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傳日本硅晶圓廠下砍大陸訂單 優(yōu)先供貨臺/美/日半導(dǎo)體大廠
- 全球硅晶圓缺貨嚴(yán)重，已成為半導(dǎo)體廠營運(yùn)成長瓶頸，后續(xù)恐將演變成國家級的戰(zhàn)火，半導(dǎo)體業(yè)者透露，日本硅晶圓大廠Sumco決定出手下砍大陸NOR Flash廠武漢新芯的硅晶圓訂單，優(yōu)先供貨給臺積電、英特爾(Intel)、美光(Micron)等大廠，不僅加重NOR Flash短缺情況，日系供應(yīng)商供貨明顯偏向臺、美、日廠，恐讓大陸半導(dǎo)體發(fā)展陷入硅晶圓不足困境。 硅晶圓已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵物資，過去10年來硅晶圓產(chǎn)能都是處于供過于求狀態(tài)，如今硅晶圓卻面臨缺貨，且已缺到影響半導(dǎo)體廠生產(chǎn)線運(yùn)作，尤其是12吋規(guī)
- 關(guān)鍵字： 晶圓 DRAM
高盛:DRAM漲勢將趨冷明年轉(zhuǎn)跌
- 據(jù)外電報道，高盛判斷，DRAM價格漲勢可能在未來幾季降溫， 2018年價格也許會轉(zhuǎn)跌，決定調(diào)降內(nèi)存大廠美光評等。 巴倫周刊8日報導(dǎo)，高盛的Mark Delaney報告表示，過去四個季度以來，DRAM毛利不斷提高。 過往經(jīng)驗顯示，DRAM榮景通常持續(xù)四到九季，此一趨勢代表DRAM多頭循環(huán)已經(jīng)來到中后段。 業(yè)界整合使得本次價格高點，比以往更高。 Delaney強(qiáng)調(diào)，和DRAM業(yè)界人士談話發(fā)現(xiàn)，DRAM現(xiàn)貨價的成長動能放緩，價格似乎觸頂或略為下滑。 NAND情況較不嚴(yán)重;產(chǎn)業(yè)人士表示，NAND價
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
后PC時代 移動型DRAM成市場主力
- 三星挾帶存儲器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢，本季營收可望超越英特爾而榮登半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)王座，證明了后PC時代的到來，隨著移動產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車產(chǎn)業(yè)興起，讓原先并未擴(kuò)產(chǎn)的存儲器產(chǎn)業(yè)成為炙手可熱的領(lǐng)域，也使得三星更加壯大。 三星本次挾帶自家DRAM及NANDFlash報價急速攀升的氣勢，半導(dǎo)體制造事業(yè)可望躍居產(chǎn)業(yè)龍頭，原因正是DRAM及NANDFlash都受惠于智能手機(jī)搭載需求倍增，在制程轉(zhuǎn)換及產(chǎn)能已數(shù)年未擴(kuò)充等因素作用下，帶動存儲器報價上漲。 從DRAM角度來看，存儲器原廠中，有能力大量產(chǎn)出晶圓的僅有三星、
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三星投26億擴(kuò)展Line 17工廠10nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)能
- 三星上月底發(fā)布了2017年Q1季度財報,營收只增加1.5%的情況下凈利潤大增46%,其中貢獻(xiàn)最多的就是閃存芯片部門,也就是DRAM內(nèi)存和NAND閃存。時至今日,DRAM、NAND閃存缺貨、漲價的情況都沒有緩解,現(xiàn)在還是供不應(yīng)求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投資力度提升產(chǎn)能,其中三星也要斥資26.4億美元擴(kuò)產(chǎn)Line 17工廠,下半年加速10nm級DRAM內(nèi)存生產(chǎn)。 三星前不久才宣布了全球最大的半導(dǎo)體工廠平澤工廠竣工,那個是針對NAND閃存的,主力產(chǎn)品將是64層堆棧的3D NAN
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
新興內(nèi)存百家爭鳴 商品化腳步穩(wěn)健向前
- 內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產(chǎn)品。 不過，由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù)，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數(shù)相對有限的先天限制，因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu)，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性。 根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存，都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不
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2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐
- 2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐。據(jù)IHSMarkit所搜集的數(shù)據(jù)顯示，2016年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的營收成長2%，而前十大半導(dǎo)體業(yè)者的營收則成長2.3%，優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平。以個別產(chǎn)品類型來看，DRAM與NANDFlash是2016年營收成長動能最強(qiáng)的產(chǎn)品，成長幅度超過30%;車用半導(dǎo)體的市場規(guī)模也比2015年成長9.7%。 IHS預(yù)期，由于市場需求強(qiáng)勁，2017年內(nèi)存市場的營收規(guī)?？赏賱?chuàng)新高，車用半導(dǎo)體市場的規(guī)模則有機(jī)會成長超過10%。整體來說，2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的表現(xiàn)將出現(xiàn)穩(wěn)健成長。
- 關(guān)鍵字： DRAM NANDFlash
微軟與Rambus合作研發(fā)超低溫DRAM存儲系統(tǒng)
