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三星DRAM報(bào)價(jià)下調(diào)20% 華亞科/南亞科下季營(yíng)收不樂(lè)觀
- 全球DRAM大廠三星昨天傳出下調(diào)DRAM報(bào)價(jià)，調(diào)降幅度20%。此舉預(yù)告DRAM產(chǎn)業(yè)將在第四季出現(xiàn)一波修正期，DRAM大廠華亞科和南亞科第四季營(yíng)收恐不如預(yù)期。 繼臺(tái)積電前天無(wú)預(yù)警下修第四季財(cái)測(cè)，市場(chǎng)消息傳出，全球DRAM市占率達(dá)四成的三星，將DRAM模組價(jià)格從21美元降至16.8美元，換算每顆粒DRAM價(jià)格僅剩1.8美元。 8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價(jià)格在21美元左右，并將部分PC DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)高階智慧型手機(jī)使用的LP DDR4。 隨今年以來(lái)DRAM價(jià)格持續(xù)走低，市場(chǎng)需
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
DRAM報(bào)價(jià) 傳出三星調(diào)降20%
- 全球DRAM大廠三星昨天傳出下調(diào)DRAM報(bào)價(jià)，調(diào)降幅度20%。此舉預(yù)告DRAM產(chǎn)業(yè)將在第四季出現(xiàn)一波修正期，國(guó)內(nèi)DRAM大廠華亞科和南亞科第四季營(yíng)收恐不如預(yù)期。 繼臺(tái)積電前天無(wú)預(yù)警下修第四季財(cái)測(cè)，市場(chǎng)消息傳出，全球DRAM市占率達(dá)四成的三星，將DRAM模組價(jià)格從21美元降至16.8美元，換算每顆粒DRAM價(jià)格僅剩1.8美元。 8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價(jià)格在21美元左右，并將部分PC DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)高階智慧型手機(jī)使用的LP DDR4。 隨今年以來(lái)DRAM價(jià)格持續(xù)走低，市
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
PROM、EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM等存儲(chǔ)器比較
- PROM、EEPROM、FLASH的總結(jié)性區(qū)別 EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結(jié)構(gòu)。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能量來(lái)激出。EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一個(gè)附加的Transister組成，由于FLOTOX的特性及兩管結(jié)構(gòu)，所以可以單元讀/寫(xiě)。技術(shù)上，F(xiàn)LASH是結(jié)合EPROM和EEPRO
- 關(guān)鍵字： SRAM DRAM
18吋晶圓技術(shù)成本過(guò)高 12吋將續(xù)為業(yè)者主力
- 雖然較大尺寸晶圓的生產(chǎn)材料和技術(shù)成本高于小尺寸晶圓，但由于較大晶圓可以切割出更多的芯片，因此經(jīng)驗(yàn)顯示，就每單位芯片成本而言，大尺寸晶圓技術(shù)至少會(huì)比小尺寸晶圓降低20%。 然而在實(shí)務(wù)上，要采用大尺寸晶圓生產(chǎn)技術(shù)，業(yè)者必須要先行投入大筆經(jīng)費(fèi)。因此在資金和技術(shù)的障礙下，各業(yè)者往往會(huì)采用將現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行效率最大化的方式進(jìn)行生產(chǎn)，而不是對(duì)新開(kāi)發(fā)的大尺寸晶圓生產(chǎn)技術(shù)進(jìn)行投資。 以最新18吋(450mm)晶圓生產(chǎn)技術(shù)的采用為例，就正處于這樣一種狀況下。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)ICInsights最新公布的2015~2
- 關(guān)鍵字： 晶圓 DRAM
大陸景氣低迷 韓國(guó)存儲(chǔ)器廠前景恐難卜
- 雖然大陸景氣疲軟，2015年韓國(guó)存儲(chǔ)器廠的業(yè)績(jī)展望相對(duì)明朗。然大陸智能型手機(jī)需求縮減，2016年移動(dòng)DRAM價(jià)格可能下滑，2016年前景反而不透明。 據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，全球排名前一、二名的DRAM制造廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)下半年業(yè)績(jī)可能會(huì)與當(dāng)初預(yù)期相近，或小幅提升。近來(lái)大陸景氣迅速萎縮，但對(duì)下半年暫時(shí)不會(huì)有太大影響。 三星下半年IT及移動(dòng)裝置(IM)事業(yè)部業(yè)績(jī)可能下滑，但半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部的存儲(chǔ)器和系統(tǒng)晶
