1β dram 文章 進(jìn)入1β dram技術(shù)社區(qū)
大陸打造半導(dǎo)體供應(yīng)鏈
- 去年中國市場進(jìn)口DRAM總金額達(dá)到102億美元，吃下全球五分之一產(chǎn)能。為了減少入超，官方主導(dǎo)的“國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(國家大基金)”在全球大肆收購企業(yè)，透過進(jìn)口替代，打造完整的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。 研究機(jī)構(gòu)集邦科技統(tǒng)計(jì)，2014年中國市場的DRAM消化量金額為102億美元，占全球營業(yè)額約20%。其中，行動式記憶體(Mobile DRAM)在中國大陸的營業(yè)額就達(dá)到56億美元。顯示大陸在近幾年智慧型手機(jī)及行動上網(wǎng)普及后，市場強(qiáng)勁的消費(fèi)潛力。 集邦科技指出，中國市場半導(dǎo)體包
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從紫光并購美光看我國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的決心
- 中國大陸紫光集團(tuán)有意以每股21美元、總價230億美元(超過7千億新臺幣)購并美國美光科技，消息傳出撼動全球科技界，DRAM龍頭韓國的三星和SK海力士當(dāng)日股價分別重挫3.24%及6.66%，更直接反映此一購并案對DRAM市場的未來沖擊。 盡管業(yè)界評估紫光此次購并美光難度極高，因?yàn)榘雽?dǎo)體仍受美國國安監(jiān)控，尤其美光部分產(chǎn)品線是為美國軍方單位量身打造，美國官方批準(zhǔn)可能性微乎極微。不過此案的發(fā)展關(guān)乎臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)生存，我們以為無論購并是否成功，其趨勢都有深入關(guān)注的必要。
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Gartner調(diào)降半導(dǎo)體預(yù)測 DRAM明后年皆衰退
- 電子業(yè)景氣趨緩，市調(diào)機(jī)構(gòu)顧能(Gartner)最新研究報告將今年全球半導(dǎo)體成長率從4%下修到2.2%，其中，近2年成長動能最高的DRAM業(yè)，明后年將連續(xù)2年衰退，其中明年衰退幅度高達(dá)17.4%。 Gartner表示，2015年全球半導(dǎo)體營收預(yù)估將達(dá)到3480億美元，年增2.2%，但低于上一季預(yù)測的4.0%成長目標(biāo)。 Gartner研究總監(jiān)Jon Erensen表示：“帶動半導(dǎo)體市場的主要應(yīng)用，包括PC、智慧型手機(jī)與平板等前景都已向下修正。再加上美元走強(qiáng)，對主要市場的需求造成沖擊
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SEMI：未來臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可維持成長態(tài)勢
- 國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)表示，過去五年，臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市占率不斷增加，不僅在晶圓代工和封裝測試市場的占有率有所提升，同時在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中先進(jìn)技術(shù)的市場領(lǐng)域亦見成長。不僅如此，臺灣半導(dǎo)體廠商在尖端技術(shù)上的持續(xù)投資，也將為后續(xù)幾年進(jìn)一步的發(fā)展而鋪路。 盡管世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)預(yù)測，2015和2016年全球半導(dǎo)體市場將各別小幅成長3.4%，但臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)卻能以高于全球兩倍的速度成長，其中在晶圓代工、DRAM和后段封裝測試廠商的貢獻(xiàn)下，將為臺灣半導(dǎo)體供應(yīng)鏈帶來更強(qiáng)勁的漲幅。尤其是
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三星最快7月啟動DRAM 17產(chǎn)線 對手或跟進(jìn)擴(kuò)產(chǎn)
- 三星電子(Samsung Electronics)最快將于7月啟動在韓國京畿道華城的17產(chǎn)線。在初期稼動，17產(chǎn)線預(yù)定僅啟動整體生產(chǎn)能力(CAPA)的10~30%。雖然不會立即對目前DRAM市場產(chǎn)生巨大影響，但不排除競爭對手SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)跟進(jìn)加速擴(kuò)產(chǎn)競爭的可能性。 據(jù)Digital Times報導(dǎo)，三星預(yù)計(jì)在第3季投產(chǎn)17產(chǎn)線DRAM。預(yù)定投入20納米DRAM制成的17產(chǎn)線，目前設(shè)備已經(jīng)全數(shù)搬入，并進(jìn)入試驗(yàn)稼動中，最快將于7月或8月正式投產(chǎn)。 熟稔三星
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拼年底量產(chǎn)3D NAND、傳SK海力士大買設(shè)備
