南韓沖刺半導體業(yè)組成國家隊，由當?shù)厍皟纱髲S三星電子和SK海力士領軍，籌組總規(guī)模2,000億韓元的“半導體希望基金”，投資具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽w相關企業(yè)。
三星、SK海力士是全球前兩大存儲器芯片商，單是DRAM領域，兩大廠市占率總和超過七成，具有絕對制價與技術領先優(yōu)勢，兩大廠領軍籌組南韓“半導體希望基金”，預料以存儲器相關業(yè)務為優(yōu)先，臺灣南亞科、華邦電等存儲器芯片廠，以及正在興起的大陸存儲器產業(yè)，短線將面臨更大壓力。
業(yè)界人士分析，此次南韓的&ld
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半導體 DRAM
三星電子智能手機吃悶棍，力拼內存事業(yè)救業(yè)績!據(jù)傳三星為了穩(wěn)固龍頭地位，將在明年下半生產 15、16 納米 DRAM，對手 SK 海力士(SK Hynix)和美光(Micron)遠遠落后，技術差距約為一年半。
BusinessKorea 31 日報導，半導體產業(yè)透露，三星內存部門今年初量產 18 納米制程 DRAM，準備在明年下半生產 15、16 納米 DRAM。同時，該公司將拉高 18 納米 DRAM 占整體 DRAM 的生產比重，目標明年下半提高至 30~40%。相關人士說，明年三星 10 納
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三星 DRAM
阿姆斯特丹自由大學(Vrije Universiteit Amsterdam)的漏洞安全實驗室VUSec Lab本周揭露了一個可能影響所有智能手機的安全漏洞，此一漏洞并非存在于移動平臺或程式上，而是藏匿在手機所使用的動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)中，將允許駭客取得手機的最高權限。雖然研究人員是以Android手機進行測試，但理論上該漏洞也會影響iPhone或基于其他平臺的手機。
研究人員利用的是已知的Rowhammer硬體漏洞，并打造Drammer軟體來執(zhí)行攻擊，發(fā)現(xiàn)包括LG、Motorola、
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DRAM ARM
市場研究機構IC Insights的最新報告將對2016年全球半導體市場營收的成長率預測，由原先的-2%提升為1%;此外該機構預測，2016年全球IC出貨量成長率將在4~6%之間。IC Insights調升半導體市場成長率的很大一部分原因，來自于DRAM市場的強勁表現(xiàn)。
IC Insights指出，自2002年以來，全球IC市場在第三季平均季成長率為8%，但去年第三季市場成長率僅成長約1%左右;2016年第三季的IC市場成長率則出現(xiàn)了略為高于過去十五年平均值的9%。此外該機構預期，2016年第四
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存儲器 DRAM
據(jù)ICInsight的最新預測，2016年全球半導體業(yè)的增長率將是1%，之前的預測為下降2%。它的最新預測為2016年增長1%，及2017年增長4%，而2016年IC unit(出貨量)由之前預測增加4%，上升至6%。
IC Insight修正預測的原因是DRAM的價格將止跌回升。如DDR3 4Gb的價格由2014.10月的32.75美元，下降到2016.6月的12.5美元，幅度達62%。如今由于智能手機及PC對于DRAM的容量需求上升，導致市場缺貨，價格止跌回升。三星等又重新開始擴大投資，增加
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SMIC DRAM
行動裝置的記憶體不斷擴大!三星電子宣布，智慧機將進入8GB DRAM年代，該公司已經開始生產，外界預料將用于明年初問世的Galaxy S8。
韓聯(lián)社報導，三星電子20日發(fā)布業(yè)界首見的8GB行動DRAM。新晶片采用10 奈米制程，由四個16Gb的LPDDR4 晶片組成。三星執(zhí)行副總Joo Sun Choi表示，8GB行動DRAM的到來，可讓次世代旗艦機的功能更上一層樓。
目前智慧機行動DRAM最大為6GB，記憶體加大可滿足雙鏡頭、4K螢幕、虛擬實境(VR)等的需求。三星并宣稱，新品效能與當前
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三星 DRAM
半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產權(IP)產品領先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術，進而顛覆全球DRAM市場。VLT存儲單元在2015年已通過驗證，目前一款新的完整存儲器測試芯片正處于早期測試階段。Kilopass一直致力于推廣這項技術，并正與DRAM制造商進行許可協(xié)商。
“Kilopass以一次性可編程(OTP)存儲器技術的領導者而聞名，我
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Kilopass DRAM
10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術，簡稱VLT技術。據(jù)Kilopass首席執(zhí)行官Charlie Cheng稱，該技術集低成本、低功耗、高效率、易制造等諸多優(yōu)點于一身，有可能顛覆目前的DRAM產業(yè)格局。
最適用于云計算/服務器市場的DRAM技術
