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DRAM戰(zhàn)國時(shí)代 長江存儲、聯(lián)電、合肥長芯三大勢力將對決
- 近期大陸三股勢力正如火如荼點(diǎn)燃DRAM主導(dǎo)權(quán)大戰(zhàn)，長江存儲傳已評估到南京設(shè)立12寸廠，聯(lián)電大陸DRAM廠福建晉華計(jì)劃2018年量產(chǎn)，并在南科廠同步研發(fā)25、30nm制程，至于合肥市與北京兆易創(chuàng)新(GigaDevice)合作的合肥長芯，由前中芯國際執(zhí)行長王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰(zhàn)2018年，搶當(dāng)大陸DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭。 盡管大陸布局自制3D NAND Flash雛形漸現(xiàn)，長江存儲將與已并購飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作，切入32層和64層3D NAND技術(shù)，由
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SK海力士：10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)
- 據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達(dá)全部DRAM的40%;10納米級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕?biāo)訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴(kuò)大3D NAND的生產(chǎn)比重。 SK海力士DRAM技術(shù)本部長金進(jìn)國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4，公司
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SK海力士：10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)
- 據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達(dá)全部DRAM的40%;10納米級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕?biāo)訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴(kuò)大3D NAND的生產(chǎn)比重。 SK海力士DRAM技術(shù)本部長金進(jìn)國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4，公司
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賽普拉斯率先推出采用低引腳數(shù)MCP封裝的串行存儲器解決方案，實(shí)現(xiàn)汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的瞬時(shí)啟動
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司今日宣布其一款用于支持瞬時(shí)啟動應(yīng)用的全新小尺寸存儲器解決方案已驗(yàn)證成功。賽普拉斯 HyperFlash和HyperRAM 多芯片封裝(MCP)解決方案在8mm x 6mm的空間內(nèi)集成了賽普拉斯的3V 512M HyperFlash™和64M HyperRAM™存儲器。該方案在一個(gè)低引腳數(shù)封裝內(nèi)結(jié)合了用于實(shí)現(xiàn)快速啟動和隨開隨用高速NOR閃存，和用于擴(kuò)展便箋式存儲器的自刷新DRAM ，特別適合空間受限和成本優(yōu)化的嵌入式 設(shè)計(jì)。 該解決方案可用于廣泛的應(yīng)用類別，包括
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三星2Q'17起或?qū)⑷娌?0納米制程生產(chǎn)移動DRAM
- 三星電子(Samsung Electronics)被預(yù)估自2017年第2季開始，將全面采用20納米或以下的制程技術(shù)生產(chǎn)所有移動DRAM產(chǎn)品，意謂2017年第2季以后三星也將停止采用25納米制程技術(shù)生產(chǎn)移動DRAM芯片，由此顯示出三星在制程技術(shù)上的加速演進(jìn)。 韓聯(lián)社等外媒報(bào)導(dǎo)，根據(jù)市場研究公司DRAMeXchange指出，據(jù)信在2016年第4季三星生產(chǎn)的移動DRAM芯片中，約94%已開始采用20納米或以下納米制程技術(shù)生產(chǎn)。 到目前三星移動DRAM芯片采20納米制程生產(chǎn)比重為82%、18納米為
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TrendForce：十月DRAM價(jià)格月漲逾20%，4GB模組均價(jià)來到17.5美元
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，DRAM原廠與一線的PC-OEM(代工)大廠敲定第四季度的合約價(jià)格，4GB模組均價(jià)來到17.5美元，較上月的14.5美元上漲逾20%;現(xiàn)貨市場也依然維持強(qiáng)勁的上升格局，DDR3/4 4Gb價(jià)格分別來到2.46/2.48美元，較上月同期比較已上漲17%與24%，顯見市場對于后市上漲仍將持續(xù)保持樂觀的態(tài)度。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，觀察市場面，由于原廠產(chǎn)能陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)行動式內(nèi)存與服務(wù)器內(nèi)存后，
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韓國成立半導(dǎo)體希望基金鎖定存儲器研發(fā)
- 南韓沖刺半導(dǎo)體業(yè)組成國家隊(duì)，由當(dāng)?shù)厍皟纱髲S三星電子和SK海力士領(lǐng)軍，籌組總規(guī)模2,000億韓元的“半導(dǎo)體希望基金”，投資具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽?dǎo)體相關(guān)企業(yè)。 三星、SK海力士是全球前兩大存儲器芯片商，單是DRAM領(lǐng)域，兩大廠市占率總和超過七成，具有絕對制價(jià)與技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，兩大廠領(lǐng)軍籌組南韓“半導(dǎo)體希望基金”，預(yù)料以存儲器相關(guān)業(yè)務(wù)為優(yōu)先，臺灣南亞科、華邦電等存儲器芯片廠，以及正在興起的大陸存儲器產(chǎn)業(yè)，短線將面臨更大壓力。 業(yè)界人士分析，此次南韓的&ld
