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1β dram 文章 進(jìn)入1β dram技術(shù)社區(qū)
SEMI：3D NAND、10nm與DRAM將成晶圓廠設(shè)備支出動(dòng)能
- SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))公布最新“SEMI全球晶圓廠預(yù)測(cè)”(SEMIWorldFabForecast)報(bào)告，2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?in-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出預(yù)期將增加3.7%，達(dá)372億美元，而2017年則將再成長(zhǎng)13%，達(dá)421億美元。另方面，2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%。 SEMI公布最新“SEMI全球晶圓廠預(yù)測(cè)”報(bào)告，2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?in-house)
- 關(guān)鍵字： DRAM 晶圓
大陸臺(tái)灣日本“聯(lián)姻”成功 共建中國(guó)最大DRAM廠
- 還記得「爾必達(dá)」這家昔日全球DRAM巨擘嗎?因不敵三星電子等韓廠蠶食，爾必達(dá)于2012年申請(qǐng)破產(chǎn)、之后被美國(guó)美光(Micron)收購(gòu)，而坂本幸雄也成為爾必達(dá)的末代社長(zhǎng)、在爾必達(dá)被美光收購(gòu)后就辭去社長(zhǎng)一職以示負(fù)責(zé)。不過(guò)坂本幸雄要開始踏上復(fù)仇之路了，此次將攜手臺(tái)灣、中國(guó)大陸之力，在安徽合肥打造大規(guī)模內(nèi)存廠，力抗三星等廠商。 日經(jīng)新聞11日?qǐng)?bào)導(dǎo)，由坂本幸雄所設(shè)立的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司「SinoKingTechnology(以下簡(jiǎn)稱SKT)」已和安徽省合肥市政府正式簽署工廠興建契約，Sino將主導(dǎo)合肥市政府總
- 關(guān)鍵字： DRAM
韓廠欲擺脫大陸半導(dǎo)體追擊 轉(zhuǎn)變體質(zhì)往系統(tǒng)芯片市場(chǎng)
- 大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團(tuán)，投資人民幣600億元興建DRAM工廠，將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當(dāng)。DRAM廠規(guī)模也不亞于三星全球最大半導(dǎo)體園區(qū)平澤園區(qū)。 由南韓與美國(guó)企業(yè)瓜分的DRAM市場(chǎng)將迅速轉(zhuǎn)變。大陸憑藉價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力加入市場(chǎng)后，不僅將刺激產(chǎn)業(yè)地殼變動(dòng)，也將使主導(dǎo)DRAM市場(chǎng)的南韓地位出現(xiàn)變化。 大陸其實(shí)早已預(yù)告將進(jìn)軍半導(dǎo)體、DRAM市場(chǎng)，進(jìn)入市場(chǎng)只
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM
紫光結(jié)合日技術(shù) 搶攻DRAM市場(chǎng)
- 中國(guó)紫光欲與美韓合作DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)碰壁后，日本DRAM大廠爾必達(dá)前社長(zhǎng)坂本幸雄所主導(dǎo)成立的兆基科技(Sino King)，近日確定與中國(guó)合肥市政府合作，將結(jié)合日本研發(fā)技術(shù)與中國(guó)的資金力量，兩年后在合肥量產(chǎn)DRAM。據(jù)了解，相關(guān)合作細(xì)節(jié)預(yù)計(jì)本周于日本舉行記者會(huì)說(shuō)明。 臺(tái)灣DRAM業(yè)界指出，爾必達(dá)于2012年倒閉并由美光并購(gòu)后，坂本幸雄與爾必達(dá)研發(fā)團(tuán)隊(duì)一些成員，另起爐灶新成立兆基科技，除了網(wǎng)羅臺(tái)灣的力晶科技等DRAM部分人馬加入，也傳出看好中國(guó)內(nèi)存市場(chǎng)，加上中國(guó)企圖建立自主技術(shù)，地方政
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韓廠欲擺脫大陸半導(dǎo)體追擊 轉(zhuǎn)變體質(zhì)往系統(tǒng)芯片市場(chǎng)