Charlie Cheng指出，DRAM整體市場較為穩(wěn)定，未來隨著PC、手機等方面的市場需求萎縮，新的增長點將出現(xiàn)在云計算/服務器等市場領域。然而當前
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VLT DRAM
DRAM (動態(tài)隨機訪問存儲器)對設計人員特別具有吸引力，因為它提供了廣泛的性能，用于各種計算機和嵌入式系統(tǒng)的存儲系統(tǒng)設計中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DD
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存儲器 DRAM SDRAM
TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，隨著DRAM原廠持續(xù)調整產出比重，標準型內存在供貨持續(xù)吃緊下，九月合約價維持強勁上漲走勢，均價已來到14.5美元，月漲幅達7.4%，在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預估第四季的合約價季漲幅將直逼三成，創(chuàng)下兩年來的新高點。
DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，DRAM現(xiàn)貨顆粒價格漲幅更為劇烈，如DDR3/4 4Gb價格分別來到2.1/2.0美元，較上月同期已各上漲19%與15%，顯見市場供不應求
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DRAM
TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，隨著DRAM原廠持續(xù)調整產出比重，標準型內存在供貨持續(xù)吃緊下，九月合約價維持強勁上漲走勢，均價已來到14.5美元，月漲幅達7.4%，在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預估第四季的合約價季漲幅將直逼三成，創(chuàng)下兩年來的新高點。
DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，DRAM現(xiàn)貨顆粒價格漲幅更為劇烈，如DDR3/4 4Gb價格分別來到2.1/2.0美元，較上月同期已各上漲19%與15%，顯見市場供不應求
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TrendForce DRAM
南亞科總經理李培瑛29日出席臺灣半導體產業(yè)年會(TSIA)表示，南亞科計劃兩年投資500億元，這不是小數(shù)目的投資，其目的在于提升芯片價值，而非拉升全球市占率，未來新存儲器技術ReRAM、3D XPoint都值得注意，且臺灣的DRAM產能仍占全球產能的20%。
再者，南亞科召開重大訊息指出，為導入20納米制程技術，從2016年2月至9月29日為止，向臺塑網科購置制程網路及伺服器等相關設備，總價款約3.43億元。整體來看，南亞科為配合20納米制程技術轉換制程，預計花430億~450億元進行相關設備擴
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南亞科 DRAM
DRAM現(xiàn)貨價漲不停，主流規(guī)格DDR4 4Gb芯片均價昨(27)日正式站穩(wěn)2美元、達2.1美元，攀上七個多月來高點，本季來大漲逾24%，第4季報價持續(xù)看漲一成，南亞科、威剛、宇瞻等記憶體族群大進補。
業(yè)界透露，在全球存儲器芯片龍頭三星拉抬報價帶動下，DRAM漲勢延續(xù)，9月以來已連續(xù)三周上漲，漲勢明確，伴隨追價買盤進場，漲勢加大。
根據(jù)全球市場研究機構TrendForce集邦科技昨日晚間最新報價，DDR4 4Gb芯片正式站穩(wěn)2美元、均價來到2.1美元，單日漲幅1.6%，合計本周以來二個交易日
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DRAM 存儲器
三星主導調漲DRAM報價策略奏效，全球市場研究機構TrendForce集邦科技最新DRAM現(xiàn)貨報價連四天緩步上揚，主流DDR4 4Gb DRAM有機會向2美元叩關，也是近2個月來漲勢最明確的半導體重要元件。DRAM廠商包括南亞科、華邦、威剛及宇瞻等，可望重掌多頭反攻號令。
存儲器渠道商表示，三星和SK海力士近期主導價格漲勢態(tài)度積極，除8月調漲DRAM報價，第4季合約價也再漲一成，連同第3季合約價調漲15%，等于下半年漲幅約25%。
2大韓系DRAM大廠的市占逾八成，主導DRAM漲價策略奏效
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三星 DRAM
明年下半年DRAM供給可能會供不應求，韓媒指出，存儲器廠商轉進20納米制程的產能損失，或許會讓DRAM陷入供給短缺，炒熱行情。
BusinessKorea 12日報道，半導體和投資銀行的業(yè)界消息指出，2017年DRAM需求預料將年增19.3%，不過2017年DRAM每月產量將減少2萬組，從當前的105萬組、2017年降至103萬組，主要是制程轉換造成產能減少。不僅如此，產程轉換的供給成長率以往大約是30%，2017年成長率可能減至10%，加劇供給不足問題。
據(jù)了解，明年上半年是淡季，DRA
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DRAM 美光
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