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傳三星 DRAM 明年邁 15 納米
- 三星電子智能手機(jī)吃悶棍，力拼內(nèi)存事業(yè)救業(yè)績!據(jù)傳三星為了穩(wěn)固龍頭地位，將在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM，對手 SK 海力士(SK Hynix)和美光(Micron)遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后，技術(shù)差距約為一年半。 BusinessKorea 31 日報(bào)導(dǎo)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)透露，三星內(nèi)存部門今年初量產(chǎn) 18 納米制程 DRAM，準(zhǔn)備在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM。同時(shí)，該公司將拉高 18 納米 DRAM 占整體 DRAM 的生產(chǎn)比重，目標(biāo)明年下半提高至 30~40%。相關(guān)人士說，明年三星 10 納
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手機(jī)DRAM有漏洞，黑客可竊取手機(jī)最高權(quán)限
- 阿姆斯特丹自由大學(xué)(Vrije Universiteit Amsterdam)的漏洞安全實(shí)驗(yàn)室VUSec Lab本周揭露了一個(gè)可能影響所有智能手機(jī)的安全漏洞，此一漏洞并非存在于移動平臺或程式上，而是藏匿在手機(jī)所使用的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)中，將允許駭客取得手機(jī)的最高權(quán)限。雖然研究人員是以Android手機(jī)進(jìn)行測試，但理論上該漏洞也會影響iPhone或基于其他平臺的手機(jī)。 研究人員利用的是已知的Rowhammer硬體漏洞，并打造Drammer軟體來執(zhí)行攻擊，發(fā)現(xiàn)包括LG、Motorola、
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存儲器價(jià)格回溫 2016年IC市場可望成長1%
- 市場研究機(jī)構(gòu)IC Insights的最新報(bào)告將對2016年全球半導(dǎo)體市場營收的成長率預(yù)測，由原先的-2%提升為1%;此外該機(jī)構(gòu)預(yù)測，2016年全球IC出貨量成長率將在4~6%之間。IC Insights調(diào)升半導(dǎo)體市場成長率的很大一部分原因，來自于DRAM市場的強(qiáng)勁表現(xiàn)。 IC Insights指出，自2002年以來，全球IC市場在第三季平均季成長率為8%，但去年第三季市場成長率僅成長約1%左右;2016年第三季的IC市場成長率則出現(xiàn)了略為高于過去十五年平均值的9%。此外該機(jī)構(gòu)預(yù)期，2016年第四
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SMIC擴(kuò)產(chǎn)利好，DRAM推高2016半導(dǎo)體增長預(yù)測
- 據(jù)ICInsight的最新預(yù)測，2016年全球半導(dǎo)體業(yè)的增長率將是1%，之前的預(yù)測為下降2%。它的最新預(yù)測為2016年增長1%，及2017年增長4%，而2016年IC unit(出貨量)由之前預(yù)測增加4%，上升至6%。 IC Insight修正預(yù)測的原因是DRAM的價(jià)格將止跌回升。如DDR3 4Gb的價(jià)格由2014.10月的32.75美元，下降到2016.6月的12.5美元，幅度達(dá)62%。如今由于智能手機(jī)及PC對于DRAM的容量需求上升，導(dǎo)致市場缺貨，價(jià)格止跌回升。三星等又重新開始擴(kuò)大投資，增加
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手機(jī)DRAM將增至8GB！三星供貨、料用于明年S8
- 行動裝置的記憶體不斷擴(kuò)大!三星電子宣布，智慧機(jī)將進(jìn)入8GB DRAM年代，該公司已經(jīng)開始生產(chǎn)，外界預(yù)料將用于明年初問世的Galaxy S8。 韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星電子20日發(fā)布業(yè)界首見的8GB行動DRAM。新晶片采用10 奈米制程，由四個(gè)16Gb的LPDDR4 晶片組成。三星執(zhí)行副總Joo Sun Choi表示，8GB行動DRAM的到來，可讓次世代旗艦機(jī)的功能更上一層樓。 目前智慧機(jī)行動DRAM最大為6GB，記憶體加大可滿足雙鏡頭、4K螢?zāi)?、虛擬實(shí)境(VR)等的需求。三星并宣稱，新品效能與當(dāng)前
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Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局
- 半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術(shù)，進(jìn)而顛覆全球DRAM市場。VLT存儲單元在2015年已通過驗(yàn)證，目前一款新的完整存儲器測試芯片正處于早期測試階段。Kilopass一直致力于推廣這項(xiàng)技術(shù)，并正與DRAM制造商進(jìn)行許可協(xié)商。 “Kilopass以一次性可編程(OTP)存儲器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者而聞名，我
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VLT技術(shù) 或?qū)㈩嵏睤RAM產(chǎn)業(yè)格局
- 10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術(shù)，簡稱VLT技術(shù)。據(jù)Kilopass首席執(zhí)行官Charlie Cheng稱，該技術(shù)集低成本、低功耗、高效率、易制造等諸多優(yōu)點(diǎn)于一身，有可能顛覆目前的DRAM產(chǎn)業(yè)格局。 最適用于云計(jì)算/服務(wù)器市場的DRAM技術(shù) Charlie Cheng指出，DRAM整體市場較為穩(wěn)定，未來隨著PC、手機(jī)等方面的市場需求萎縮，新的增長點(diǎn)將出現(xiàn)在云計(jì)算/服務(wù)器等市場領(lǐng)域。然而當(dāng)前
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