- 量子計算機(jī)如今已經(jīng)成為科技巨頭們爭奪的新高地，IBM、谷歌都涉獵其中。 現(xiàn)在，微軟也要在量子計算領(lǐng)域發(fā)揮能量了。 半導(dǎo)體技術(shù)公司Rambus最新宣布已經(jīng)與微軟達(dá)成合作，雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行的DRAM系統(tǒng)，為未來的量子計算機(jī)服務(wù)。 Rambus研究所副總裁Gary Bronner介紹稱，與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統(tǒng)的容量和運(yùn)算效率，并且降低功耗。 同時，高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導(dǎo)環(huán)境中有效運(yùn)行，從而確保整個存儲系統(tǒng)
- 關(guān)鍵字： 微軟 DRAM
力晶：大陸DRAM做不起來 5G時代存儲器會長缺
- 力晶創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長黃崇仁表示，大陸扶植半導(dǎo)體以為撒錢就可以，但未來用補(bǔ)助研發(fā)費(fèi)用來扶植新廠的策略很難再延續(xù)，必須要有技術(shù)在手才行，但現(xiàn)在美系存儲器大廠美光(Micron)已經(jīng)盯上大陸3家存儲器，包括紫光長江存儲、合肥長鑫和聯(lián)電的福建晉華，預(yù)計進(jìn)入大陸DRAM產(chǎn)業(yè)的腳步會放緩，配合韓國2018年冬季奧運(yùn)率先展示5G技術(shù)，未來DRAM是長期缺貨的走勢! 黃崇仁進(jìn)一步表示，全球DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)5年沒有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對10納米晶圓代工和NAND F
- 關(guān)鍵字： DRAM 5G
力晶：大陸DRAM做不起來 5G時代存儲器會長缺
- 力晶創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長黃崇仁表示，大陸扶植半導(dǎo)體以為撒錢就可以，但未來用補(bǔ)助研發(fā)費(fèi)用來扶植新廠的策略很難再延續(xù)，必須要有技術(shù)在手才行，但現(xiàn)在美系存儲器大廠美光(Micron)已經(jīng)盯上大陸3家存儲器，包括紫光長江存儲、合肥長鑫和聯(lián)電的福建晉華，預(yù)計進(jìn)入大陸DRAM產(chǎn)業(yè)的腳步會放緩，配合韓國2018年冬季奧運(yùn)率先展示5G技術(shù)，未來DRAM是長期缺貨的走勢! 黃崇仁進(jìn)一步表示，全球DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)5年沒有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對10納米晶圓代工和NAND F
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三星制定DRAM發(fā)展藍(lán)圖 15納米是制程微縮極限
- 三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè)，制定 DRAM 發(fā)展藍(lán)圖，擘劃制程微縮進(jìn)度。業(yè)界預(yù)估，15 納米可能是 DRAM 制程微縮的極限，擔(dān)憂三星遭中國業(yè)者追上。 韓媒 etnews 18 日報導(dǎo)，業(yè)界消息稱，三星去年開始量產(chǎn) 18 納米 DRAM，目前正研發(fā) 17 納米 DRAM，預(yù)定今年底完成開發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時，三星也成立 16 納米 DRAM 開發(fā)小組，目標(biāo)最快 2020 年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露，微縮難度高，2020 年量產(chǎn)時間可能延后。 三星從 20 納米制程(28→25&rar
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韓媒曝三星DRAM發(fā)展藍(lán)圖、15nm是制程微縮極限？
- 三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè)，制定DRAM發(fā)展藍(lán)圖，擘劃制程微縮進(jìn)度。業(yè)界預(yù)估，15納米可能是DRAM制程微縮的極限，擔(dān)憂三星遭中國業(yè)者追上。 韓媒etnews 18日報導(dǎo)，業(yè)界消息稱，三星去年開始量產(chǎn)18納米DRAM，目前正研發(fā)17納米DRAM，預(yù)定今年底完成開發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時，三星也成立16納米DRAM開發(fā)小組，目標(biāo)最快2020年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露，微縮難度高，2020年量產(chǎn)時間可能延后。 三星從20納米制程(28→25→20)，轉(zhuǎn)進(jìn)10納米制程(18&rarr
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DDR4將首度超越DDR3 2017年占整體DRAM58%
- 第四代高速DRAM存儲器DDR4自2014年上市以來，銷售額在整體DRAM存儲器總銷售額中的占比不斷成長。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(ASP)跌至約與DDR3相同，當(dāng)年DDR4銷售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。 調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)估，隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86 Core系列處理器等都開始向DDR4存儲器靠攏，預(yù)計2017年全球DDR4銷售額占比將會揚(yáng)升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結(jié)過去6年DDR3占比持續(xù)維持第
- 關(guān)鍵字： DDR4 DRAM
機(jī)構(gòu):DRAM與NAND FLASH價格下半年將下降
- Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會開始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn)，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價格會在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個相對低點。 Gartner 表示，自 2016 年中期以來，隨著 NAND Flash 的漲價，SSD 的每字節(jié)的成本也出現(xiàn)了驚人上漲。 不過，這種上漲趨勢將在本季達(dá)到頂峰。 其原因在于中國廠商大量投入生產(chǎn)的結(jié)果，在產(chǎn)能陸續(xù)開出后，市場價格就一反過去的漲勢，開始出現(xiàn)下跌的情況。 Gart
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