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iSuppli：2010年半導(dǎo)體市場銷售有望破記錄
- 據(jù)國外媒體報道，研究機(jī)構(gòu)iSuppli已經(jīng)降低了對2010年半導(dǎo)體銷售額的預(yù)測，但是它仍預(yù)期年底的利潤將達(dá)到前所未有的3020億美元。最新的預(yù)測顯示利潤上升了32%，比先前預(yù)測的35.1%有所下降。這主要是由于對四季度銷售額預(yù)期的降低。 據(jù)該機(jī)構(gòu)表示說，今年的利潤有望比去年同期增長740億美元，比2007年高280億美元。根據(jù)該公司的預(yù)測這將是半導(dǎo)體市場達(dá)到巔峰的一年。 產(chǎn)品利潤預(yù)期會增長43%，DRAM將會在PC市場有一個87%的強(qiáng)勁增長。同時，由于智能手機(jī)不斷增長的需求，無線通信市場將
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爾必達(dá)12月將啟動30納米DRAM量產(chǎn)
- 據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》周三報道，爾必達(dá)計劃在今年12月開始量產(chǎn)40納米以下的DRAM芯片，此舉預(yù)計可節(jié)省生產(chǎn)成本約30%。爾必達(dá)即將量產(chǎn)的DRAM芯片線寬僅略大于30納米，比三星電子的最新制程更小。至目前為止，三星仍是全球首家跨入40納米制程以下的公司。 報道稱呢個，爾必達(dá)已開發(fā)出的“雙重曝光 (double-patterning)”新技術(shù)，能用現(xiàn)有的設(shè)備來達(dá)成更精細(xì)制程，而無需進(jìn)行大規(guī)模的資本投資。 爾必達(dá)位于日本廣島的工廠，將于12月率先量產(chǎn)新DRAM芯片;瑞晶電子
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甲骨文起訴美光操縱芯片價格 令Sun蒙受損失
- 甲骨文通過美國子公司在加州北區(qū)法院起訴美光科技，指控其涉嫌操縱內(nèi)存芯片價格，使Sun微系統(tǒng)付出了更高的代價。 甲骨文指控美光與其他內(nèi)存制造商勾結(jié)，人為抬高DRAM(動態(tài)隨機(jī)存儲)芯片價格。訴訟書稱，在1998年至2002年間，Sun采購了總價超過20億美元的DRAM芯片。 訴訟書還稱，美國司法部指控了世界頂尖的5家DRAM制造商，其中四家今年都已認(rèn)罪并認(rèn)罰，但美光科技因與司法部合作而得到赦免。甲骨文在2010年以約70億美元價格收購了Sun。 韓國芯片制造商海力士半導(dǎo)體的代理律師邁克
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣惡化 庫存修正即將發(fā)生？
- 市場研究機(jī)構(gòu)The Information Network總裁Robert Castellano表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境正在惡化，而且領(lǐng)先指標(biāo)顯示該市場即將發(fā)生庫存修正;他指出，雖然2010年將會是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷大幅反彈成長的一年，但好日子恐怕不多了。 Castellano預(yù)測，終端電子產(chǎn)品銷售將出現(xiàn)下滑，首當(dāng)而沖的就是DRAM領(lǐng)域;該市場在今年第二季還曾出現(xiàn)過135%的銷售成長;此外他也預(yù)言，PC銷售業(yè)績趨緩，將會對英特爾(Intel)、AMD等微處理器供應(yīng)商造成負(fù)面影響，連帶讓晶圓代工業(yè)者也受到
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iSuppli：內(nèi)存業(yè)界芯片制造平均成本四年來首度出現(xiàn)正增長
- 據(jù)iSuppli市調(diào)公司發(fā)布的調(diào)查報告顯示，內(nèi)存業(yè)界生產(chǎn)DRAM芯片的平均制造成本出現(xiàn)了四年以來的首次正增長，不過據(jù)iSuppli公司分析，芯片 制造成本正增長的局面有望在數(shù)個季度之內(nèi)有所緩解。根據(jù)統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，今年第二季度內(nèi)存芯片的制造成本從上一季度的2美元/GB提升到了2.03美元 /GB，盡管提升的幅度僅有1.2%，但這是四年以來的首次成本正增長，相比之下，2005年至今的制造成本提升幅度則平均僅-9.2%。 據(jù)分析，造成內(nèi)存芯片制造成本攀升的原因主要是芯片制造的復(fù)雜度和技術(shù)要求越來越
