改變DRAM供給緊俏格局。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，以主流標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存模組(DDR4 4GB)合約價(jià)為例，從去年中開始起漲，由當(dāng)時(shí)的DDR4 4GB 13美元均價(jià)拉升至今年
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
全球2018年DRAM產(chǎn)業(yè)預(yù)估預(yù)測(cè)
- 本文介紹了2017年DRAM市場(chǎng)狀況，并對(duì)2018年的DRAM市場(chǎng)進(jìn)行了分析預(yù)測(cè)。2018年預(yù)計(jì)僅增長(zhǎng)19.6%，無大規(guī)模增產(chǎn)計(jì)劃下，供給將延續(xù)吃緊走勢(shì)。
- 關(guān)鍵字： DRAM 市場(chǎng) 預(yù)測(cè) 201711
IC Insights：全球半導(dǎo)體2017年上調(diào)市場(chǎng)預(yù)測(cè)提升至22％
- 據(jù)IC Insights預(yù)測(cè)，2017年的IC市場(chǎng)增長(zhǎng)率有望提高到22%，較今年年中預(yù)期的16%再提升6個(gè)百分點(diǎn)，出貨量增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場(chǎng)預(yù)測(cè)是由于DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的激增。 此外，IC Insights同時(shí)調(diào)稿對(duì)O-S-D(光電子，傳感器/執(zhí)行器和分立器件)市場(chǎng)的預(yù)測(cè)?？傮w而言，2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體預(yù)計(jì)增長(zhǎng)達(dá)20%，比年中預(yù)期調(diào)高5個(gè)百分點(diǎn)。 2017年，IC Insights預(yù)測(cè)DRAM的平均售價(jià)將大漲77%，預(yù)計(jì)今年將推動(dòng)DRAM
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
2018年三大DRAM廠擴(kuò)產(chǎn)有限，整體價(jià)格漲勢(shì)依舊
- 近期，DRAM 價(jià)格持續(xù)大漲使許多廠商吃不消，陸續(xù)調(diào)漲產(chǎn)品價(jià)格，消費(fèi)者也抱怨連連。這波漲勢(shì)何時(shí)停止，目前看來短期幾乎不可能，只能期望價(jià)格不要一次漲太多就已萬幸了。 集邦科技旗下 DRAMeXchange 最新調(diào)查報(bào)告指出，進(jìn)入第 4 季后，三星、SK 海力士、美光這三大 DRAM 顆粒廠商都基本規(guī)劃好 2018 年的發(fā)展。由于資本支出都趨保守，意味著大規(guī)模產(chǎn)能擴(kuò)張已不可能，甚至制程技術(shù)前進(jìn)的腳步也會(huì)緩下來。DRAM 大廠在 2018 年的首要目標(biāo)，就是獲得持續(xù)且穩(wěn)定的利潤(rùn)，價(jià)格至少維持 2017
- 關(guān)鍵字： DRAM 晶圓
淺談存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)的未來發(fā)展趨勢(shì)
- 淺談存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)的未來發(fā)展趨勢(shì)-對(duì)存儲(chǔ)器帶寬的追求成為系統(tǒng)設(shè)計(jì)最突出的主題。SoC設(shè)計(jì)人員無論是使用ASIC還是FPGA技術(shù)，其思考的核心都是必須規(guī)劃、設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須清楚的理解存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)流模式，以及芯片設(shè)計(jì)人員建立的端口。即使是存儲(chǔ)器供應(yīng)商也面臨DDR的退出，要理解系統(tǒng)行為，以便找到持續(xù)發(fā)展的新方法。
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 SOC DRAM
觀存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)：DRAM報(bào)價(jià)仍有上漲空間 NAND持續(xù)穩(wěn)定成長(zhǎng)
- 去年我們?cè)?jīng)對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)進(jìn)行分析，認(rèn)為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)在2016～2017年是恢復(fù)秩序且有機(jī)會(huì)成長(zhǎng)的產(chǎn)業(yè)，時(shí)至今日，雖然存儲(chǔ)器大廠持續(xù)邁向新制程發(fā)展，但由于市場(chǎng)寡占，主要大廠對(duì)于新產(chǎn)能擴(kuò)充仍相當(dāng)自律，加上電子化產(chǎn)品對(duì)于存儲(chǔ)器的需求持續(xù)提升，因此在這1年間，存儲(chǔ)器變成了洛陽紙貴的零組件。 尤其到了第3季旺季，存儲(chǔ)器需求更是熱絡(luò)，報(bào)價(jià)持續(xù)走揚(yáng)，預(yù)期2017年對(duì)于存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)來說將是豐收的1年，受惠智能手機(jī)存儲(chǔ)器容量升級(jí)，服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心的強(qiáng)勁需求，2018年存儲(chǔ)器需求亦可望持續(xù)成長(zhǎng)。 從需求部分來看，
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM
Gartner：2017全球半導(dǎo)體產(chǎn)值預(yù)計(jì)大漲19.7％
- 研調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner預(yù)估，今年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值可望達(dá)4111億美元，將較去年成長(zhǎng)19.7%，是7年來成長(zhǎng)最強(qiáng)勁的一年。 Gartner指出，存儲(chǔ)器供不應(yīng)求，尤其是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)，是驅(qū)動(dòng)今年整體半導(dǎo)體業(yè)產(chǎn)值成長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿ΑｋS著存儲(chǔ)器成本增加，材料清單成本高于電子設(shè)備部分，Gartner表示，已有代工廠調(diào)高價(jià)格因應(yīng)。 展望未來，Gartner預(yù)期，明年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值可望進(jìn)一步攀高至4274億美元，將較今年再成長(zhǎng)4%;只是隨著供應(yīng)商增產(chǎn)，存儲(chǔ)器市場(chǎng)恐將反轉(zhuǎn)，2019年全球半導(dǎo)體產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM
LPDDR價(jià)格飆漲 2018年8GRAM依然供不應(yīng)求
- 據(jù)外媒報(bào)道，DRAMeXchange的最新報(bào)告指出，用于移動(dòng)設(shè)備的LPDDR DRAM協(xié)議價(jià)在今年第四季度將上漲10%～15%。 此前，LPDDR的價(jià)格是低于PC、服務(wù)器等平臺(tái)的，但這些年需求越來越猛，生產(chǎn)企業(yè)們也開始打起高利潤(rùn)的主意。所以，不排除一些已經(jīng)發(fā)布的千元機(jī)和尚未發(fā)布的千元機(jī)會(huì)在其售價(jià)上做出調(diào)整的可能。而旗艦機(jī)方面，因?yàn)楸旧砭彌_空間較大，暫時(shí)不會(huì)受到?jīng)_擊。 因?yàn)镈RAM在整個(gè)2018年的產(chǎn)能依然都弱于需求，預(yù)計(jì)安卓?jī)?nèi)存的軍備競(jìng)賽會(huì)暫時(shí)停留在8GB，甚至像三星、華為等依然維持6GB
- 關(guān)鍵字： LPDDR DRAM
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