- 大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團(tuán)，投資人民幣600億元興建DRAM工廠，將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當(dāng)。DRAM廠規(guī)模也不亞于三星全球最大半導(dǎo)體園區(qū)平澤園區(qū)。 由南韓與美國(guó)企業(yè)瓜分的DRAM市場(chǎng)將迅速轉(zhuǎn)變。大陸憑藉價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力加入市場(chǎng)后，不僅將刺激產(chǎn)業(yè)地殼變動(dòng)，也將使主導(dǎo)DRAM市場(chǎng)的南韓地位出現(xiàn)變化。 大陸其實(shí)早已預(yù)告將進(jìn)軍半導(dǎo)體、DRAM市場(chǎng)，進(jìn)入市場(chǎng)只
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM
傳三星半導(dǎo)體西安廠第二階段增設(shè)恐延期
- 三星電子(Samsung Electronics)原本預(yù)定2016年要在大陸西安半導(dǎo)體工廠進(jìn)行第二階段的投資，日前傳出這項(xiàng)計(jì)劃目前處于保留狀態(tài)。業(yè)界預(yù)估，2016年將會(huì)進(jìn)入記憶體7年來(lái)最糟的供需不平衡情況，加上東芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)與英特爾(Intel)等紛紛增設(shè)NAND Flash工廠，也使三星開始擔(dān)心供貨量劇增的惡性競(jìng)爭(zhēng)情況。 目前三星電子西安工廠只使用整體腹地(約34萬(wàn)坪)的5分之1，而且以目前的設(shè)備來(lái)說(shuō)，已經(jīng)到達(dá)最大產(chǎn)能，所以南韓業(yè)界原本認(rèn)為，三星將在2016年內(nèi)
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
DRAM價(jià)格跌 上季全球產(chǎn)值掉9%
- DRAMeXchange公布去年第4季DRAM統(tǒng)計(jì)報(bào)告，受到DRAM平均銷售單價(jià)持續(xù)下降及市況持續(xù)供過(guò)于求影響，第4季全球DRAM總產(chǎn)值為102.7億美元，季減9.1%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，去年第4季雖有蘋果iPhone 6s出貨加持，筆電出貨亦比預(yù)期更佳，但由于各DRAM廠制程轉(zhuǎn)進(jìn)，如SK海力士21奈米正式投片、美光大幅轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米制程，都讓產(chǎn)出持續(xù)增加，使得當(dāng)季DRAM價(jià)格持續(xù)下修。 三星依然是DRAM產(chǎn)業(yè)的龍頭，雖然DRAM營(yíng)收下跌9.7%至47.6億美元，
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星
紫光確定在華南籌建12寸DRAM廠，循華亞科模式
- 大陸紫光集團(tuán)已確定在大陸華南地區(qū)籌建12寸DRAM廠，并循當(dāng)年臺(tái)塑集團(tuán)與美光合資華亞科的商業(yè)模式，由紫光出資建廠，再邀請(qǐng)美光等國(guó)際大廠入股，解決技術(shù)授權(quán)問(wèn)題。 據(jù)了解，此計(jì)畫由前華亞科董事長(zhǎng)、現(xiàn)為紫光集團(tuán)執(zhí)行副總裁的高啟全親自操刀，業(yè)界盛傳，日本前爾必達(dá)總裁坂本幸雄亦有意加入。 大陸官方自前年成立國(guó)家積體電路產(chǎn)業(yè)投資基金(簡(jiǎn)稱大基金)后，就有意投入自建記憶體供應(yīng)鏈，但不論是DRAM或NAND Flash，主要制程專利及矽智財(cái)都掌握前國(guó)際大廠手中，因此，率先表態(tài)要自建記憶體產(chǎn)能的紫光集團(tuán)，由
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2015臺(tái)灣DRAM產(chǎn)值增長(zhǎng)由正轉(zhuǎn)負(fù) 晶圓代工增長(zhǎng)下滑