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DRAM價15天爆跌10% 恐跌至2美元線
- 韓國電子時報報導(dǎo)，DRAM價格在15天內(nèi)暴跌10%，1Gb DDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預(yù)測值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計，1Gb DDR3 9月初固定交易價格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來，固定交易價格最大跌幅。甫推出DDR3時，價格僅 在1美元在線，其后持續(xù)上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。 D
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三星：左打臺積電、右攻英特爾，欲稱霸全球
- 全球半導(dǎo)體經(jīng)受金融危機(jī)后正邁入新一輪的增長時期，各家市場分析公司幾乎都報道了2010年半導(dǎo)體有30%的增長，達(dá)到2900億美元。 半導(dǎo)體業(yè)步入新時期 由于半導(dǎo)體業(yè)已逼近摩爾定律的終點(diǎn)，業(yè)界的變化規(guī)律開始發(fā)生變異，使得半導(dǎo)體業(yè)正進(jìn)入一個嶄新時期。新時期最明顯的特點(diǎn)可以歸結(jié)為增長趨緩，未來年均增長率在6%～7%;研發(fā)費(fèi)用高聳，只有很少幾家廠有能力繼續(xù)跟蹤，大多數(shù)頂級半導(dǎo)體廠都采用外協(xié)合作方案。工業(yè)的趨勢可能會形成英特爾CPU，三星存儲器及“fabless(無生產(chǎn)線半導(dǎo)體公司)+代工
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三星35納米4Q出擊 臺DRAM廠以卵擊石
- 三星電子(Samsung Electronics)制程微縮持續(xù)踩油門，繼46納米制程大量供貨，下世代35納米制程將在第4季試產(chǎn)，目標(biāo)2010年底占總產(chǎn)能達(dá)10%，由于從 35納米跳到46納米估計成本可再下降30%，屆時臺、韓DRAM之戰(zhàn)將形成以卵擊石，加上臺廠新產(chǎn)能大量產(chǎn)出時間點(diǎn)亦多落在第4季，面對產(chǎn)能將大量開出，近期DRAM價格跌不停，特別是DDR3 eTT已傳出通路商價格殺至1.7美元，較同容量DDR2價格還要低。 近期DRAM合約價及現(xiàn)貨價均呈現(xiàn)極度疲軟，尤其在傳統(tǒng)旺季是相當(dāng)少見情況，甚至
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DRAM價15天爆跌10% 恐跌至2美元線
- 韓國電子時報報導(dǎo)，DRAM價格在15天內(nèi)暴跌10%，1Gb DDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預(yù)測值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。 據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計，1Gb DDR3 9月初固定交易價格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來，固定交易價格最大跌幅。甫推出DDR3時，價格僅在1美元在線，其后持續(xù)上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。DD
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德意志銀行予半導(dǎo)體業(yè)買入評級 2010年產(chǎn)業(yè)收入預(yù)計增長16%