- 記憶體大廠整軍經(jīng)武，準(zhǔn)備展開新一波大戰(zhàn)!據(jù)傳三星電子和SK 海力士 (SK Hynix )將大買設(shè)備，積極投資3D NAND Flash;另外DRAM也將轉(zhuǎn)進(jìn)新制程，拉高戰(zhàn)力。 韓媒etnews 6日報導(dǎo)，記憶體大廠爭相量產(chǎn)3D NAND Flash，新制程和傳統(tǒng)NAND Flash相比，差別在于從平面改為立體，能層層堆疊，提高效能。據(jù)了解，由2D轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash，顯影制程不變，但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%，需要采購不少新設(shè)備。據(jù)了解，三星最早量產(chǎn)3D
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DRAM市占率維持上升趨勢 三星、SK海力士春風(fēng)得意
- 受惠DRAM事業(yè)蓬勃發(fā)展，三星1Q半導(dǎo)體事業(yè)營收與營利成長率都勝過英特爾。三星官網(wǎng)2015年第1季半導(dǎo)體前五大業(yè)者中，只有三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)的市占率維持上升趨勢，受惠于DRAM事業(yè)蓬勃發(fā)展，兩企業(yè)可謂春風(fēng)得意。 不只PC、筆記型電腦(NB)，連電視、冰箱、洗衣機(jī)都搭載DRAM的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)時代正在來臨，使DRAM產(chǎn)業(yè)成為最大的受惠者。而在十多年競爭中存活下來的DRAM三大業(yè)者三星電子、SK海力士與美光(Micron)，正在享受寡
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2014年全球DRAM模組廠營收排名
- 根據(jù)Trendforce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新發(fā)布的全球記憶體模組廠排名調(diào)查，2014年全球模組市場總銷售金額約為88億美元，與2013年的73億美元相比，大幅成長約21%左右，主要受惠于標(biāo)準(zhǔn)型記憶體價格的平穩(wěn)走勢與合約市場的比重提升。 前五大記憶體模組廠仍占據(jù)整體銷售金額的81%，前十名幾乎囊括全球模組市場中92%的營業(yè)額，其中金士頓(Kingston)仍穩(wěn)坐模組廠龍頭之位，營收較前年成長約44%;記憶科技(Ramaxel)與威剛(ADATA)則分居二、三名，都有著不錯
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美光2015年三季度利潤大幅減少，受個人電腦市場低迷影響
- 美光科技日前發(fā)布了截至2015年6月4日的第三季度財(cái)報，銷售額同比減少3%，為38.53億美元，營業(yè)利潤同比減少25%，為6.31億美元;凈利潤同比減少39%，為4.91億美元(英文發(fā)布資料)。該公司表示，業(yè)績惡化是因?yàn)槭艿搅藗€人電腦市場需求停滯等的影響。經(jīng)營個人電腦相關(guān)產(chǎn)品的計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)部門的業(yè)績本季度大幅惡化。 與上季度(2014年12月～2015年2月)相比，總銷售額減少8%，毛利潤率也降低了約3個百分點(diǎn)，約為31%。減收減益的主要原因是DRAM的平均銷售單價環(huán)比降低10%。不過，削減制
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DRAM報價慘！美光獲利掉近四成、盤后暴跌
- 美國記憶體大廠美光科技(Micron Technology Inc.)最新財(cái)報(2015會計(jì)年度第三季)出爐，受PC景氣蕭條影響，美光當(dāng)季獲利暴瘦近四成，且本季展望也不如預(yù)期。 DRAM與NAND記憶體是美光主要產(chǎn)品，也多用在PC上。美光執(zhí)行長Mark Durcan在財(cái)報上明講，景氣逆風(fēng)主要來自PC上半年需求疲弱。 翻開財(cái)報檢視，美光當(dāng)季DRAM銷售量平平，但平均售價跌了一成，拖累當(dāng)季整體營收年減3%至38.5億美元，低于分析師預(yù)估的39億美元。 凈利僅4.91億美元，較去年同期衰退
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ISSI 并購戰(zhàn)狂打三個月，中國進(jìn)軍 DRAM 頻遭搶親
- 2015 年 3 月 12 日，以武岳峰為首的中國資本企業(yè)發(fā)表聲明，將以每股 19.25 美元收購美國 DRAM 廠商 ISSI，宣告中國的半導(dǎo)體布局觸角延伸到 DRAM 產(chǎn)業(yè)，但邁開的這一步卻始終無法走向下個階段，時經(jīng)三個月雙方仍在并購談判中原地踏步，很大一部分原因在于殺出賽普拉斯(Cypress)這家程咬金。 你來我往的出價競賽 檢視這三個月雙方的并購發(fā)展，這場 ISSI 爭奪大戰(zhàn)打得如火如荼，5 月 13 日另家美國半導(dǎo)體廠商賽普拉斯(Cypress)出手，宣布將以每股優(yōu)于武岳峰資本
- 關(guān)鍵字： ISSI DRAM
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