- 經(jīng)濟(jì)部統(tǒng)計(jì)處資料顯示，臺(tái)灣集成電路業(yè)產(chǎn)值雖持續(xù)成長(zhǎng)，但去年增率卻是近三年來(lái)首見個(gè)位數(shù)成長(zhǎng)，也結(jié)束自2011年以來(lái)的上升走勢(shì)，臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部指出，去年臺(tái)灣DRAM產(chǎn)值成長(zhǎng)由正轉(zhuǎn)負(fù)，加上晶圓代工成長(zhǎng)下滑，整體集成電路業(yè)產(chǎn)值年增率僅6.2%。 臺(tái)灣集成電路產(chǎn)值在2014年產(chǎn)值突破兆元大關(guān)，去年上半年延續(xù)榮景，較前年同期成長(zhǎng)23.9%，但下半年因全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇力道疲弱，尤其新興市場(chǎng)需求明顯下降，抑制終端消費(fèi)性電子產(chǎn)品銷售成長(zhǎng)動(dòng)能，下半年衰退7.9%。 去年集成電路業(yè)產(chǎn)值增率6.2%，是自2011年低點(diǎn)反
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紫光計(jì)劃今年再收購(gòu)2家IC公司 重心將放在IC、環(huán)保與新材料等方面
- 清華紫光集團(tuán)所屬的清華控股董事長(zhǎng)徐井宏，昨天在瑞士達(dá)沃斯的世界經(jīng)濟(jì)論壇現(xiàn)場(chǎng)，接受彭博訪問(wèn)時(shí)坦承，由于美國(guó)主管機(jī)關(guān)豎立的障礙，美光投資案過(guò)關(guān)的機(jī)會(huì)渺茫，但紫光集團(tuán)仍持續(xù)推動(dòng)與美光或其他公司的合作，希望藉此在記憶晶片與IC領(lǐng)域取得突破。 他表示，紫光集團(tuán)可能尋求其他與美光的合作方式，例如成立中美合資企業(yè)。 徐井宏也透露，清華紫光集團(tuán)旗下的3大平臺(tái)之中，主攻DRAM的同方國(guó)芯，今年將投下約2000億人民幣，再買下兩家海外IC業(yè)者，但沒(méi)有透露可能購(gòu)并對(duì)象。 徐井宏也提到，2016紫光集團(tuán)的海
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三星開始量產(chǎn)HBM2標(biāo)準(zhǔn)的TSV連接4GB DRAM芯片
- 三星電子2016年1月19日宣布，已開始量產(chǎn)HBM2標(biāo)準(zhǔn)(HBM：High Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存)的4GB DRAM芯片。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)12日剛剛宣布HBM2成為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)“JESD235A”。 HBM2標(biāo)準(zhǔn)的DRAM芯片的結(jié)構(gòu)。 按照HBM2標(biāo)準(zhǔn)，DRAM芯片內(nèi)可縱向?qū)盈B最大8Gbit的存儲(chǔ)器裸片，裸片之間通過(guò)TSV(硅通孔)連接。三星于2014年8月發(fā)布了配備36顆2GB DRAM的64GB服務(wù)器用
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美光DRAM表現(xiàn)看弱 市場(chǎng)供需變化使然
- 日前美光(Micron)公布最新1季結(jié)果表現(xiàn)不佳，截至2016年2月止第2季展望也不佳，消息傳出后造成股價(jià)下跌5%，也讓眾多分析師跌破眼鏡。 評(píng)論認(rèn)為，由于傳統(tǒng)第1季是DRAM價(jià)格淡季，而且PC與移動(dòng)裝置帶動(dòng)DRAM成長(zhǎng)有限，因此DRAM廠商表現(xiàn)黯淡早已可期，但也凸顯美光必須考慮加強(qiáng)布局3D XPoint技術(shù)必要性。 據(jù)SemiWiki網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，DRAM已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最終普遍性產(chǎn)品，因此，相當(dāng)容易受到供需平衡變化而導(dǎo)致價(jià)格改變。加上目前正處于需求弱但供應(yīng)強(qiáng)階段，因此，DRAM廠商欲求好表
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2016年整體DRAM需求預(yù)估成長(zhǎng)23%
- 2016年中國(guó)持續(xù)發(fā)展半導(dǎo)體的策略不變，仍將有許多并購(gòu)發(fā)生，記憶體方面更是中國(guó)發(fā)展的重點(diǎn)項(xiàng)目之一。
- 關(guān)鍵字： DRAM
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