- 9月9日《半導(dǎo)體行業(yè)特別報告》出版，涉及項(xiàng)目包括有：庫存補(bǔ)充、企業(yè)升級周期、智能電話作為主要趨勢、移動性長期轉(zhuǎn)變、供應(yīng)鏈動態(tài)、3G和4G的構(gòu)建。 涉及企業(yè)包括有：AMD公司(AMD)、ARM 集團(tuán)(ARMH)、AT&;T公司(T)、Altera公司(ALTR)、蘋果公司(APPL)、Atheros(ATHR)、愛特梅爾公司(Atmel：ATML)和其他多家企業(yè)。 以下內(nèi)容摘錄自《半導(dǎo)體行業(yè)特別報告》，專業(yè)分析師在其中討論了該板塊的前景和投資展望。 2005年進(jìn)入德意志銀行的鮑
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電腦內(nèi)存芯片生產(chǎn)成本近4年來首次上升
- 據(jù)國外媒體報道，市場研究公司iSuppli 15日表示，由于爾必達(dá)公司和南亞科技股份有限公司生產(chǎn)費(fèi)用出現(xiàn)增長，電腦內(nèi)存芯片的生產(chǎn)成本近4年來首次上升。 美國加州的市場研究公司iSuppli周二的調(diào)查報告顯示，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)內(nèi)存芯片的平均生產(chǎn)成本從第一季度的每G內(nèi)存2美元上升到了第二季度的2.03美元，而上一次內(nèi)存芯片制造成本的上升發(fā)生在2006年的第三季度。 爾必達(dá)公司和南亞科技股份有限公司分別是全球第三和第五大芯片制造商。iSuppli表示，南亞科技股份有限公司在采用新的
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DRAM內(nèi)存芯片成本遭遇近4年來首次上漲
- 市場調(diào)研iSuppli近期發(fā)布報告稱，今年二季度的DRAM內(nèi)存芯片生產(chǎn)成本遭遇了自2006年三季度以來的首次上漲，這也引發(fā)了外界對于廠商在內(nèi)存芯片生產(chǎn)花費(fèi)支出的擔(dān)憂。從2005年開始，內(nèi)存芯片的生產(chǎn)成本就大致以平均每季度9.2%的幅度在下降。然而今年二季度的每Gb DRAM芯片的平均價格卻達(dá)到了2.03美元，相比上一季度的2.00美元小幅上漲。雖然價格上漲幅度非常小，但這完全顛覆了之前沿襲的規(guī)律。 其實(shí)，二季度內(nèi)存芯片生產(chǎn)成本的上漲也并不是忽然至來。從2009年三季度開始，DRAM芯片季度生產(chǎn)成
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日圓強(qiáng)升 內(nèi)存廠更仰賴臺廠
- 日圓兌美元匯率強(qiáng)勢升值，創(chuàng)近15年來新高;臺灣存儲器業(yè)者表示，日圓走勢對日系廠商營運(yùn)勢必產(chǎn)生壓力，未來將更仰賴臺灣合作伙伴。 日本兩大半導(dǎo)體廠在全球市場占有舉止輕重的影響力，其中爾必達(dá) (Elpida)今年第2季在全球動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 (DRAM)市場占有率為18%，是全球第3大DRAM廠。 東芝(Toshiba)今年第2季在全球儲存型閃存(NAND Flash)市場占有率達(dá)33.1%，僅次于韓國三星，居全球第2大廠地。 南亞科技副總經(jīng)理白培霖指出，日圓急遽升值，對日本內(nèi)存廠爾必達(dá)及
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三星擬以高性能、低耗電半導(dǎo)體主導(dǎo)市場
- 三星電子(Samsung Electronics)表示，智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計算機(jī)(Tablet PC)等革新性行動裝置制作成實(shí)體的過程中，對高性能、低耗電半導(dǎo)體的需求也正逐漸增加，因此三星計劃以性能提升，且減少耗電量的半導(dǎo)體產(chǎn)品主導(dǎo)市場。 三星祭出Smart and Green Plus策略，不僅致力于開發(fā)高性能、低耗電的半導(dǎo)體，同時也將配合世界各國的能源節(jié)約等親環(huán)境政策推動三星的差異化解決方案。 做為新策略的一環(huán)，三星自2009年起便與服務(wù)器業(yè)者共同推動綠色存儲器活
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