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM
海力士擴(kuò)產(chǎn) DRAM不妙
- 全球第二大DRAM廠南韓SK海力士昨(25)日宣布，規(guī)劃斥資31兆韓元(約259.4億美元、約新臺(tái)幣8,300億元)，在南韓興建兩座新廠，預(yù)計(jì)2024年前竣工。近期DRAM價(jià)格好不容易出現(xiàn)止跌訊號(hào)，市場(chǎng)憂心，SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)，長(zhǎng)期將再度使得產(chǎn)業(yè)陷入供過(guò)于求。 外電指出，投資人正密切留意記憶體廠新的資本投資，因?yàn)榇笠?guī)模的支出可能導(dǎo)致供給過(guò)剩，或引爆價(jià)格戰(zhàn)，這對(duì)三星、SK海力士、華亞科(3474)、南亞科等業(yè)者都將不利。 受市場(chǎng)憂心SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)影響，南亞科昨天股價(jià)在臺(tái)股大漲逾265點(diǎn)下
- 關(guān)鍵字： 海力士 DRAM
研調(diào)：DRAM價(jià)未來(lái)幾季續(xù)跌
- TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，DRAM市場(chǎng)第2季受到合約均價(jià)大幅衰退約10%的影響，雖然位元產(chǎn)出量持續(xù)增長(zhǎng)，總產(chǎn)值仍呈現(xiàn)4.8%的季衰退，來(lái)到114億美金。在淡季影響下，各DRAM廠營(yíng)收都呈現(xiàn)衰退走勢(shì)，然而由于制程持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)，毛利并未大幅縮減，三星、SK海力士與美光的DRAM產(chǎn)品別營(yíng)業(yè)獲利比例分別為48%、37%與21%，因此DRAM產(chǎn)業(yè)真正的考驗(yàn)將會(huì)落在未來(lái)的幾個(gè)季度。在需求端如筆電與智慧型手機(jī)領(lǐng)域持續(xù)疲弱，但供給端來(lái)自20nm/21nm的比例將持續(xù)提升，該機(jī)構(gòu)
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
第二季DRAM位元產(chǎn)出量增、產(chǎn)值衰退
- TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，DRAM市場(chǎng)在 2015年第二季受到合約均價(jià)大幅衰退約10%的影響，雖然位元產(chǎn)出量持續(xù)增加，總產(chǎn)值仍呈現(xiàn)4.8%的季衰退，來(lái)到114億美元。 在淡季影響下，各DRAM廠第二季營(yíng)收都呈現(xiàn)衰退走勢(shì)，然而由于制程持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)，毛利并未大幅縮減，三星(Samsung)、SK海力士(Hynix)與美光(Micron)的DRAM產(chǎn)品別營(yíng)業(yè)獲利比例分別為48%、37%與21%，因此DRAM產(chǎn)業(yè)真正的考驗(yàn)將會(huì)落在未來(lái)的幾季;在需求端如筆電與智慧型
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星
三星降低DRAM產(chǎn)量 為滿足蘋(píng)果新iPhone的內(nèi)存需求
- 猶如國(guó)內(nèi)股市，今年內(nèi)存持續(xù)降價(jià)，已經(jīng)降回多年前的低位。但現(xiàn)在壞消息來(lái)了，世界上最大的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)商三星宣布將降低DRAM顆粒的生產(chǎn)量，下個(gè)月可能會(huì)引起內(nèi)存的價(jià)格反彈。 據(jù)臺(tái)媒CTIMES News報(bào)道，三星將降低30%的普通DRAM顆粒產(chǎn)量，以騰出生產(chǎn)線用于生產(chǎn)手機(jī)用的LPDDR內(nèi)存顆粒，預(yù)計(jì)在8月到9月，普通內(nèi)存的價(jià)格將會(huì)提高。 傳聞蘋(píng)果的新一代iPhone將搭載2GB LPDDR4內(nèi)存，這意味著蘋(píng)果需要采購(gòu)比去年更多的內(nèi)存顆粒，而現(xiàn)有的供應(yīng)商海力士和鎂光無(wú)法
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DRAM價(jià)差縮 研調(diào)：DDR4年底變主流
- 據(jù)記憶體市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，第3季初伺服器用記憶體整體市場(chǎng)需求仍未見(jiàn)回溫，在需求端拉貨力道不振下，即便原廠力守價(jià)格，代理商對(duì)市場(chǎng)信心依然持續(xù)減弱，并出現(xiàn)降價(jià)求售，使整體市場(chǎng)價(jià)格出現(xiàn)明顯松動(dòng)。 DRAMeXchange分析師劉家羽表示，由于PC端需求依舊疲軟，標(biāo)準(zhǔn)型記憶體跌價(jià)幅度持續(xù)擴(kuò)張，也使得伺服器用記憶體價(jià)格跌幅收斂受阻。 受DDR4跌價(jià)沖擊，DDR3價(jià)格下殺幅度趨明顯，7月底 8GB/16GB均價(jià)來(lái)到64與116美元，月跌幅達(dá)5~6%;而DDR4 R-DIMM
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR4
三星輝煌已成過(guò)去 為保留市場(chǎng)份額苦苦爭(zhēng)斗
- 憑借著Galaxy系列智能手機(jī)在市場(chǎng)中的巨大成功，三星電子過(guò)去四年通過(guò)與蘋(píng)果爭(zhēng)奪高端智能手機(jī)市場(chǎng)收獲了數(shù)十億美元。不過(guò)這家韓國(guó)科技巨頭的前景并不樂(lè)觀，因?yàn)闉榱嗽谥械投耸袌?chǎng)抵御來(lái)自小米、華為等中國(guó)智能手機(jī)制造商發(fā)起的沖擊，該公司已被迫下調(diào)產(chǎn)品價(jià)格，并接受降低手機(jī)部門(mén)利潤(rùn)率的現(xiàn)實(shí)。 三星電子當(dāng)前所面臨的現(xiàn)實(shí)，是這家公司無(wú)法擺脫與低成本競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手共同采用Android操作系統(tǒng)的窘境，而后者已能夠自主開(kāi)發(fā)出功能更多的智能手機(jī)。Stratechery.com分析師本·湯普森(Ben Thomp
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DRAM價(jià)差縮 研調(diào)：DDR4年底變主流
- 據(jù)記憶體市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，第3季初伺服器用記憶體整體市場(chǎng)需求仍未見(jiàn)回溫，在需求端拉貨力道不振下，即便原廠力守價(jià)格，代理商對(duì)市場(chǎng)信心依然持續(xù)減弱，并出現(xiàn)降價(jià)求售，使整體市場(chǎng)價(jià)格出現(xiàn)明顯松動(dòng)。 DRAMeXchange分析師劉家羽表示，由于PC端需求依舊疲軟，標(biāo)準(zhǔn)型記憶體跌價(jià)幅度持續(xù)擴(kuò)張，也使得伺服器用記憶體價(jià)格跌幅收斂受阻。 受DDR4跌價(jià)沖擊，DDR3價(jià)格下殺幅度趨明顯，7月底 8GB/16GB均價(jià)來(lái)到64與116美元，月跌幅達(dá)5~6%;而DDR4 R-DIMM
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三星減產(chǎn)三成 標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價(jià)回溫
- 市場(chǎng)傳出，DRAM龍頭三星半導(dǎo)體計(jì)劃減產(chǎn)三成標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)行動(dòng)式記憶體(Mobile DRAM)，以因應(yīng)蘋(píng)果新機(jī)出貨，同時(shí)通知OEM廠8月起不再調(diào)降標(biāo)準(zhǔn)型DRAM售價(jià)。法人預(yù)期，盤(pán)跌近七個(gè)月的DRAM價(jià)格可望止跌回升，華亞科、南亞科及華邦電等DRAM族群營(yíng)運(yùn)可望再起。 蘋(píng)果供應(yīng)鏈透露，蘋(píng)果新款iPhone 6s與6s Plus，將搭載A9 升級(jí)版處理器與2GB LPDDR4 Mobile DRAM，搭載記憶體由1GB升級(jí)到2GB，容量倍增，原有供應(yīng)商美光和SK海力士無(wú)法滿足供貨，因
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
全球新式存儲(chǔ)器大戰(zhàn) 臺(tái)控制芯片廠不缺席
- 美光(Micron)與英特爾(Intel)合作非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(NVM)新技術(shù)3D XPoint，可取代既有DRAM和NAND Flash芯片，業(yè)界傳出該技術(shù)不僅將導(dǎo)入固態(tài)硬碟(SSD)，臺(tái)系NAND Flash控制芯片業(yè)者慧榮更已加入3D XPoint計(jì)劃，成為首家控制芯片供應(yīng)商，2016年搶先導(dǎo)入SSD。不過(guò)，相關(guān)消息仍待慧榮正式對(duì)外宣布。 存儲(chǔ)器業(yè)者表示，包括美光和英特爾的IM Flash陣營(yíng)對(duì)于3D XPoint技術(shù)并未揭露太多資訊，業(yè)界推測(cè)可能是一種稱為可變電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM)的新
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
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